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RL-RTX_ARM_RTX

  • RL-RTX_ARM_RTX操作系統(tǒng)

    RTX中文版,相對其他RTOS上手比較快一些,推薦初學(xué)者或者有需要的。

    標(biāo)簽: RL-RTX_ARM_RTX 操作系統(tǒng)

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:旭521

  • 模塊使用外部濾波器回路來抑制信號抖動和電磁干擾。濾波器回路由PLL接在濾波器輸入引腳PLLF和PLLF2之間的電阻Rl和電容Cl、C2組成。電容 Cl、C2必須為無極性電容。在不同的振蕩器頻率下

    模塊使用外部濾波器回路來抑制信號抖動和電磁干擾。濾波器回路由PLL接在濾波器輸入引腳PLLF和PLLF2之間的電阻Rl和電容Cl、C2組成。電容 Cl、C2必須為無極性電容。在不同的振蕩器頻率下,R1、Cl、C2的取值不同,常用的參數(shù)組合如表l所列。PLL模塊的電源引腳PLLVCCA分別通過磁珠和0.1μF的電容與數(shù)字電源引腳VDD和數(shù)字地引腳VSS連接,構(gòu)成低通濾波電路,保證時鐘模塊的可靠供電。模塊使用外部濾波器回路來抑制信號抖動和電磁干擾。濾波器回路由PLL接在濾波器輸入引腳PLLF和PLLF2之間的電阻Rl和電容Cl、C2組成。電容 Cl、C2必須為無極性電容。在不同的振蕩器頻率下,R1、Cl、C2的取值不同,常用的參數(shù)組合如表l所列。PLL模塊的電源引腳PLLVCCA分別通過磁珠和0.1μF的電容與數(shù)字電源引腳VDD和數(shù)字地引腳VSS連接,構(gòu)成低通濾波電路,保證時鐘模塊的可靠供電。

    標(biāo)簽: PLLF2 PLLF 濾波器 電容

    上傳時間: 2014-01-07

    上傳用戶:ikemada

  • RC/RL/LC電路的時間常數(shù)計算公式,主要用于電路設(shè)計時的RCL參數(shù)計算

    RC/RL/LC電路的時間常數(shù)計算公式,主要用于電路設(shè)計時的RCL參數(shù)計算

    標(biāo)簽: RCL RC LC RL

    上傳時間: 2016-09-22

    上傳用戶:924484786

  • This is an Real-Time Library (RL-ARM) Flash File System file manipulation example.

    This is an Real-Time Library (RL-ARM) Flash File System file manipulation example.

    標(biāo)簽: manipulation Real-Time Library example

    上傳時間: 2014-11-29

    上傳用戶:youlongjian0

  • MDK—RLAM中文說明.rar

    一個CHM文件 里面用中文說明了KEIL MDK RL下面的各個函數(shù)的用法,E文不好,KEIL ARM又常使用的朋友,很方便。

    標(biāo)簽: RLAM MDK

    上傳時間: 2013-06-03

    上傳用戶:dhb717

  • 基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計

    基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計 武漢理工大學(xué) 方安平 武永誼 摘要:本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法,并給出了一個簡單的多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計。 關(guān)鍵詞:MDK RTX,Cortex,嵌入式,ARM, STM32F103VB 1 MDK RL—RTX 和COrtex—M3 概述 MDK 開發(fā)套件源自德國Keil 公司,是ARM 公司目前最新推出的針對各種嵌入式處理器 的軟件開發(fā)工具。MDKRL—IUX 是一個實時操作系統(tǒng)(RTOS)內(nèi)核,完全集成在MDK 編譯器中。廣泛應(yīng)用于ARM7、ARM9 和Cortex-M3 設(shè)備中。它可以靈活解決多任務(wù)調(diào)度、維護和時序安排等問題。基于RL—I 訂X 的程序由標(biāo)準(zhǔn)的C 語言編寫,由Real—View 編譯器進行編譯。操作系統(tǒng)依附于C 語言使聲明函數(shù)更容易,不需要復(fù)雜的堆棧和變量結(jié)構(gòu)配置,大大簡化了復(fù)雜的軟件設(shè)計,縮短了項目開發(fā)周期。

    標(biāo)簽: COrtex-M MDK RTX 多任務(wù)

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:Yue Zhong

  • 基于磁耦合諧振的無線電能傳輸系統(tǒng)的研究

    分析并設(shè)計實現(xiàn)了一種基于磁耦合諧振的無線電能傳輸系統(tǒng)。介紹了無線電能傳輸技術(shù),闡述了磁耦合諧振式無線電能傳輸技術(shù)原理及其優(yōu)越性,分析了磁耦合諧振無線電能傳輸系統(tǒng)中傳輸距離d及負載阻值RL等相關(guān)參數(shù)對系統(tǒng)傳輸功率、效率的影響。對所提出的無線電能傳輸系統(tǒng)進行實驗測試,實驗結(jié)果表明,需綜合考慮上述相關(guān)參數(shù),以達到傳輸效率、傳輸功率的最優(yōu)化設(shè)計。同時驗證了理論分析的有效性。

    標(biāo)簽: 磁耦合 無線電能傳輸 諧振

    上傳時間: 2014-01-04

    上傳用戶:集美慧

  • 基于虛擬阻抗模型的電流互感器飽和判據(jù)

    提出一種虛擬阻抗模型的電流互感器飽和判別方法, 它可以有效地識別區(qū)內(nèi)外故障因電流互感器( TA) 飽和對差動保護的影響。在電力系統(tǒng)的線路、母線、主設(shè)備等一些差動保護中, 區(qū)外故障時, 在大的短路電流作用下TA 飽和容易造成保護誤動。基于RL 模型的短數(shù)據(jù)窗算法可以測得保護安裝點的二次等效系統(tǒng)阻抗, 它可以等效到在系統(tǒng)故障增量模型中虛擬一條阻抗支路。區(qū)內(nèi)外故障TA 飽和時, 該支路虛擬阻抗會發(fā)生明顯的變化。分析該阻抗在TA 飽和與否情況下的變化規(guī)律, 利用這種變化規(guī)律可以可靠、靈敏地判別出區(qū)內(nèi)外故障TA 飽和, 是否閉鎖差動保護, 提高差動保護的可靠性。

    標(biāo)簽: 虛擬阻抗 模型 電流互感器

    上傳時間: 2013-12-11

    上傳用戶:杜瑩12345

  • ARINC429接口板的嵌入式實時軟件設(shè)計

    摘要:采用單片機C語言作為編程語言,介紹一種基于DEI1016的四發(fā)八收智能型ARINC429接rl板的嵌人式實時軟件設(shè)計方法;首先,簡單地介紹了單片機C語言和開發(fā)流程,再詳細地描述了軟件的各個功能模塊,最后總結(jié)了若干提高軟件實時性的編程技巧和要點,這種設(shè)計方法,充分發(fā)揮了C語言在模塊化、可讀性、可維護性和可移植性上的優(yōu)勢,同時彌補了C語言執(zhí)行效率不高的缺點。實踐證明,用單片機C語言編寫出的嵌人式軟件能很好地滿足接口板的高速數(shù)據(jù)傳輸功能的要求。關(guān)鍵詞:DEI1016;單片機;C語言;實時性

    標(biāo)簽: ARINC 429 接口板 嵌入式

    上傳時間: 2013-12-26

    上傳用戶:CSUSheep

  • 同地彈現(xiàn)象的分析和講解

    地彈的形成:芯片內(nèi)部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產(chǎn)生的根源,同時,地彈又是與芯片的負載情況密切相關(guān)的。下面結(jié)合圖介紹一下地彈現(xiàn)象的形成。 簡單的構(gòu)造如上圖的一個小“場景”,芯片A為輸出芯片,芯片B為接收芯片,輸出端和輸入端很近。輸出芯片內(nèi)部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關(guān),RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗,均設(shè)為20歐。GNDA為芯片A內(nèi)部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內(nèi)部的地要通過芯片內(nèi)的引線和管腳才能接到GNDPCB,所以就會引入一個小電感LG,假設(shè)這個值為1nH。CR為接收端管腳電容,這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值,不過,通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設(shè)A芯片只有一個輸出腳,現(xiàn)在Q輸出高電平,接收端的CR上積累電荷。當(dāng)Q輸出變?yōu)榈碗娖降臅r候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps,頻率為2GHz,Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。(很老的一個軟件,很多人已經(jīng)不懈于使用了。不過我個人比較依賴它,關(guān)鍵是建模,模型參數(shù)建立正確的話仿真結(jié)果還是很可靠的,這個小軟件幫我發(fā)現(xiàn)和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小,有比較長的歷史,也比較成熟,很容易上手。建議電子初入門的同學(xué)還是熟悉一下。)因為只關(guān)注下降沿,所以簡單的構(gòu)建下面一個電路。起初輸出高電平,10納秒后輸出低電平。為方便起見,高電平輸出設(shè)為3.3V,低電平是0V。(實際200M以上芯片IO電壓會比較低,多采用1.5-2.5V。)

    標(biāo)簽:

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:zhishenglu

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