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發(fā)射接收對管

  • 2SJ系列場效應管參數大全

    2SJ系列場效應管參數大全:

    標簽: 2SJ 場效應管 參數大全

    上傳時間: 2013-11-24

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  • 低噪聲放大器(LNA)

    LNA的功能和指標二端口網絡的噪聲系數Bipolar LNAMOS LNA非準靜態(NQS)模型和柵極感應噪聲CMOS最小噪聲系數和最佳噪聲匹配參考文獻LNA 的功能和指標• 第一級有源電路,其噪聲、非線性、匹配等性能對整個接收機至關重要• 主要指標– 噪聲系數(NF)取決于系統要求,可從1 dB 以下到好幾個dB, NF與工作點有關– 增益(S21)較大的增益有助于減小后級電路噪聲的影響,但會引起線性度的惡化– 輸入輸出匹配(S11, S22)決定輸入輸出端的射頻濾波器頻響– 反向隔離(S12)– 線性度(IIP3, P1dB)未經濾除的干擾信號可通過互調(Intermodulation) 等方式使接收質量降低

    標簽: LNA 低噪聲放大器

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:xaijhqx

  • 三極管代換手冊下載

    三極管代換手冊下載 前言 使用說明 三極管對照表 A B C D E F G H K L M …… 外形與管腳排列圖

    標簽: 三極管 代換手冊

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:zjf3110

  • 射頻電路PCB設計

    射頻電路PCB設計

    標簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2014-01-13

    上傳用戶:a1054751988

  • 單管放大_從原理圖到PCB

    運用PROTEL DXP 2004設計的項目“單管放大”視頻教學,完整展現了從原理圖到PCB的過程

    標簽: PCB 單管放大 原理圖

    上傳時間: 2013-11-25

    上傳用戶:龍飛艇

  • 創建PCB元件管腳封裝

    創建PCB元件管腳封裝

    標簽: PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:chenjjer

  • 射頻電路PCB設計中注意問題

      PCB 設計對于電路設計而言越來越重要。但不少設計者往往只注重原理設計,而對PCB 板的設計布局考慮不多,因此在完成的電路設計中常會出現EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發,闡述了射頻電路PCB 設計中需要注意的一些問題。

    標簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:jiangxiansheng

  • protel 99se進行射頻電路PCB設計的流程

    介紹了采用protel 99se進行射頻電路pcb設計的設計流程為了保證電路的性能。在進行射頻電路pcb設計時應考慮電磁兼容性,因而重點討論了元器件的布局與布線原則來達到電磁兼容的目的.關鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標簽: protel PCB 99 se

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:竺羽翎2222

  • Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應用:阻抗匹配.下面以一個電路設計為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設計),其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度,低8bit還經過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高,設計過程中我們需要考慮DRAM的數據、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數據線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導入主芯片DSP的數據線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志,出現未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術論壇 http://www.elecfans.com 電子發燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數據線對應管腳和3245的對應管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板,在表層走線,所以要選用“Microstrip”,然后點“Value”進行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch,對線長為1.7inch)?,F在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭:為發現更多的信息,我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M,數據單沿采樣,數據翻轉最高頻率為66.7M,對應位寬為7.58ns。所以設置參數如下:之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關心的是接收端(DRAM)信號,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數據線沒有串阻可以滿足設計要求,而其他的56位都是一對一,經過仿真沒有串阻也能通過。于是數據線不加串阻可以滿足設計要求,但有一點需注意,就是寫數據時因為存在回沖,DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調試過程中發現寫RAM會出錯,還需要改版加串阻。

    標簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:dudu121

  • 開關電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結合功率MOSFET管不同的失效形態,論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式,并說明了產生這樣的損壞形態的原因,也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別,從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后,結合實際應用,論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標簽: MOSFET 開關電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

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