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多任務(wù)系統(tǒng)(tǒng)

  • 多反饋濾波器學(xué)習(xí)筆記

    多反饋濾波器是一種流行的濾波器結(jié)構(gòu),以運(yùn)算放大器作為積分器,如圖1所示。因而,其傳遞函數(shù)對(duì)運(yùn)算放大器參數(shù)的依賴(lài)度高于Sallen-Key設(shè)計(jì)。

    標(biāo)簽: 反饋濾波器

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶(hù):robter

  • 多路復(fù)用器、模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)指南

    多路復(fù)用器、模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)指南

    標(biāo)簽: 多路復(fù)用器 模擬開(kāi)關(guān) 設(shè)計(jì)指南

    上傳時(shí)間: 2013-11-22

    上傳用戶(hù):guojin_0704

  • CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

    為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì),整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì),并在一款多功能數(shù)字芯片上使用,版圖面積為1 mm×1 mm,并參與MPW(多項(xiàng)目晶圓)計(jì)劃流片,流片測(cè)試結(jié)果表明,在輸出負(fù)載很大時(shí),本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 多功能 數(shù)字芯片

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶(hù):小鵬

  • ISA總線(xiàn)多通道控制電路方案

    該電路集成了16路光耦隔離輸入電路和8路繼電器輸出電路,可在ISA總線(xiàn)的控制下完成數(shù)據(jù)信號(hào)、指令信號(hào)和電源信號(hào)的輸入輸出。實(shí)際應(yīng)用結(jié)果表明,該多通道控制電路的信號(hào)分配傳輸頻率可達(dá)6.5 MHz,完全達(dá)到設(shè)計(jì)要求;該電路按國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)定型,在測(cè)試領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: ISA 總線(xiàn) 多通道 控制電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶(hù):zhangfx728

  • 多制式數(shù)字視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換電路的開(kāi)發(fā)實(shí)踐

      介紹了多制式數(shù)字視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換電路的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)。其主要功能是對(duì)模擬視頻信號(hào)進(jìn)行解碼和數(shù)字化,并作隔行/逐行轉(zhuǎn)換、尺度變換、幀頻轉(zhuǎn)換等處理,同時(shí)為PDP整機(jī)提供行、場(chǎng)同步信號(hào)以及消隱和時(shí)鐘信號(hào)等。

    標(biāo)簽: 制式 數(shù)字視頻信號(hào) 實(shí)踐 轉(zhuǎn)換電路

    上傳時(shí)間: 2013-12-16

    上傳用戶(hù):nanshan

  • 基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì)

    基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì) 武漢理工大學(xué) 方安平 武永誼 摘要:本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法,并給出了一個(gè)簡(jiǎn)單的多任務(wù)應(yīng)用設(shè)計(jì)。 關(guān)鍵詞:MDK RTX,Cortex,嵌入式,ARM, STM32F103VB 1 MDK RL—RTX 和COrtex—M3 概述 MDK 開(kāi)發(fā)套件源自德國(guó)Keil 公司,是ARM 公司目前最新推出的針對(duì)各種嵌入式處理器 的軟件開(kāi)發(fā)工具。MDKRL—IUX 是一個(gè)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)內(nèi)核,完全集成在MDK 編譯器中。廣泛應(yīng)用于ARM7、ARM9 和Cortex-M3 設(shè)備中。它可以靈活解決多任務(wù)調(diào)度、維護(hù)和時(shí)序安排等問(wèn)題。基于RL—I 訂X 的程序由標(biāo)準(zhǔn)的C 語(yǔ)言編寫(xiě),由Real—View 編譯器進(jìn)行編譯。操作系統(tǒng)依附于C 語(yǔ)言使聲明函數(shù)更容易,不需要復(fù)雜的堆棧和變量結(jié)構(gòu)配置,大大簡(jiǎn)化了復(fù)雜的軟件設(shè)計(jì),縮短了項(xiàng)目開(kāi)發(fā)周期。

    標(biāo)簽: COrtex-M MDK RTX 多任務(wù)

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶(hù):Yue Zhong

  • 時(shí)鐘分相技術(shù)應(yīng)用

    摘要: 介紹了時(shí)鐘分相技術(shù)并討論了時(shí)鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的作用。 關(guān)鍵詞: 時(shí)鐘分相技術(shù); 應(yīng)用 中圖分類(lèi)號(hào): TN 79  文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A   文章編號(hào): 025820934 (2000) 0620437203 時(shí)鐘是高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一, 系統(tǒng)時(shí)鐘的性能好壞, 直接影響了整個(gè)電路的 性能。尤其現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)性能的越來(lái)越高的要求, 迫使我們集中更多的注意力在更高頻率、 更高精度的時(shí)鐘設(shè)計(jì)上面。但隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的升高。我們的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將面臨一系列的問(wèn) 題。 1) 時(shí)鐘的快速電平切換將給電路帶來(lái)的串?dāng)_(Crosstalk) 和其他的噪聲。 2) 高速的時(shí)鐘對(duì)電路板的設(shè)計(jì)提出了更高的要求: 我們應(yīng)引入傳輸線(xiàn)(T ransm ission L ine) 模型, 并在信號(hào)的匹配上有更多的考慮。 3) 在系統(tǒng)時(shí)鐘高于100MHz 的情況下, 應(yīng)使用高速芯片來(lái)達(dá)到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但這種芯片一般功耗很大, 再加上匹配電阻增加的功耗, 使整個(gè)系統(tǒng)所需要的電流增大, 發(fā) 熱量增多, 對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和集成度有不利的影響。 4) 高頻時(shí)鐘相應(yīng)的電磁輻射(EM I) 比較嚴(yán)重。 所以在高速數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)高頻時(shí)鐘信號(hào)的處理應(yīng)格外慎重, 盡量減少電路中高頻信 號(hào)的成分, 這里介紹一種很好的解決方法, 即利用時(shí)鐘分相技術(shù), 以低頻的時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)高頻的處 理。 1 時(shí)鐘分相技術(shù) 我們知道, 時(shí)鐘信號(hào)的一個(gè)周期按相位來(lái)分, 可以分為360°。所謂時(shí)鐘分相技術(shù), 就是把 時(shí)鐘周期的多個(gè)相位都加以利用, 以達(dá)到更高的時(shí)間分辨。在通常的設(shè)計(jì)中, 我們只用到時(shí)鐘 的上升沿(0 相位) , 如果把時(shí)鐘的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系統(tǒng)的時(shí)間分辨能力就可以 提高一倍(如圖1a 所示)。同理, 將時(shí)鐘分為4 個(gè)相位(0°、90°、180°和270°) , 系統(tǒng)的時(shí)間分辨就 可以提高為原來(lái)的4 倍(如圖1b 所示)。 以前也有人嘗試過(guò)用專(zhuān)門(mén)的延遲線(xiàn)或邏輯門(mén)延時(shí)來(lái)達(dá)到時(shí)鐘分相的目的。用這種方法產(chǎn)生的相位差不夠準(zhǔn)確, 而且引起的時(shí)間偏移(Skew ) 和抖動(dòng) (J itters) 比較大, 無(wú)法實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)間分辨。 近年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展, 使高質(zhì)量的分相功能在一 片芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)成為可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能優(yōu)異的時(shí)鐘 芯片。這些芯片的出現(xiàn), 大大促進(jìn)了時(shí)鐘分相技術(shù)在實(shí)際電 路中的應(yīng)用。我們?cè)谶@方面作了一些嘗試性的工作: 要獲得 良好的時(shí)間性能, 必須確保分相時(shí)鐘的Skew 和J itters 都 比較小。因此在我們的設(shè)計(jì)中, 通常用一個(gè)低頻、高精度的 晶體作為時(shí)鐘源, 將這個(gè)低頻時(shí)鐘通過(guò)一個(gè)鎖相環(huán)(PLL ) , 獲得一個(gè)較高頻率的、比較純凈的時(shí)鐘, 對(duì)這個(gè)時(shí)鐘進(jìn)行分相, 就可獲得高穩(wěn)定、低抖動(dòng)的分 相時(shí)鐘。 這部分電路在實(shí)際運(yùn)用中獲得了很好的效果。下面以應(yīng)用的實(shí)例加以說(shuō)明。2 應(yīng)用實(shí)例 2. 1 應(yīng)用在接入網(wǎng)中 在通訊系統(tǒng)中, 由于要減少傳輸 上的硬件開(kāi)銷(xiāo), 一般以串行模式傳輸 圖3 時(shí)鐘分為4 個(gè)相位 數(shù)據(jù), 與其同步的時(shí)鐘信號(hào)并不傳輸。 但本地接收到數(shù)據(jù)時(shí), 為了準(zhǔn)確地獲取 數(shù)據(jù), 必須得到數(shù)據(jù)時(shí)鐘, 即要獲取與數(shù) 據(jù)同步的時(shí)鐘信號(hào)。在接入網(wǎng)中, 數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)如圖2 所示。 數(shù)據(jù)以68MBös 的速率傳輸, 即每 個(gè)bit 占有14. 7ns 的寬度, 在每個(gè)數(shù)據(jù) 幀的開(kāi)頭有一個(gè)用于同步檢測(cè)的頭部信息。我們要找到與它同步性好的時(shí)鐘信號(hào), 一般時(shí)間 分辨應(yīng)該達(dá)到1ö4 的時(shí)鐘周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 這就是說(shuō), 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率應(yīng)在300MHz 以 上, 在這種頻率下, 我們必須使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型門(mén)延遲為340p s) , 如前所述, 這樣對(duì)整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)很多的困擾。 我們?cè)谶@里使用鎖相環(huán)和時(shí)鐘分相技術(shù), 將一個(gè)16MHz 晶振作為時(shí)鐘源, 經(jīng)過(guò)鎖相環(huán) 89429 升頻得到68MHz 的時(shí)鐘, 再經(jīng)過(guò)分相芯片AMCCS4405 分成4 個(gè)相位, 如圖3 所示。 我們只要從4 個(gè)相位的68MHz 時(shí)鐘中選擇出與數(shù)據(jù)同步性最好的一個(gè)。選擇的依據(jù)是: 在每個(gè)數(shù)據(jù)幀的頭部(HEAD) 都有一個(gè)8bit 的KWD (KeyWord) (如圖1 所示) , 我們分別用 這4 個(gè)相位的時(shí)鐘去鎖存數(shù)據(jù), 如果經(jīng)某個(gè)時(shí)鐘鎖存后的數(shù)據(jù)在這個(gè)指定位置最先檢測(cè)出這 個(gè)KWD, 就認(rèn)為下一相位的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的同步性最好(相關(guān))。 根據(jù)這個(gè)判別原理, 我們?cè)O(shè)計(jì)了圖4 所示的時(shí)鐘分相選擇電路。 在板上通過(guò)鎖相環(huán)89429 和分相芯片S4405 獲得我們所要的68MHz 4 相時(shí)鐘: 用這4 個(gè) 時(shí)鐘分別將輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行移位, 將移位的數(shù)據(jù)與KWD 作比較, 若至少有7bit 符合, 則認(rèn)為檢 出了KWD。將4 路相關(guān)器的結(jié)果經(jīng)過(guò)優(yōu)先判選控制邏輯, 即可輸出同步性最好的時(shí)鐘。這里, 我們運(yùn)用AMCC 公司生產(chǎn)的 S4405 芯片, 對(duì)68MHz 的時(shí)鐘進(jìn)行了4 分 相, 成功地實(shí)現(xiàn)了同步時(shí)鐘的獲取, 這部分 電路目前已實(shí)際地應(yīng)用在某通訊系統(tǒng)的接 入網(wǎng)中。 2. 2 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 高速、高精度的模擬- 數(shù)字變換 (ADC) 一直是高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的關(guān)鍵部 分。高速的ADC 價(jià)格昂貴, 而且系統(tǒng)設(shè)計(jì) 難度很高。以前就有人考慮使用多個(gè)低速 圖5 分相技術(shù)應(yīng)用于采集系統(tǒng) ADC 和時(shí)鐘分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于時(shí)鐘分相電路產(chǎn)生的相位不準(zhǔn)確, 時(shí)鐘的 J itters 和Skew 比較大(如前述) , 容易產(chǎn)生較 大的孔徑晃動(dòng)(Aperture J itters) , 無(wú)法達(dá)到很 好的時(shí)間分辨。 現(xiàn)在使用時(shí)鐘分相芯片, 我們可以把分相 技術(shù)應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中: 以4 分相后 圖6 分相技術(shù)提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集率 的80MHz 采樣時(shí)鐘分別作為ADC 的 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘, 對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采樣, 如圖5 所示。 在每一采集通道中, 輸入信號(hào)經(jīng)過(guò) 緩沖、調(diào)理, 送入ADC 進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換, 采集到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器(M EM )。各個(gè) 采集通道采集的是同一信號(hào), 不過(guò)采樣 點(diǎn)依次相差90°相位。通過(guò)存儲(chǔ)器中的數(shù) 據(jù)重組, 可以使系統(tǒng)時(shí)鐘為80MHz 的采 集系統(tǒng)達(dá)到320MHz 數(shù)據(jù)采集率(如圖6 所示)。 3 總結(jié) 靈活地運(yùn)用時(shí)鐘分相技術(shù), 可以有效地用低頻時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于高頻時(shí)鐘的時(shí)間性能, 并 避免了高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中一些問(wèn)題, 降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難度。

    標(biāo)簽: 時(shí)鐘 分相 技術(shù)應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

    上傳用戶(hù):xg262122

  • 電感和磁珠的區(qū)別及應(yīng)用場(chǎng)合和作用

    磁珠由氧磁體組成,電感由磁心和線(xiàn)圈組成,磁珠把交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為熱能,電感把交流存儲(chǔ)起來(lái),緩慢的釋放出去。 磁珠對(duì)高頻信號(hào)才有較大阻礙作用,一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時(shí)電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來(lái)求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件,廉價(jià)、易用,濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導(dǎo)線(xiàn)穿過(guò)它即可(我用的都是象普通電阻模樣的,導(dǎo)線(xiàn)已穿過(guò)并膠合,也有表面貼裝的形式,但很少見(jiàn)到賣(mài)的)。當(dāng)導(dǎo)線(xiàn)中電流穿過(guò)時(shí),鐵氧體對(duì)低頻電流幾乎沒(méi)有什么阻抗,而對(duì)較高頻率的電流會(huì)產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā),其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián),兩個(gè)元件的值都與磁珠的長(zhǎng)度成比例。 磁珠種類(lèi)很多,制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說(shuō)明,特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線(xiàn)。 有的磁珠上有多個(gè)孔洞,用導(dǎo)線(xiàn)穿過(guò)可增加元件阻抗(穿過(guò)磁珠次數(shù)的平方),不過(guò)在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多,而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。 鐵氧體是磁性材料,會(huì)因通過(guò)電流過(guò)大而產(chǎn)生磁飽和,導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的磁珠,還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲(可用于直流和交流輸出),還可廣泛應(yīng)用于其他電路,其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中,由于脈沖信號(hào)含有頻率很高的高次諧波,也是電路高頻輻射的主要根源,所以可在這種場(chǎng)合發(fā)揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號(hào)電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例,其型號(hào)各字段含義依次為:HH 是其一個(gè)系列,主要用于電源濾波,用于信號(hào)線(xiàn)是HB系列;1 表示一個(gè)元件封裝了一個(gè)磁珠,若為4則是并排封裝四個(gè)的;H 表示組成物質(zhì),H、C、M為中頻應(yīng)用(50-200MHz),T低頻應(yīng)用(<50MHz),S高頻應(yīng)用(>200MHz);3216 封裝尺寸,長(zhǎng)3.2mm,寬1.6mm,即1206封裝;500 阻抗(一般為100MHz時(shí)),50 ohm。 其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項(xiàng):阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率, 他等效于電阻和電感串聯(lián), 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性,在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性,所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗,從而提高調(diào)頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離,抑制差模噪聲等。

    標(biāo)簽: 電感

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶(hù):貓愛(ài)薛定諤

  • 模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)(design of analog

    模擬集成電路的設(shè)計(jì)與其說(shuō)是一門(mén)技術(shù),還不如說(shuō)是一門(mén)藝術(shù)。它比數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)需要更嚴(yán)格的分析和更豐富的直覺(jué)。嚴(yán)謹(jǐn)堅(jiān)實(shí)的理論無(wú)疑是嚴(yán)格分析能力的基石,而設(shè)計(jì)者的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)無(wú)疑是誕生豐富直覺(jué)的源泉。這也正足初學(xué)者對(duì)學(xué)習(xí)模擬集成電路設(shè)計(jì)感到困惑并難以駕馭的根本原因。.美國(guó)加州大學(xué)洛杉機(jī)分校(UCLA)Razavi教授憑借著他在美國(guó)多所著名大學(xué)執(zhí)教多年的豐富教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和在世界知名頂級(jí)公司(AT&T,Bell Lab,HP)卓著的研究經(jīng)歷為我們提供了這本優(yōu)秀的教材。本書(shū)自2000午出版以來(lái)得到了國(guó)內(nèi)外讀者的好評(píng)和青睞,被許多國(guó)際知名大學(xué)選為教科書(shū)。同時(shí),由于原著者在世界知名頂級(jí)公司的豐富研究經(jīng)歷,使本書(shū)也非常適合作為CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)或相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程技術(shù)人員的參考書(shū)。... 本書(shū)介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念,同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問(wèn)題及電路技術(shù)的新發(fā)展。本書(shū)由淺入深,理論與實(shí)際結(jié)合,提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書(shū)共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開(kāi)關(guān)電容電路以及電路的非線(xiàn)性和失配的影響,第14、15章介紹振蕩器和鎖相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。 1 Introduction to Analog Design 2 Basic MOS Device Physics 3 Single-Stage Amplifiers 4 Differential Amplifiers 5 Passive and Active Current Mirrors 6 Frequency Response of Amplifiers 7 Noise 8 Feedback 9 Operational Amplifiers 10 Stability and Frequency Compensation 11 Bandgap References 12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits 13 Nonlinearity and Mismatch 14 Oscillators 15 Phase-Locked Loops 16 Short-Channel Effects and Device Models 17 CMOS Processing Technology 18 Layout and Packaging

    標(biāo)簽: analog design cmos of

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶(hù):杜瑩12345

  • 雙T網(wǎng)絡(luò)資料

    雙T網(wǎng)絡(luò)

    標(biāo)簽: 雙T網(wǎng)絡(luò)

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