信達證券發布的研究報告稱，李克強總理的《2014年政府工作報告》中提出在新一代移動通信、集成電路、大數據、先進制造、新能源、新材料等方面趕超先進，引領未來產業發展。各地政府已經開始加大對集成電路行業的扶持力度，市場預期新一輪的集成電路扶持規劃有望在二季度出臺，這些國家政策將大大的推進集成電路產業發展，相關產業鏈企業將從中受益。建議關注國民技術、晶方科技、華天科技、長電科技等。

 

　　國民技術：

 

　　主營安全芯片：公司為國內專業從事超大規模信息安全芯片和通訊芯片產品以及整體解決方案研發和銷售的國家級高新技術企業，主要產品包括安全芯片和通訊芯片，其中，安全芯片包括USBKEY安全芯片（2011年銷售超過6000萬顆）、安全存儲芯片、可信計算芯片和移動支付芯片，通訊芯片（傳統業務）包括通訊接口芯片、通訊射頻芯片，已經形成安全及通訊兩大方向、6個系列100余款的產品及解決方案的產品布局。公司安全芯片產品正在進行國際CC體系EAL5+安全等級認證，有望成為我國首款通過國際CC高等級認證的芯片。

 

　　移動支付芯片：2012年6月上證報訊，中國移動將與銀聯達成合作，簽署關于移動支付業務合作的框架協議，推出基于NFC技術（近場通信，即13.56MHz技術方案，屬銀聯標準）的移動支付產品。移動未來有望統一移動支付方案至銀聯主導的13.56MHz標準，并推出SIM卡內置、貼片及掛件3套解決方案。公司所研發的基于超高頻段(2.4GHz)的RFID-SIM技術方案(自主知識產權的原始創新)是基于中國移動企業自主標準及規范。由于標尚未制定，公司現有技術方案面臨修改而延遲交付的風險；RFID-SIM技術現在處于推廣試商用階段，存在因技術不完善而進行修訂的風險；RFID-SIM產品目前尚未大批量生產，存在產能及工藝問題導致不能滿足大批量供貨要求的風險。公司一款智能卡芯片通過EMVCo認證，國民技術是中國第一家且唯一一家獲得該認證的芯片廠商，標志著公司安全芯片技術水平達到了國際公認的高等級水平，獲得了國際認可。

 

　　TD-LTE終端射頻芯片：公司TD-LTE終端射頻芯片的研發，用于TD-LTE通信網絡手機終端，提供無線信號收發功能，是手機終端的重要組成部分，可以兼容并適用于TD-SCDMA/ HSPA3G通信網絡，采用先進射頻集成電路，研制符合TD-LTE/TD-SCDMA相關4G/3G國際標準的手機終端射頻芯片，并開發應用電路，提供整體方案。2012年半年報披露，公司已加入工信部TD-LTE工作組，TD-LTE終端射頻芯片已量產并開始小批量出貨，相關終端方案應用于中移動規模技術實驗第二階段試驗以及試商用階段的批量供貨。公司與多家基帶芯片廠商合作開發的TD-CDMA/LTE雙模終端解決方案取得進展，并已推出支持多模多頻段的LTE便攜式無線路由器、CPE 和USB Dongle（USB 上網卡）。

 

　　晶方科技：

 

　　全球第二大WLCSP封測服務商：公司主營業務為集成電路的封裝測試業務，主要為影像傳感芯片、環境光感應芯片、微機電系統(MEMS)、發光電子器件(LED)等提供晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)及測試服務。公司是中國大陸首家、全球第二大能為影像傳感芯片提供WLCSP量產服務的專業封測服務商。公司目前封裝產品主要有影像傳感芯片、環境光感應芯片、醫療電子器件、微機電系統(MEMS)、射頻識別芯片(RFID)等，該些產品被廣泛應用在消費電子(手機、電腦、照相機等)、醫學電子、電子標簽身份識別、安防設備等諸多領域。

 

　　多樣化WLCSP量產技術：晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)是將芯片尺寸封裝(CSP)和晶圓級封裝(WLP)融合為一體的新興封裝技術。芯片尺寸封裝(CSP)是指封裝面積與芯片面積之比小于1.2:1的技術，該技術有效促進集成電路的小型化，與傳統封裝技術QFP和BGA封裝產品相比，晶圓級芯片尺寸封裝的產品比QFP產品小75%、重量輕85%，比BGA尺寸小50%、重量輕40%。公司擁有的WLCSP封裝技術包括超薄晶圓級芯片尺寸封裝技術(ThinPac)、光學型晶圓級芯片尺寸封裝技術(ShellOP)、空腔型晶圓級芯片尺寸封裝技術(ShellOC)、晶圓級凸點封裝技術(RDLWaferBumping)、硅通孔晶圓級芯片尺寸封裝技術(TSV)，以及應用于微機電系統(MEMS)、發光電子器件(LED)的晶圓級芯片尺寸封裝技術。

 

　　晶圓級芯片尺寸MEMS芯片封裝：微機電系統(MEMS)主要應用在汽車電子、工業電子和醫療領域。隨著消費類電子產品(如iPhone)的發展，其功能越來越強，同時要求成本降低。解決這一難題的主要方法是在消費類電子產品中引入MEMS(如加速度計、陀螺儀、壓力器等)。公司所應用的晶圓級芯片尺寸封裝技術(WLCSP)封裝的MEMS芯片呈現“短、小、輕、薄”，而且由于晶圓級封裝的特性，使得封裝的MEMS芯片成本顯著降低，并隨著晶圓尺寸的增大，成本優勢進一步凸顯，符合消費類電子產品發展的需求。公司已為客戶封裝了數百片加速度計MEMS芯片，封裝工藝已經成熟，并擁有自主專利。

 

　　華天科技：

 

　　主營集成電路封裝行業：公司被評為我國最具成長性封裝測試企業，年封裝能力居于內資專業封裝企業第三位，集成電路封裝產品已有DIP、SOP、SSOP(含TSSOP)、QFP(含LQFP)、SOT等五大系列80多個品種，封裝成品率穩定在99.7%以上。2013年上半年，公司通過項目的有效實施，集成電路年封裝能力由80億塊增加到85億塊，2013年上半年共封裝集成電路38.48億塊。

 

　　TSV技術&MEMS傳感器：TSV(through silicon via)技術是穿透硅通孔技術的縮寫，是三維集成電路中堆疊芯片實現互連的一種新的技術解決方案。由于TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成為目前電子封裝技術中最引人注目的一種技術。2013年8月，公司完成發行4.61億元可轉債，1.4億元用于收購昆山西鈦28.85%股權(2014年2月更名為昆山華天)，收購完成后，公司將持有其63.85%股權。昆山華天主要從事超大規模集成電路封裝，并生產手機、筆記本電腦及車載影像系統等使用的微型攝像頭模組和MEMS傳感器(光電子器件)。已建成每月2000片左右影像傳感器封裝產能，實現了最先進TSV技術CSP封裝方式產業化。2013年1-6月，昆山華天實現營業收入3.85億元，凈利潤1721萬元。公司預計預計2013年、2014年昆山華天的凈利潤分別為3021.38萬元和4016.14萬元。

 

　　集成電路封裝工藝升級及產業化：2011年11月，公司以11.12元/股定向增發3290萬股募資3.65848億元投入三項目。其中，銅線鍵合集成電路封裝工藝升級及產業化項目總投資20160萬元。項目投產后預計年新增銷售收入24520萬元，凈利潤3250萬元。集成電路高端封裝測試生產線技術改造項目總投資29840萬元。項目投產后預計年新增銷售收入40129萬元，凈利潤5193萬元。集成電路封裝測試生產線工藝升級技術改造項目總投資41400萬元。項目投產后預計年新增銷售收入45720萬元，凈利潤5463萬元。(截止2012年年末，上述項目累計投資額合計為35051.8萬元，2012年1-12月合計實現效益4708.2萬元)

 

　　長電科技：

 

　　集成電路制造全產業鏈：公司高端集成電路的生產能力在行業中處于領先地位。Bumping8″～12″年產能達72萬片次，WLCSP具有3P3M量產能力，年產能可達18億顆；具備國際先進的芯片中段封裝能力；以封裝移動基帶芯片為主的BGA已規模化量產，銅線合金線使用率達90%以上；12″40nmlow-k芯片BGA封裝已率先在國內規模化量產；FlipChiponL/F和FCBGA年產能分別達到3.6億顆和2400萬顆，形成了Bumping到FlipChip一條龍封裝服務能力，具有國際先進水平的3D3軸地磁傳感器MEMS封裝年產能達到1億顆；以MIS技術封裝的產品已規模化量產，2012年共生產33579萬顆，得到國際知名客戶認可，成為公司有核心競爭力的拳頭產品。公司2012年在全球封測企業排名第七，比2011年上升一位。

 

　　TSV技術：TSV(through silicon via)技術是穿透硅通孔技術的縮寫，是三維集成電路中堆疊芯片實現互連的一種新的技術解決方案。由于TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成為目前電子封裝技術中最引人注目的一種技術。2013年10月公司在上交所e互動上表示：公司控股子公司長電先進的TSV技術系購買的國際專利技術，公司在此基礎上進行二次開發，目前還在研發過程中，相關產品還未規模化生產。

 

　　發展集成電路封測技術：2012年8月，公司出資2000萬元(占20%)與中科院微電子研究所(占25%)、南通富士通微電子、天水華天科技、深南電路等共同投資設立華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司，新公司注冊資本1億元。本次投資有利于公司加快集成電路封測技術的發展，在產業規模、技術創新能力、面向高端封測市場占有率及能力等方面縮小與國際先進水平的差距，進一步鞏固行業領先地位，擴大市場份額，符合公司戰略發展的要求。未來對公司財務狀況和經營成果的影響主要體現在投資分紅收益等方面。