專輯類-元器件樣本專輯-116冊-3.03G 力源產(chǎn)品目錄-22.2.zip
標簽： zip 22 產(chǎn)品目錄
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：xinyuzhiqiwuwu
專輯類-數(shù)字處理及顯示技術專輯-106冊-9138M 液晶的最新技術—物性.材料.應用-350頁-8.2M.pdf
上傳時間： 2013-06-12
上傳用戶：xcy122677
專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M 金屬材料國標合集-上-568頁-22.2M.pdf
上傳時間： 2013-07-14
上傳用戶：完瑪才讓
專輯類-國標類相關專輯-313冊-701M 金屬材料國標合集-下-723頁-26.8M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：小楊高1
盤式永磁同步電動機是近年來發(fā)展起來的新型結構高性能伺服電動機，具有軸向尺寸短、重量輕、體積小、結構緊湊等特點。可以制成多定子多轉子交錯組成的多盤式結構，進一步提高轉矩，特別適合于機器人和大力矩直接驅(qū)動裝置。同時由于結構原因，盤式電機的徑向尺寸受到一定限制，半徑太大會增加加工工藝的難度，有時相關的尺寸數(shù)據(jù)難以保證，為提高電機的輸出功率，一般采用多盤式結構。 目前永磁電機正向著大功率化、高功能化和微型化方向發(fā)展，其中高力能密度和高效率是對各類永磁電機設計所提出的共同要求。本文本著提高電機的輸出功率的目的，在總結各種盤式永磁同步電機的結構、特點的基礎上提出了一種新型的基于Halbach陣列的多盤式無鐵心永磁同步電動機，從提高電機的功率密度入手，將無鐵心結構和Halbach型永磁體陣列應用到其中。利用釹鐵硼永磁材料高矯頑力的優(yōu)異特性以及Halbach陣列的高聚磁作用來提高電機氣隙磁密，使無鐵心電機變成可能，同時Halbach陣列使軛部的磁通減小，可相應少用或不用軛部。電機重量因此可以大幅度下降，在一定程度上也可降低電機的成本。
上傳時間： 2013-07-06
上傳用戶：talenthn
提供amr nb的程序和demo，是變速率語音編碼學習的一種材料
上傳時間： 2013-06-14
上傳用戶：wendy15
高中壓斷路器是電力系統(tǒng)中最重要的開關設備，用高中壓斷路器保護電力系統(tǒng)至今已經(jīng)歷了一段漫長歷史。從最初的油斷路器發(fā)展到壓縮空氣斷路器，再到目前作為無油化開關的真空斷路器和SF6斷路器。其中真空斷路器以其小型化和高可靠性等優(yōu)點，已在高中壓領域得到愈來愈廣泛的應用。作為真空斷路器的核心部件，真空滅弧室的研究和開發(fā)顯得尤為重要。 真空滅弧室的小型化是國外關注的問題，我國很多相關的研究所和高等院校都曾作過不少研制工作，研究的方向是采用各種縱向磁場結構電極的真空滅弧室和尋求新的觸頭材料。由于縱向磁場結構的電極開斷能力強，在額定短路開斷電流、設計裕度和工藝水平相同的情況下，縱向磁場的電極比橫向磁場的電極小得多。因此，采用縱向磁場結構電極的真空滅弧室可以縮小整體尺寸。 本設計從真空滅弧室的具體模型出發(fā)，應用ANSYS8.1的電磁場分析軟件，對600A的真空滅弧室觸頭間的縱磁場進行計算與分析，可得到接近實際的動、靜觸頭電流流向矢量分布圖，線圈磁感應強度與線圈幾何尺寸的關系，觸頭開距對磁場分布的影響及電弧在不同位置時的受力分析等。由不同線圈截面積與縱磁磁場強度的關系分布，可得出在分斷電流不變的情況下，線圈愈小磁場強度愈強。由觸頭開距與磁場強度的關系，可見觸頭間距越小，兩觸頭間越能獲得較大的磁感應強度。對真空滅弧室極問磁場分布以及電弧在觸頭上不同位置受力進行分析，結果表明隨著磁感應強度變小，電弧受力也相對的變小。 通過ANSYS仿真分析，為真空斷路器滅弧室的設計提供了比較準確的數(shù)據(jù)資料。進而使產(chǎn)品的設計、開發(fā)建立在較為科學的基礎上，為產(chǎn)品實際研制提供理論依據(jù)。
上傳時間： 2013-06-20
上傳用戶：dba1592201
準確計算電機鐵耗一直是困擾電機設計者的一個難題。傳統(tǒng)方法是假設電機內(nèi)部磁場僅是交變磁化的，根據(jù)鐵磁材料在交變磁化條件下測量的數(shù)據(jù)，計算電機齒部和軛部由基波磁場造成的損耗，對于計算值與實測值之間的誤差通過經(jīng)驗系數(shù)來修正。這種方法對于已經(jīng)長期制造和使用的電機而言勉強適用，對于近年來發(fā)展很快的永磁電機、高速電機和其他新結構電機，由于缺乏合適的經(jīng)驗系數(shù)，導致此方法難以適用。眾多研究人員的成果已經(jīng)證明電機的鐵耗有相當一部分是由旋轉磁化導致的，因此顧及旋轉磁化的電機鐵耗計算模型是本文的一個重要內(nèi)容。 本文從鐵磁材料的鐵耗入手，先研究鐵磁材料在交變磁化和旋轉磁化方式下的計算和測量方法，目的是得到鐵耗分立模型中磁滯損耗、渦流損耗和異常損耗的計算系數(shù)。本文提出并實現(xiàn)了數(shù)字式的25cm愛潑斯坦方圈測試系統(tǒng)，它可以測量在任何頻率和波形電源供電下硅鋼片的損耗，本文還在二維鐵耗測試系統(tǒng)中對硅鋼片在圓形旋轉磁化條件下的損耗進行了測量。結果表明，在同樣頻率和磁密的條件下，旋轉磁化下的損耗要比交變磁化下的損耗大。本文提出了基于磁密軌跡的電機鐵耗計算模型，它只采用較容易獲得的交變磁化損耗系數(shù)，但又能顧及到旋轉磁化帶來的影響。通過實際電機的計算和測試，表明軌跡法的計算結果在未經(jīng)任何系數(shù)修正的情況下就具有很好的精度，適合推廣使用。 軟磁復合材料是一種新型的粉末金屬材料，它具有渦流損耗小和易制造成具有復雜結構電機等特點。為了探索這種材料在高頻領域中的應用和驗證本文提出的鐵耗計算模型，本文成功地設計和制造了一臺采用軟磁復合材料的爪極式永磁電機，由于結構復雜，本文通過三維有限元分析，對該電機的磁通、磁鏈、電感、轉矩和鐵耗等參數(shù)和性能的計算提出了計算方法。對該種電機的熱分析，本文提出了熱網(wǎng)絡法和磁熱耦合有限元法。由于鐵耗在高速電機總損耗中占有很大比例，因此在有限元方法中，本文通過映射剖分法，使磁場和熱場模型中的單元總數(shù)、大小和順序保持完全一致，軌跡法計算得到的各單元鐵耗直接耦合進熱場進行計算，得到了電機準確的溫度分布。本文還進行了高速電機轉子的模態(tài)分析，合理地調(diào)整轉子的直徑、長度和軸承位置，使轉子的自然共振頻率遠離電機的工作頻率范圍。本文構建了一測試平臺對樣機進行了發(fā)電機狀態(tài)測試，并通過假轉子法測量了電機鐵耗，實驗結果證明了本文所用方法的可行性，得到的結論對軟磁復合材料的應用及爪極式電機的設計與分析都具有很好的參考價值。
上傳時間： 2013-06-27
上傳用戶：hjshhyy
微機電系統(tǒng)（MEMS）器件的構成涉及微電子、微機械、微動力、微熱力、微流體學、材料、物理、化學、生物等多個領域，形成了多能量域并交叉耦合。為其產(chǎn)品的建模、仿真以及優(yōu)化設計帶來了較大的難度。由于靜電驅(qū)動的原理簡單使其成為MEMS器件中機械動作的主要來源。而梳齒結構在MEMS器件中有廣泛的應用：微諧振器、微機械加速度計、微機械陀螺儀、微鏡、微鑷、微泵等。所以做為MEMS的重要驅(qū)動方式和結構形式，靜電驅(qū)動梳齒結構MEMS器件的耦合場仿真分析以及優(yōu)化設計對MEMS的開發(fā)具有很重要的意義。本課題的研究對靜電驅(qū)動梳齒結構MEMS器件的設計具有較大的理論研究意義。 本文的研究工作主要包括以下幾個方面： 1、采用降階宏建模技術快速求解靜電梳齒驅(qū)動器靜電－結構耦合問題，降階建模被用于表示微諧振器的靜態(tài)動態(tài)特性。論文采用降階建模方法詳細分析了靜電梳齒驅(qū)動器的各參數(shù)對所產(chǎn)生靜電力以及驅(qū)動位移的關系；并對靜電梳齒驅(qū)動器梳齒電容結構的靜電場進行分析和模擬，深入討論了邊緣效應的影響；還對微諧振器動態(tài)特性的各個模態(tài)進行仿真分析，并計算分析了前六階模態(tài)的頻率和諧振幅值。仿真結果表明降階建模方法能夠快速、準確地實現(xiàn)多耦合域的求解。 2、從系統(tǒng)角度出發(fā)考慮了各個子系統(tǒng)對叉指式微機械陀螺儀特性的影響，系統(tǒng)詳細地分析了與叉指狀微機械陀螺儀性能指標－靈敏度密切相關的結構特性、電子電路、加工工藝和空氣阻尼，并在此分析的基礎上建立了陀螺的統(tǒng)一多學科優(yōu)化模型并對其進行多學科優(yōu)化設計。將遺傳算法和差分進化算法的全局尋優(yōu)與陀螺儀系統(tǒng)級優(yōu)化相結合，證實了遺傳算法和差分進化算法在MEMS系統(tǒng)級優(yōu)化中的可行性，并比較遺傳算法和差分進化算法的優(yōu)化結果，差分進化算法的優(yōu)化結果較大地改善了器件的性能。 3、從系統(tǒng)角度出發(fā)考慮了各個子系統(tǒng)對梳齒式微加速度計特性的影響，在對梳齒式微加速度計各個學科的設計要素進行分析的基礎上，對各個子系統(tǒng)分別建立相對獨立的優(yōu)化模型，采用差分進化算法和多目標遺傳算法對其進行優(yōu)化設計。證實了差分進化算法和多目標遺傳算法對多個子系統(tǒng)耦合的系統(tǒng)級優(yōu)化的可行性，并比較了將多目標轉換為單目標進行優(yōu)化和采用多目標進行優(yōu)化的區(qū)別和結果，優(yōu)化結果使器件的性能得到了改善。
上傳時間： 2013-05-15
上傳用戶：zhangjinzj
有機發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現(xiàn)柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機構和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發(fā)光機理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
上傳用戶：liuwei6419
