針對單件車間調(diào)度問題，設(shè)計(jì)一種基于整數(shù)編碼的單親遺傳算法。該算法既具有單親遺傳算法運(yùn)算量小、不存在“早熟收斂”現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)，在編碼中又體現(xiàn)了單件車間調(diào)度的“保序性”等工藝約束條件，增強(qiáng)了調(diào)度算法的整體性
標(biāo)簽： 車間調(diào)度 單親遺傳算法
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：笨小孩
VC編程經(jīng)驗(yàn)總結(jié).rar一本不錯的介紹VC編程的書 CSDN介紹屏保的好像不多，我來補(bǔ)個空缺，呵呵 :) 對于屏幕保護(hù)程序，大家應(yīng)該不會陌生。屏幕保護(hù)程序的后綴名是.scr，其實(shí)它就是一個可執(zhí)行的.exe文件。 VC提供了一個支持屏幕保護(hù)的開發(fā)庫scrnsave.lib，這個庫已經(jīng)定制了一個屏幕保護(hù)程序的框架結(jié)構(gòu)，開發(fā)者只需要在完成相應(yīng)的函數(shù)和提供相應(yīng)的資源就可以寫出自己的屏幕保護(hù)程序。
標(biāo)簽： 編程 經(jīng)驗(yàn)
上傳時間： 2013-07-10
上傳用戶：candice613
摘要：介紹并分析研究了幾種較簡單實(shí)用的驅(qū)動電路,給出了電路圖,部分仿真波形或?qū)嶒?yàn)波。 關(guān)鍵詞：高頻驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-06-04
上傳用戶：dave520l
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：panpanpan
The MAX17600–MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greater flexibility incontrolling the MOSFET. The devices have internal logiccircuitry that prevents shoot-through during output-statchanges. The logic inputs are protected against voltagespikes up to +14V, regardless of VDD voltage. Propagationdelay time is minimized and matched between the dualchannels. The devices have very fast switching time,combined with short propagation delays (12ns typ),making them ideal for high-frequency circuits. Thedevices operate from a +4V to +14V single powersupply and typically consume 1mA of supply current.The MAX17600/MAX17601 have standard TTLinput logic levels, while the MAX17603 /MAX17604/MAX17605 have CMOS-like high-noise margin (HNM)input logic levels. The MAX17600/MAX17603 are dualinverting input drivers, the MAX17601/MAX17604 aredual noninverting input drivers, and the MAX17602 /MAX17605 devices have one noninverting and oneinverting input. These devices are provided with enablepins (ENA, ENB) for better control of driver operation.
標(biāo)簽： 17600 MAX 數(shù)據(jù)資料
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：zhangxin
華為工程師培訓(xùn)教材模擬電子共含有上下兩冊，是個不錯的資源！ ..
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：蟲蟲蟲蟲蟲蟲
由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優(yōu)點(diǎn)是：用它做開關(guān)電源，無需加散熱器，在通用電網(wǎng)即可輸出20～50W 的功率；保護(hù)功能齊全；電路結(jié)構(gòu)簡單；能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機(jī)狀態(tài)的損耗，故在中小功率開關(guān)電源中有著廣泛的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： COOLMOS ICE 應(yīng)用研究
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：chenjjer
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：文993
This application note is an overview discussion of theLinear Technology SPICE macromodel library. It assumeslittle if any prior knowledge of this software library or itshistory. However, it does assume familiarity with both theanalog simulation program SPICE (or one of its manyderivatives), and modern day op amps, including bipolar,JFET, and MOSFET amplifier technologies
標(biāo)簽： LTC 運(yùn)算放大器 模型
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhanditian
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