PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn) 一.PCB工藝限制 1)線 一般情況下,線與線之間和線與焊盤(pán)之間的距離大于等于13mil,實(shí)際應(yīng)用中,條件允許時(shí)應(yīng)考慮加大距離;布線密度較高時(shí),可考慮但不建議采用IC腳間走兩根線,線的寬度為10mil,線間距不小于10mil。特殊情況下,當(dāng)器件管腳較密,寬度較窄時(shí),可按適當(dāng)減小線寬和線間距。 2)焊盤(pán) 焊盤(pán)與過(guò)渡孔的基本要求是:盤(pán)的直徑比孔的直徑要大于0.6mm;例如,通用插腳式電阻、電容和集成電路等,采用盤(pán)/孔尺寸 1.6mm/0.8mm(63mil/32mil),插座、插針和二極管1N4007等,采用1.8mm/1.0mm(71mil/39mil)。實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)實(shí)際元件的尺寸來(lái)定,有條件時(shí),可適當(dāng)加大焊盤(pán)尺寸;PCB板上設(shè)計(jì)的元件安裝孔徑應(yīng)比元件管腳的實(shí)際尺寸大0.2~0.4mm左右。 3)過(guò)孔 一般為1.27mm/0.7mm(50mil/28mil);當(dāng)布線密度較高時(shí),過(guò)孔尺寸可適當(dāng)減小,但不宜過(guò)小,可考慮采用1.0mm/0.6mm(40mil/24mil)。 二.網(wǎng)表的作用 網(wǎng)表是連接電氣原理圖和PCB板的橋梁。是對(duì)電氣原理圖中各元件之間電氣連接的定義,是從圖形化的原理圖中提煉出來(lái)的元件連接網(wǎng)絡(luò)的文字表達(dá)形式。在PCB制作中加載網(wǎng)絡(luò)表,可以自動(dòng)得到與原理圖中完全相
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上傳時(shí)間: 2014-12-03
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討論、研究高性能覆銅板對(duì)它所用的環(huán)氧樹(shù)脂的性能要求,應(yīng)是立足整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的角度去觀察、分析。特別應(yīng)從HDI多層板發(fā)展對(duì)高性能CCL有哪些主要性能需求上著手研究。HDI多層板有哪些發(fā)展特點(diǎn),它的發(fā)展趨勢(shì)如何——這都是我們所要研究的高性能CCL發(fā)展趨勢(shì)和重點(diǎn)的基本依據(jù)。而HDI多層板的技術(shù)發(fā)展,又是由它的應(yīng)用市場(chǎng)——終端電子產(chǎn)品的發(fā)展所驅(qū)動(dòng)(見(jiàn)圖1)。 圖1 在HDI多層板產(chǎn)業(yè)鏈中各類(lèi)產(chǎn)品對(duì)下游產(chǎn)品的性能需求關(guān)系圖 1.HDI多層板發(fā)展特點(diǎn)對(duì)高性能覆銅板技術(shù)進(jìn)步的影響1.1 HDI多層板的問(wèn)世,對(duì)傳統(tǒng)PCB技術(shù)及其基板材料技術(shù)是一個(gè)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)20世紀(jì)90年代初,出現(xiàn)新一代高密度互連(High Density Interconnection,簡(jiǎn)稱(chēng)為 HDI)印制電路板——積層法多層板(Build—Up Multiplayer printed board,簡(jiǎn)稱(chēng)為 BUM)的最早開(kāi)發(fā)成果。它的問(wèn)世是全世界幾十年的印制電路板技術(shù)發(fā)展歷程中的重大事件。積層法多層板即HDI多層板,至今仍是發(fā)展HDI的PCB的最好、最普遍的產(chǎn)品形式。在HDI多層板之上,將最新PCB尖端技術(shù)體現(xiàn)得淋漓盡致。HDI多層板產(chǎn)品結(jié)構(gòu)具有三大突出的特征:“微孔、細(xì)線、薄層化”。其中“微孔”是它的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)中核心與靈魂。因此,現(xiàn)又將這類(lèi)HDI多層板稱(chēng)作為“微孔板”。HDI多層板已經(jīng)歷了十幾年的發(fā)展歷程,但它在技術(shù)上仍充滿(mǎn)著朝氣蓬勃的活力,在市場(chǎng)上仍有著前程廣闊的空間。
標(biāo)簽: 性能 發(fā)展趨勢(shì) 覆銅板 環(huán)氧樹(shù)脂
上傳時(shí)間: 2013-11-22
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我是專(zhuān)業(yè)做PCB的,在線路板災(zāi)個(gè)行業(yè)呆久了,看到了上百家公司設(shè)計(jì)的PCB板,各行各業(yè)的,如有空調(diào)的,液晶電視的,DVD的,數(shù)碼相框的,安防的等等,因此我從我所站的角度來(lái)說(shuō),就覺(jué)得有些PCB文件設(shè)計(jì)得好,有些PCB文件設(shè)計(jì)則不是那么理想,標(biāo)準(zhǔn)就是怎能么樣PCB廠的工程人員看得一目了然,而不產(chǎn)生誤解,導(dǎo)致做錯(cuò)板子,下面我會(huì)從PCB的制作流程來(lái)說(shuō),說(shuō)的不好,請(qǐng)各位多多包涵!1 制作要求對(duì)于板材 板厚 銅厚 工藝 阻焊/字符顏色等要求清晰。以上要求是制作一個(gè)板子的基礎(chǔ),因此R&D工程師必須寫(xiě)清晰,這個(gè)在我所接觸的客戶(hù)來(lái)看,格力是做得相對(duì)好的,每個(gè)文件的技術(shù)要求都寫(xiě)得很清晰,哪怕就是平時(shí)我們認(rèn)為最正常的用綠色阻焊油墨白色字符都寫(xiě)在技術(shù)要求有體現(xiàn),而有些客戶(hù)則是能免則免,什么都不寫(xiě),就發(fā)給廠家打樣生產(chǎn),特別是有些廠家有些特別的要求都沒(méi)有寫(xiě)出來(lái),導(dǎo)致廠家在收到郵件之后,第一件事情就是要咨詢(xún)這方面的要求,或者有些廠家最后做出來(lái)的不符要求。2 鉆孔方面的設(shè)計(jì) 最直接也是最大的問(wèn)題,就是最小孔徑的設(shè)計(jì),一般板內(nèi)的最小孔徑都是過(guò)孔的孔徑,這個(gè)是直接體現(xiàn)在成本上的,有些板的過(guò)孔明明可以設(shè)計(jì)為0.50MM的孔,即只放0.30MM,這樣成本就直接大幅上升,廠家成本高了,就會(huì)提高報(bào)價(jià);另外就是過(guò)孔太多,有些DVD以及數(shù)碼相框上面的過(guò)孔真的是整板都放滿(mǎn)了,動(dòng)不動(dòng)就1000多孔,做過(guò)太多這方面的板,認(rèn)為正常應(yīng)該在500-600孔,當(dāng)然有人會(huì)說(shuō)過(guò)孔多對(duì)板子的信號(hào)導(dǎo)通方面,以及散熱方面有好處,我認(rèn)為這就要取一個(gè)平衡,在控制這些方面的同時(shí)還要不會(huì)導(dǎo)致成本上升,我在這里可以說(shuō)個(gè)例子:我們公司有個(gè)客戶(hù)是深圳做DVD的,量很大,在最開(kāi)始合作的時(shí)候也是以上這種情況,后來(lái)成本對(duì)雙方來(lái)說(shuō),實(shí)在是個(gè)大問(wèn)題,經(jīng)過(guò)與 R&D溝通,將過(guò)孔的孔徑盡量加大,刪除大銅皮上的部分過(guò)孔,像主IC中間的散熱孔用4個(gè)3.00MM的孔代替, 這樣一來(lái),鉆孔的費(fèi)用就降低了,一平方就可以降幾十塊錢(qián)的鉆孔費(fèi),對(duì)于雙方來(lái)說(shuō)達(dá)到了雙贏;另外就是一些槽孔,比如說(shuō)1.00MM X 1.20MM的超短槽孔,對(duì)于廠家來(lái)說(shuō),真的是非常之難做,第一很難控制公差,第二鉆也來(lái)的槽也不是直的,有些彎曲,以前我們也做過(guò)部分這樣的板子,結(jié)果幾毛錢(qián)人民幣的板,由于槽孔不合格,扣款1美金/塊,我們也與客戶(hù)溝通過(guò)這方面的問(wèn)題,后來(lái)就直接改用1.20MM的圓孔。
標(biāo)簽: PCB
上傳時(shí)間: 2013-10-10
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第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱(chēng)為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時(shí)也被稱(chēng)為SDRAM II。DDR 的全稱(chēng)是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加,只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽: DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
上傳時(shí)間: 2014-01-13
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詳細(xì)介紹尖峰吸收電路各元器件的設(shè)計(jì)要求,希望對(duì)大家有幫助
標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 尖峰 吸收電路
上傳時(shí)間: 2013-10-26
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IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT,只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng),通過(guò)dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)和逆變的功能,同時(shí)只需要提供3.3 V,12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作,在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。
標(biāo)簽: 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路
上傳時(shí)間: 2014-01-05
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隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,終端產(chǎn)品的功耗也越來(lái)越大,因此待機(jī)時(shí)間就成為產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制,不能簡(jiǎn)單地通過(guò)不斷增加單節(jié)鋰電池容量來(lái)延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間,因此主電池+備電池的雙電池供電方案不啻成為延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間的優(yōu)選方案。本文介紹了基于充電管理芯片bq24161 以及ORing 控制芯片TPS2419 的雙電池供電方案的設(shè)計(jì),文中分析了雙電池供電方案的設(shè)計(jì)要求,給出了設(shè)計(jì)框圖以及原理圖,在此基礎(chǔ)上分析了充電管理電路、ORing 電路的具體設(shè)計(jì)方法,并且詳細(xì)分析了各部分電路的工作原理。基于所設(shè)計(jì)的電路,對(duì)其供電可靠性等性能指標(biāo)進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試內(nèi)容包括在靜態(tài)負(fù)載電流以及動(dòng)態(tài)負(fù)載電流條件下,備電插入、拔出過(guò)程中對(duì)系統(tǒng)供電可靠性的測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明:該方案能夠在備電插入、拔出過(guò)程中保證系統(tǒng)供電的可靠性,并且能夠?qū)Τ潆姽芾黼娐愤M(jìn)行靈活管理,是一個(gè)適合于多種終端設(shè)備的雙電池供電解決方案。
上傳時(shí)間: 2014-12-24
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本文主要研究了一種比較簡(jiǎn)單的正弦輸出的逆變器的設(shè)計(jì)。本設(shè)計(jì)采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設(shè)計(jì)方法來(lái)獲得較大的輸出功率和較高的功率因數(shù).在直流升壓過(guò)程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來(lái)控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,進(jìn)而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓,再利用SPWM調(diào)制信號(hào)控制逆變器開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷,再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分,得到正弦波形,最后利用保護(hù)控制電路使逆變輸出一個(gè)穩(wěn)定的滿(mǎn)足要求的交流波形。
上傳時(shí)間: 2013-10-20
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配;設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,實(shí)用性強(qiáng),響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明,該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
標(biāo)簽: MOSFET 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路
上傳時(shí)間: 2013-12-18
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電容器作為基本元件在電子線路中起著重要作用,在傳統(tǒng)的應(yīng)用中,電容器主要用作旁路耦合、電源濾波、隔直以及小信號(hào)中的振蕩、延時(shí)等。以上電路對(duì)電容器參數(shù)的主要要求有:電容量;額定電壓;正切損耗;漏電流等,對(duì)其它參數(shù)沒(méi)有過(guò)多的要求。 隨著電子線路,特別是電力電子電路的發(fā)展對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)合的電容器提出了不同的特殊要求。
上傳時(shí)間: 2013-10-13
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