目前，被廣泛使用的經典邊緣檢測算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點是相對應于圖像灰度值梯度的局部極大值點。然而，當圖像中含有噪聲時這些算子對噪聲都比較敏感，使得將噪聲作為邊緣點。由于噪聲的干擾，不能檢測出真正的邊緣。一個擁有良好屬性的的邊緣檢測算法是每個研究者的追求。利用小波交換的特點，設計了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個算子，對利用小波變換來檢測圖像的邊緣進行了一定的研究和理解。
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：kqc13037348641
555 定時器是一種模擬和數字功能相結合的中規模集成器件。一般用雙極性工藝制作的稱為 555，用 CMOS 工藝制作的稱為 7555，除單定時器外，還有對應的雙定時器 556/7556。555 定時器的電源電壓范圍寬，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，輸出驅動電流約為 200mA，因而其輸出可與 TTL、CMOS 或者模擬電路電平兼容。 555 定時器成本低，性能可靠，只需要外接幾個電阻、電容，就可以實現多諧振蕩器、單穩態觸發器及施密特觸發器等脈沖產生與變換電路。它也常作為定時器廣泛應用于儀器儀表、家用電器、電子測量及自動控制等方面。555 定時器的內部包括兩個電壓比較器，三個等值串聯電阻，一個 RS 觸發器，一個放電管 T 及功率輸出級。它提供兩個基準電壓VCC /3 和 2VCC /3 555 定時器的功能主要由兩個比較器決定。兩個比較器的輸出電壓控制 RS 觸發器和放電管的狀態。在電源與地之間加上電壓，當 5 腳懸空時，則電壓比較器 A1 的反相輸入端的電壓為 2VCC /3，A2 的同相輸入端的電壓為VCC /3。若觸發輸入端 TR 的電壓小于VCC /3，則比較器 A2 的輸出為 1，可使 RS 觸發器置 1，使輸出端 OUT=1。如果閾值輸入端 TH 的電壓大于 2VCC/3，同時 TR 端的電壓大于VCC /3，則 A1 的輸出為 1，A2 的輸出為 0，可將 RS 觸發器置 0，使輸出為 0 電平。
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：PresidentHuang
模擬CMOS集成電路設計
上傳時間： 2014-10-27
上傳用戶：685
Abstract: What can be simpler than designing with CMOS and BiCMOS? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers!
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：dick_sh
LM393是雙電壓比較器集成電路。中文資料 該電路的特點如下：838電子 工作電源電壓范圍寬，單電源、雙電源均可工作，單電源：2～36V，雙電源:±1～±18V； 消耗電流小，Icc=0.8mA；lm393是什么 輸入失調電壓小，VIO=±2mV； 共模輸入電壓范圍寬，Vic=0～Vcc-1.5V； 輸出與TTL，DTL，MOS，CMOS 等兼容； 輸出可以用開路集電極連接“或”門；
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：lxm
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構，利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運放。設計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環境下對電路進行Spectre仿真。仿真結果表明，在2.5 V單電源電壓下驅動2 pF負載時，運放的直流增益可達到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉換速率高達885 V/μs，達到0.1%的穩定精度的建立時間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：jiiszha
為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理圖設計和版圖設計，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設計，并在一款多功能數字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項目晶圓）計劃流片，流片測試結果表明，在輸出負載很大時，本設計能提供足夠的驅動電流，同時延遲時間短、并占用版圖面積小。
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：小鵬
采用電流模脈寬調制控制方案的電池充電芯片設計,鋸齒波信號的線性度較好,當負載電路減小時,自動進入Burst Mode狀態提高系統的效率。整個電路基于1.0 μm 40 V CMOS工藝設計,通過Hspice完成了整體電路前仿真驗證和后仿真,仿真結果表明,振蕩電路的性能較好,可廣泛應用在PWM等各種電子電路中。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：kangqiaoyibie
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對整機應用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電，以保護CMOS器件不受損傷。
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：yupw24
