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IT產(chǎn)業(yè)

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • X電容和Y電容

    X電容和Y電容的使用及注意方法

    標簽: X電容 Y電容

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:sevenbestfei

  • 介紹X,Y電容的通俗易懂的資料

    介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料

    標簽: 電容

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:teddysha

  • 100-15V TO 12V DCDC 原理圖 PCB BOM表

    高的工作電壓高達100V N雙N溝道MOSFET同步驅動 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.

    標簽: DCDC 100 12V BOM

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:wd450412225

  • FR-E500-CH變頻用戶手冊

    本內容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

    標簽: FR-E 500 CH 用戶手冊

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:xhz1993

  • DN457寬輸入電壓范圍同步降壓穩壓器

      The LTC®3610 is a high power monolithic synchronousstep-down DC/DC regulator that can deliver up to 12Aof continuous output current from a 4V to 24V (28Vmaximum) input supply. It is a member of a high currentmonolithic regulator family (see Table 1) that featuresintegrated low RDS(ON) N-channel top and bottomMOSFETs. This results in a high effi ciency and highpower density solution with few external components.This regulator family uses a constant on-time valleycurrent mode architecture that is capable of operatingat very low duty cycles at high frequency and with veryfast transient response. All are available in low profi le(0.9mm max) QFN packages.

    標簽: 457 DN 同步降壓

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:moerwang

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