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Spectre

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上,通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內,輸出電壓擺動僅為1.7 mV,在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比(PSRR),整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設計中。

    標簽: CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:thesk123

  • 一種低功耗,高性能微處理器復位芯片的設計

    針對廣泛使用電池供電的系統,由于電源電壓監控的要求,系統復位電路的可靠性對整個系統的穩定性起著非常重要的作用,本文研究并設計一種低功耗,高性能的復位芯片,可以在系統上電,掉電的情況下向微處理器提供復位信號。當電源電壓低于預設的門檻電壓時,輸出復位信號并在電源電壓恢復到門檻電壓以上繼續持續復位一段時間,實現整個系統的平穩恢復,復位信號低電平有效。該芯片采用CMSC035標準CMOS工藝實現,采用Cadence Spectre仿真,工作電流僅為10 μA。該芯片已成功應用于工業類控制系統中。

    標簽: 低功耗 性能 微處理器 復位芯

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:Late_Li

  • LDO線性穩壓電源管理芯片設計

    論文首先論述了線性穩壓電源的基本原理,以此為基礎對系統設計進行整體考慮,構建了系統整體架構,并制定了芯片的設計指標。利用小信號分析的方法對系統穩定性進行了分析討論,根據系統穩定性原理,采用電容反饋補償措施以確保系統穩定可靠根據設計指標,論文詳細設計了芯片內部電路模塊,包括:帶隙基準電壓源、誤差放大器、過熱保護、過流保護和使能電路等,通過綜合比較晶體管的性能,確定調整管的類型,在基準電生源設計中,采用了電流相加的新型電路結構,使輸出基準電壓不僅具有良好的溫度特性和電源電壓抑制特性,而且克服了傳統電路結構電壓基準源的輸出電壓不能改變的缺點,提高了模塊的可移植性,并充分考慮了低電壓低功耗設計;在過熱保護電路設計中,采用溫度遲滯系統,克服了單溫度保護點電路易受溫度變化誤觸動的缺點。借助Cadence Spectre仿真軟件完成仿真驗證,實驗結果表明,該系統在正常工作時,能得到3V穩定的輸出電壓,壓降儀為150mv;在1K時電源抑制比為65.55dB,在10K時電源抑制比為50dB:在溫度范圍(-30℃-90℃)內系統能保持良好的穩定性,達到了設計要求,并完成了主要電路模塊的版圖設計與驗證。

    標簽: ldo 電源管理

    上傳時間: 2022-06-23

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