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畢業(yè)論文的相關(guān)要求

  • 基于FPGA的PCI總線接口的設計方案

    基于FPGA的PCI總線接口的設計方案\r\n~！

    標簽： FPGA PCI 總線接口 設計方案

    上傳時間： 2013-09-01

    上傳用戶：heart520beat

  • RSA密碼芯片的FPGA實現

    RSA密碼芯片的FPGA實現\r\n請有需要的人來下載

    標簽： FPGA RSA 密碼芯片

    上傳時間： 2013-09-01

    上傳用戶：tangsiyun

  • VHDL語言編寫的FIR濾波器源碼

    VHDL語言編寫的FIR濾波器源碼\r\n對于嵌入式設計者有很好的指導作用\r\n

    標簽： VHDL FIR 語言 編寫

    上傳時間： 2013-09-03

    上傳用戶：kaje

  • 一個不錯的cadence教程

    這個是一個不錯的cadence教程\r\n 這個是一個不錯的cadence教程\r\n這個是一個不錯的cadence教程

    標簽： cadence 教程

    上傳時間： 2013-09-05

    上傳用戶：zhulei420

  • 在Allegro中等長設置的高級應用-Memory部分等長設置

    在Allegro中等長設置的高級應用\r\n――Memory部分等長設置

    標簽： Allegro Memory 等長設置 分

    上傳時間： 2013-09-06

    上傳用戶：VRMMO

  • 用PROTEL DXP電路板設計的一般原則

    新手指導\r\n--用PROTEL DXP電路板設計的一般原則\r\n電路板設計的一般原則包括：電路板的選用、電路板尺寸、元件布局、布線、焊盤、填充、跨接線等。\r\n

    標簽： PROTEL DXP 電路板設計

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：jyycc

  • Altium.Designer提高教程

    Altium.Designer提高教程，絕對中文版，對不想看E文的人來說真是福音啊！

    標簽： Designer Altium 教程

    上傳時間： 2013-09-12

    上傳用戶：xanxuan

  • Protel99se鼠標中鍵功能的工具

    說明：\r\n 本軟件是增強Protel99se鼠標中鍵功能的工具。\r\n 1. 上下滾動滾輪，屏幕縮放相當于PageUp,PageDown的功能\r\n 2. 按下滾輪，切換有效圖層并刷新相當于小鍵盤 * 的功能\r\n 3. 按住左鍵拖動器件再按右鍵可旋轉，相當于\"TAB\"的功能\r\n 4. 將本軟件(含Hook.dll)放到Protel99se安裝目錄,運行時會自動啟動Protel99se\r\n 5. 仿照“Protel99se鼠標增強軟件”(www.zsmcu.com)設計,因我運行她后

    標簽： Protel 99 se 鼠標

    上傳時間： 2013-09-14

    上傳用戶：問題問題

  • Protel99se SDK

    Protel99se SDK\r\n\r\nProtel向用戶提供SDK軟件包。SDK軟件包包括：服務器生成向導和Protel API及相關文檔資料。\r\n\r\n 服務器生成向導是一個運行于設計資源管理器的插入式服務器，它為用戶生成第三方EDA軟件模板的原代碼和安裝文件（.INS文件），安裝文件用于將用戶開發的第三方EDA軟件安裝在設計資源管理器平臺上。服務器生成向導可以為用戶生成兩種格式的原代碼：Delphi和C++ Builder。\r\n\r\n為方便用戶開發第三方EDA軟件，Protel向用戶

    標簽： Protel SDK 99 se

    上傳時間： 2013-09-18

    上傳用戶：txfyddz

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽： CoolMOS VDMOS 導通電阻 分

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：1427796291

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