RTX中文版，相對其他RTOS上手比較快一些，推薦初學者或者有需要的。
標簽： RL-RTX_ARM_RTX 操作系統
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：旭521
模塊使用外部濾波器回路來抑制信號抖動和電磁干擾。濾波器回路由PLL接在濾波器輸入引腳PLLF和PLLF2之間的電阻Rl和電容Cl、C2組成。電容 Cl、C2必須為無極性電容。在不同的振蕩器頻率下，R1、Cl、C2的取值不同，常用的參數組合如表l所列。PLL模塊的電源引腳PLLVCCA分別通過磁珠和0.1μF的電容與數字電源引腳VDD和數字地引腳VSS連接，構成低通濾波電路，保證時鐘模塊的可靠供電。模塊使用外部濾波器回路來抑制信號抖動和電磁干擾。濾波器回路由PLL接在濾波器輸入引腳PLLF和PLLF2之間的電阻Rl和電容Cl、C2組成。電容 Cl、C2必須為無極性電容。在不同的振蕩器頻率下，R1、Cl、C2的取值不同，常用的參數組合如表l所列。PLL模塊的電源引腳PLLVCCA分別通過磁珠和0.1μF的電容與數字電源引腳VDD和數字地引腳VSS連接，構成低通濾波電路，保證時鐘模塊的可靠供電。
上傳時間： 2014-01-07
上傳用戶：ikemada
RC/RL/LC電路的時間常數計算公式,主要用于電路設計時的RCL參數計算
上傳時間： 2016-09-22
上傳用戶：924484786
This is an Real-Time Library (RL-ARM) Flash File System file manipulation example.
標簽： manipulation Real-Time Library example
上傳時間： 2014-11-29
上傳用戶：youlongjian0
一個CHM文件 里面用中文說明了KEIL MDK RL下面的各個函數的用法，E文不好，KEIL ARM又常使用的朋友，很方便。
上傳時間： 2013-06-03
上傳用戶：dhb717
基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任務應用設計 武漢理工大學 方安平 武永誼 摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并給出了一個簡單的多任務應用設計。 關鍵詞：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB 1 MDK RL—RTX 和COrtex—M3 概述 MDK 開發套件源自德國Keil 公司，是ARM 公司目前最新推出的針對各種嵌入式處理器 的軟件開發工具。MDKRL—IUX 是一個實時操作系統(RTOS)內核，完全集成在MDK 編譯器中。廣泛應用于ARM7、ARM9 和Cortex-M3 設備中。它可以靈活解決多任務調度、維護和時序安排等問題。基于RL—I 訂X 的程序由標準的C 語言編寫，由Real—View 編譯器進行編譯。操作系統依附于C 語言使聲明函數更容易，不需要復雜的堆棧和變量結構配置，大大簡化了復雜的軟件設計，縮短了項目開發周期。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：Yue Zhong
分析并設計實現了一種基于磁耦合諧振的無線電能傳輸系統。介紹了無線電能傳輸技術，闡述了磁耦合諧振式無線電能傳輸技術原理及其優越性，分析了磁耦合諧振無線電能傳輸系統中傳輸距離d及負載阻值RL等相關參數對系統傳輸功率、效率的影響。對所提出的無線電能傳輸系統進行實驗測試，實驗結果表明，需綜合考慮上述相關參數，以達到傳輸效率、傳輸功率的最優化設計。同時驗證了理論分析的有效性。
上傳時間： 2014-01-04
上傳用戶：集美慧
提出一種虛擬阻抗模型的電流互感器飽和判別方法, 它可以有效地識別區內外故障因電流互感器( TA) 飽和對差動保護的影響。在電力系統的線路、母線、主設備等一些差動保護中, 區外故障時, 在大的短路電流作用下TA 飽和容易造成保護誤動。基于RL 模型的短數據窗算法可以測得保護安裝點的二次等效系統阻抗, 它可以等效到在系統故障增量模型中虛擬一條阻抗支路。區內外故障TA 飽和時, 該支路虛擬阻抗會發生明顯的變化。分析該阻抗在TA 飽和與否情況下的變化規律, 利用這種變化規律可以可靠、靈敏地判別出區內外故障TA 飽和, 是否閉鎖差動保護, 提高差動保護的可靠性。
上傳時間： 2013-12-11
上傳用戶：杜瑩12345
摘要:采用單片機C語言作為編程語言，介紹一種基于DEI1016的四發八收智能型ARINC429接rl板的嵌人式實時軟件設計方法;首先，簡單地介紹了單片機C語言和開發流程，再詳細地描述了軟件的各個功能模塊，最后總結了若干提高軟件實時性的編程技巧和要點，這種設計方法，充分發揮了C語言在模塊化、可讀性、可維護性和可移植性上的優勢，同時彌補了C語言執行效率不高的缺點。實踐證明，用單片機C語言編寫出的嵌人式軟件能很好地滿足接口板的高速數據傳輸功能的要求。關鍵詞:DEI1016;單片機;C語言;實時性
上傳時間： 2013-12-26
上傳用戶：CSUSheep
地彈的形成：芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。 簡單的構造如上圖的一個小“場景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感LG，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值，不過，通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。（很老的一個軟件，很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。）因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。（實際200M以上芯片IO電壓會比較低，多采用1.5－2.5V。）
標簽： 分
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：zhishenglu
