RISC-V 指令集手冊 卷 1:用戶級指令集體系結(jié)構(gòu)(User-Level ISA)
標(biāo)簽: RISC-V 指令集
上傳時(shí)間: 2022-06-18
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玄鐵C910指令集手冊,是一款基于RISC-V指令集的高性能處理器,采用12級亂序執(zhí)行流水線、高精度混合分支預(yù)測器,并搭載AI擴(kuò)展指令的異構(gòu)處理器,可用于音視頻處理等應(yīng)用領(lǐng)域。
上傳時(shí)間: 2022-06-18
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45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V,1.88 A輸出),適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV,CC和CP輸出選項(xiàng)的智能揚(yáng)聲器和管狀電機(jī)
標(biāo)簽: 智能揚(yáng)聲器 管狀電機(jī) 輸出隔離式反激式電源
上傳時(shí)間: 2022-07-11
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實(shí)際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I-V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具-TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時(shí)間: 2013-07-13
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隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展,變頻調(diào)速器的應(yīng)用越來越廣泛,它的顯著的節(jié)能效果和靈活多變的運(yùn)行方式,給人們留下了深刻印象.但是由于變頻器價(jià)格昂貴,影響了它的普及及推廣應(yīng)用.如何在提高變頻器的性能的同時(shí)盡量降低其價(jià)格,是一個(gè)非常值得研究的問題.該文針對這一情況,并順應(yīng)當(dāng)前變頻器集成化、高頻化的發(fā)展趨勢,決定采用性能價(jià)格比很高的專用集成電路FSA4828和智能功率模塊(IPM)開發(fā)一臺低價(jià)格、高性能、具有實(shí)用價(jià)值的通用變頻調(diào)速器.它采用V/F控制方式,有多種控制運(yùn)行功能和完善的保護(hù)措施,從而使其既有較好的運(yùn)行性能,又有安全穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài),不會因各種故障而輕易損壞.同時(shí),先進(jìn)的人機(jī)接口使得參數(shù)的輸入和變頻器運(yùn)行方式的改變極為方便,新型集成元件的采用也使得它的開發(fā)周期短,整機(jī)結(jié)構(gòu)簡潔,成本較低.該文詳細(xì)的分析、設(shè)計(jì)了該通用變頻器的硬件電路及控制程序,介紹了兩種最主要的集成元件:SA4828和IPM模塊PM25RSB120,以及它們在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用.最后,該文還分析了硬件電路產(chǎn)生的干擾問題,并分別從硬件、軟件兩方面提出相應(yīng)的抗干擾措施.
標(biāo)簽: 變頻調(diào)速器
上傳時(shí)間: 2013-05-23
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針對空間電壓欠量脈寬調(diào)制過程中存在的問題,采用理論推演與軟件設(shè)計(jì)方法,在介紹了s V P w M 的基本原理的基礎(chǔ)上,利用T I 公司的 D S P電機(jī)控制芯片 T M S 3 2 0 L F 2 4 0 7設(shè)計(jì)了S V P W M的實(shí)現(xiàn)方法,并給出 j - 變頻調(diào)速系統(tǒng)的全數(shù)字化實(shí)現(xiàn)。 通過對永磁同步電機(jī)進(jìn)行控制仿真實(shí)驗(yàn),得到的結(jié)果表明此方法是切實(shí)可行V , J ,控制系統(tǒng)具有優(yōu)良的動(dòng)靜態(tài)性能,較高的控制效果,有廣泛的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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v無刷直流電動(dòng)機(jī)具有結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、維護(hù)方便、運(yùn)行效率高和調(diào)速性能好等優(yōu)點(diǎn),隨著微處理器技術(shù)、電力電子技術(shù)、控制理論,以及低成本、高磁能積永磁材料的發(fā)展,得到越來越廣泛的應(yīng)用。無刷直流電動(dòng)機(jī)采用無位置傳感器控制,電動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)更加簡單,應(yīng)用范圍擴(kuò)大,相對于有位置傳感器控制優(yōu)勢明顯。本論文圍繞無刷直流電動(dòng)機(jī)的無位置傳感器控制進(jìn)行較為系統(tǒng)和深入的研究。 首先,論文從基本電磁定律出發(fā),在分析無刷直流電動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上,建立了無刷直流電動(dòng)機(jī)的數(shù)學(xué)模型,為分析無刷直流電動(dòng)機(jī)無位置傳感器控制奠定基礎(chǔ)。 其次,根據(jù)無刷直流電動(dòng)機(jī)反電勢過零檢測原理,對反電勢過零檢測法的各種實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行研究,比較各種實(shí)現(xiàn)方法的優(yōu)缺點(diǎn),指出它們的適用范圍。在此基礎(chǔ)上,給出帶通濾波法及其簡化電路形式,提出使用帶通濾波器獲取反電勢三次諧波的方法。論文將直流電源負(fù)端電壓作為帶通濾波法和帶通濾波三次諧波法的參考電平。 論文對無刷直流電動(dòng)機(jī)無位置傳感器控制中的關(guān)鍵問題-起動(dòng)方法進(jìn)行研究,在詳細(xì)分析“三段式”起動(dòng)方法的實(shí)現(xiàn)過程的基礎(chǔ)上,給出了從外同步到自同步平穩(wěn)切換的條件。論文在研究無刷直流電動(dòng)機(jī)無位置傳感器控制換相方法的基礎(chǔ)上,提出了一種新的換相方法,提高了電動(dòng)機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)性和系統(tǒng)穩(wěn)定性。在帶通濾波三次諧波法中使用該換相方法,無需對三次諧波積分即可得到換相時(shí)刻。 濾波器是反電勢法中反電勢過零檢測電路的重要組成部分。論文在分析無刷直流電動(dòng)機(jī)端電壓信號特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,給出濾波電路的技術(shù)要求,根據(jù)濾波器基本設(shè)計(jì)原理,分別對一階RC無源帶通濾波器和二階RC有源低通濾波器進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和參數(shù)計(jì)算,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證理論分析和仿真結(jié)果。這些為通過檢測反電勢過零點(diǎn)獲得可靠的換相信號創(chuàng)造了條件。 論文還分析了無刷直流電動(dòng)機(jī)無位置傳感器控制中產(chǎn)生轉(zhuǎn)子位置檢測誤差的原因,提出了相應(yīng)的校正方法。通過分析無刷直流電動(dòng)機(jī)的換相過程,建立了換相狀態(tài)的等效電路和數(shù)學(xué)模型,研究了轉(zhuǎn)子位置誤差引起的電動(dòng)機(jī)超前、滯后換相現(xiàn)象,及其由此產(chǎn)生的非導(dǎo)通相環(huán)流,在理論分析的基礎(chǔ)上,進(jìn)行了仿真計(jì)算,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果對照分析。 功率器件的功率損耗分析在逆變器設(shè)計(jì)和提高控制系統(tǒng)的可靠性方面具有重要作用。論文構(gòu)建了由IGBT組成的簡化逆變器模型,并進(jìn)行仿真研究。針對不同的開關(guān)頻率和柵極電阻,定量計(jì)算了IGBT開關(guān)過程中各階段的功率損耗,給出了變化規(guī)律,對逆變器的設(shè)計(jì)具有重要的指導(dǎo)意義。最后,論文研制了基于反電勢過零檢測法的無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng),控制系統(tǒng)由硬件和控制軟件兩部分組成。硬件部分包括主電源整流濾波電路、控制電源電路、反電勢過零檢測電路、驅(qū)動(dòng)和逆變電路以及保護(hù)電路等,控制軟件包括電動(dòng)機(jī)起動(dòng)模塊(包括定位、加速、切換)、電動(dòng)機(jī)運(yùn)行控制模塊(包括過零檢測及校正、換相)和各保護(hù)功能模塊。對系統(tǒng)進(jìn)行了調(diào)試,并對論文中所分析和提出的各種方法進(jìn)行了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)研究,給出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
標(biāo)簽: 無位置傳感器 控制 無刷直流電動(dòng)機(jī)
上傳時(shí)間: 2013-06-06
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目前離心機(jī)的變頻控制,采用的多是通用變頻器,沒有自主開發(fā)的離心機(jī)專用的交流調(diào)速控制器。同時(shí),在控制方法上采用的主要還是V/F控制以及矢量控制,而效率更高,性能更好的直接轉(zhuǎn)矩控制方法則還沒有得到廣泛的應(yīng)用。直接轉(zhuǎn)矩控制技術(shù),用空間矢量的分析方法,直接在定子坐標(biāo)系下計(jì)算與控制交流電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)矩,采用定子磁場定向,借助于離散的兩點(diǎn)式調(diào)節(jié)(Bang-Bang控制)產(chǎn)生PWM信號,直接對逆變器的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行最佳控制,獲得轉(zhuǎn)矩的高動(dòng)態(tài)性能。直接轉(zhuǎn)矩控制,控制結(jié)構(gòu)簡單、控制手段直接、信號處理的物理概念明確、轉(zhuǎn)矩響應(yīng)迅速,限制在一拍內(nèi),是一種具有高動(dòng)態(tài)響應(yīng)的交流調(diào)速系統(tǒng)。本文通過對直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)原理的分析、軟硬件的設(shè)計(jì)制作、系統(tǒng)的調(diào)試試驗(yàn),得到以下結(jié)論: ⑴直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng),控制手段直接、信號處理的物理概念明確、轉(zhuǎn)矩動(dòng)態(tài)響應(yīng)迅速; ⑵直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)中,低速階段轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)明顯,通過采用異步電動(dòng)機(jī)適應(yīng)全速的U-I模型,以及扇區(qū)細(xì)化等,可以有效減小轉(zhuǎn)矩脈動(dòng);由于轉(zhuǎn)矩和磁鏈采用離散的兩點(diǎn)式調(diào)節(jié),即使在高速運(yùn)行階段轉(zhuǎn)矩也有輕微的脈動(dòng),通過細(xì)分磁鏈扇區(qū),采用空間矢量脈寬調(diào)制技術(shù)可以有效減小脈動(dòng),提高系統(tǒng)控制性能; ⑶直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)中,檢測環(huán)節(jié)及其重要,特別是電壓、電流的檢測。無論采用哪種電機(jī)模型,電壓和電流都是最主要的參數(shù),準(zhǔn)確的電壓、電流檢測能夠增加電機(jī)模型的正確性,為控制提供基本的保障; ⑷直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)中,對電機(jī)參數(shù)的要求簡單,只需要知道電動(dòng)機(jī)定子電阻,因此直接轉(zhuǎn)矩控制系統(tǒng)的魯棒性強(qiáng),易于移植。
標(biāo)簽: 離心機(jī) 異步電動(dòng)機(jī) 直接轉(zhuǎn)矩
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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隨著能源的緊張和環(huán)境污染日益嚴(yán)重,開發(fā)和利用太陽能已受到越來越多的重視。通過光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)將太陽能轉(zhuǎn)換為電能,并將電能輸送到電網(wǎng)上,是太陽能利用的主要形式。 本文對光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的控制策略進(jìn)行了深入的研究。首先,分析了太陽能電池發(fā)電的基本原理,得出了太陽能電池的等效模型,通過分析太陽能電池的I-V特性,可以看出太陽能電池是一非線性電源,而且輸出電能受環(huán)境溫度和光照強(qiáng)度的影響,為了使太陽能電池能夠最大效率地將太陽能轉(zhuǎn)化為電能,需要對其進(jìn)行最大功率點(diǎn)跟蹤。通過分析和對比各種最大功率點(diǎn)跟蹤方法的優(yōu)缺點(diǎn),采用了改進(jìn)擾動(dòng)觀察法結(jié)合BOOST升壓電路來對電池板進(jìn)行最大功率點(diǎn)跟蹤的方案。其次,分析對比并網(wǎng)電流的各種控制方式,確定采用滯環(huán)比較方式對并網(wǎng)電流進(jìn)行控制,為了使并網(wǎng)電流穩(wěn)定可靠地向電網(wǎng)送電,采用雙閉環(huán)控制策略對并網(wǎng)逆變器進(jìn)行控制,使逆變器輸出電流能與電網(wǎng)電壓同頻同相,以單位功率因數(shù)向電網(wǎng)輸電。最后,對光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的孤島效應(yīng)進(jìn)行了研究,介紹了各種孤島檢測方法,分析了基于正反饋的主動(dòng)移頻式孤島檢測方法(AFDPF)的參數(shù)優(yōu)化方案,為AFDPF檢測盲區(qū)的分析提供理論依據(jù)。 本文在MATLAB/Simulink仿真環(huán)境下,利用SimPowerSystems功能模塊建立了仿真模型,對太陽能電池板的數(shù)學(xué)模型,最大功率點(diǎn)跟蹤控制策略,并網(wǎng)控制策略進(jìn)行驗(yàn)證仿真。仿真結(jié)果證明了本文的方案和控制策略的正確性。
標(biāo)簽: 光伏并網(wǎng) 發(fā)電系統(tǒng) 控制策略
上傳時(shí)間: 2013-07-14
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近年來,以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用,因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點(diǎn)之一。 在模擬集成電路中,運(yùn)算放大器是最基本的電路,所以設(shè)計(jì)低電壓、低功耗的運(yùn)算放大器非常必要。在實(shí)現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計(jì)的過程中,必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會影響電路的性能,所以只實(shí)現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究,分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn),在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級時(shí),選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結(jié)構(gòu);為穩(wěn)定運(yùn)放輸出共模電壓,設(shè)計(jì)了共模負(fù)反饋電路,并進(jìn)行了共模回路補(bǔ)償;在偏置電路設(shè)計(jì)中,電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu),而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu);為了提高效率,在設(shè)計(jì)時(shí)采用了推挽共源極放大器作為輸出級,輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了軌對軌;并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補(bǔ)償技術(shù)對運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù),對整個(gè)運(yùn)放電路進(jìn)行了設(shè)計(jì),并通過了HSPICE軟件進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明,當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時(shí),所設(shè)計(jì)的CMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW,時(shí)延為16.8ns,開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達(dá)到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所設(shè)計(jì)的BiCMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗達(dá)到10.2 mW,時(shí)延為12.7 ns,開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽: CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時(shí)間: 2013-06-29
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