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新的片上電感器工藝將改寫微波射頻電路設(shè)計

時間:2014-03-21      關(guān)鍵字:   

 美國加州大學伯克利分校(UC Berkeley)的技術(shù)人員表示已經(jīng)找到一種可推動片上電感器(on-chip inductor)技術(shù)進展的新方法,將有助于催生新一代微型射頻(RF)電子與無線通訊系統(tǒng)設(shè)計。

 
   加州大學的研究人員們深入探索在納米磁鐵(nanomagnet)中納米材料合成的最新發(fā)展。根據(jù)加州大學柏克萊分校機械工程系教授Liwei Lin表示,研究人員們發(fā)現(xiàn),采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的晶片電感器尺寸縮小,同時提升性能,同時,「藉由其高截止頻率提供良好的導磁率,從而降低在高頻作業(yè)時的渦流損耗?!?/div>
 
  工程師們經(jīng)常面對的問題是,在試圖縮減晶片電感器尺寸的同時,還得保持其最佳電感與性能。Liwei Lin表示這些困難主要來自于「基本科學以及工程實踐約束」所造成的限制。
 
  芯片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動元件被歸類于「超越摩爾定律」的領(lǐng)域,因此整合的是不會因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。
 
  芯片電感器架構(gòu)需要較大的面積,因為在其金屬走線之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間,以實現(xiàn)適當?shù)碾姼信c性能。然而,對于要求較大的面積則可能會因為在旋轉(zhuǎn)線圈和半導體基板之間產(chǎn)生寄生效應(yīng)而造成電感損失。
 
  因此,電感器在微型化時必須添加磁性材料,但在這方面也帶來其他的技術(shù)限制,「例如制程方案、相容于標準制程,以及材料的穩(wěn)定度」,Liwei Lin說,「磁性材料在磁導率和頻率響應(yīng)方面存在一些限制。 」
 
  新的電感器制造技術(shù)采用絕緣的奈米復合磁性物質(zhì)作為填充材料來減少晶片電感器尺寸,以及提高達80%的電感,從而使晶片電感器縮減至少50%。此外,Liwei Lin強調(diào),它還具有使作業(yè)頻率范圍從GHz級擴展至10GHz的潛力。
 
  他預計電感器技術(shù)的這些進展可望在未來3-5年內(nèi)落實應(yīng)用于芯片制造工藝中。
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