MOS管設計教程
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：海陸空653
Abstract: Some power architectures require the power supply sequencer (or system manager) to controldownstream power MOSFETs to allow power to flow into branch circuits. This application note explains howsystem power sequencing and level shifting can be accomplished using a low-voltage system manager
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：wys0120
基于輸入28.5 VDC，輸出總功率180 W的機載計算機電源的設計，為滿足“GJB181飛機供電特性”中對飛機用電設備輸入28.5 VDC時過壓浪涌80 V/50ms的要求，采用檢測輸入電壓并控制MOSFET導通和關斷的方法，通過對該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實際測試數(shù)據(jù)做比較，模擬了80 V/50 ms過壓浪涌的試驗，并用示波器記錄了測試波形，得出該設計電路在輸入28.5 VDC時，可以完全滿足GJB181飛機供電特性過壓浪涌要求的結論。并通過擴展應用介紹了在其他輸入電壓類型時過壓浪涌保護電路的設計。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：cuibaigao
兩節(jié)鋰電充電IC-ASC8512 ASC8512 為開關型兩節(jié)鋰聚合物電池充電管理芯片，非常適合于便攜式設備的充電管理應用。ASC8512 集內置功率MOSFET、高精度電壓和電流調節(jié)器、預充、充電狀態(tài)指示和充電截止等功能于一體，采用TSSOP-14、SSOP-14兩種封裝形式。ASC8512對電池充電分為三個階段：預充（Pre-charge）、恒流（CC／Constant Current）、恒壓（CV／Constant Voltage）過程，恒流充電電流通過外部電阻決定，最大充電電流為2A.ASC8512 集成電流限制、短路保護，確保充電芯片安全工作。ASC8512 集成NTC 熱敏電阻接口，可以采集、處理電池的溫度信息，保證充電電池的安全工作溫度。 兩節(jié)鋰電池充電IC ASC8512特點： 1.充2節(jié)鋰離子和鋰聚合物電池 2.開關頻率達400K 3.充電電流最大可做2A 4.輸入電壓9V到18V 5.電池狀態(tài)檢測 6.恒壓充電電壓值可通過外接電阻微調 7.千分之五的充電電壓控制精度 5.防反向保護電路可防止電池電流倒灌 6.NTC 熱敏接口監(jiān)測電池溫度 7.LED充電狀態(tài)指示 8.工作環(huán)境溫度范圍：-20℃～70℃ 9.TSSOP-14 應用領域：應用 ●手持設備，包括醫(yī)療手持設備 ●Portable-DVD，PDA，移動蜂窩電話及智能手機 ●上網(wǎng)本、平板電腦、MID ●自充電電池組
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：chfanjiang
初學者的福音
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：chenxichenyue
降低電源損耗，提高電源效率
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：angle
1.1_SHOT : 10個雜項器件,其中有54，74，CD的 2.7400~74S : 74系列的器件 3.AA_IGBT : IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET 4.AA_MISC : 雜項DIODE MOSFET ...............................
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：familiarsmile
萬芯元件常用MOSFET AOS替換表
標簽： 萬芯元件
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：comer1123
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點是由其組成的開關電源，在市電電網(wǎng)中工作時，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機狀態(tài)的損耗;同時還具有過、欠壓保護、過熱保護、過流保護以及自恢復功能，因而在中小功率開關電源中有著廣泛 的應用前景
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：HGH77P99
單開關(或稱單晶體管)正激轉換器是一種最基本類型的基于變壓器的隔離降壓轉換器，廣泛用于需要大降壓比的應用。這種轉換器的優(yōu)點包括只需單顆接地參考晶體管，及非脈沖輸出電流減小輸出電容的均方根紋波電流含量等。但這種轉換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結構，且變壓器需要磁芯復位，使這種轉換器的最大占空比限制在約50%。此外，金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)開關的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多，使這種拓撲結構較難于用在較高輸入電壓的應用。
上傳時間： 2013-12-22
上傳用戶：786334970
