空中鼠標硬件由兩個部分組成，鼠標端（發射板）和USB端（接收板）。◆ 發射板主要器件是STM32、MPU6050、NR24L01。MPU6050感知人手的動作（X、Y、Z軸上的角速度值），并將測得的數據通過I2C數據接口傳輸給STM32。STM32內部自帶12位ADC對數據做轉換，并且通過NRF24L01無線傳輸給USB端。◆ 接收板是模擬的HID鼠標和鍵盤即插即用，通過USB接口和電腦連接。USB端同樣有一顆NRF24L01芯片接收發射板傳輸過來的數據，通過SPI接口傳輸給STM32。 作為電腦的輸入設備，空中鼠標可以像傳統鼠標一樣操作屏幕，僅需要在空中晃動或者移動就可以實現鼠標的操作和翻頁等功能。
標簽： stm32
上傳時間： 2022-06-16
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隨著科學水平的提高，生物、化學以及醫療相關器械領域對精度要求也在不斷地提升.生物制劑提取、注射，化學藥品傳輸供給以及藥物治療等MEMS的研究不單單是對精密儀器的攻堅克難，更是交叉學科賦予高精密儀器研究發展的難題。技術革新便要理論創新，才能突破現有技術發展的瓶頸。現有的壓電超聲波霧化器理論發展已頗具成熟，產業化發展也甚是豐富，可是由于產品的不斷創新換代，同時也導致理論創新的不同步，致使許多創新產品缺少對應的系統理論支持。本文立足微泵型壓電超聲波霧化器的研究，提出了系統的霧化理論、結構仿真和霧化效果實驗研究。本文主要的研究內容和成果如下：在霧化理論分析方面，通過對霧化片金屬基片和錐孔的變形公式推導分析，建立了微泵型壓電超聲波霧化器霧化理論數學模型，并結合變形分析對其霧化機理進行了完整的闡述在有限元仿真分析計算方面，通過對霧化片簡化建模，進行了霧化片的諾響應計算分析，得出霧化片諾響應工作模態及其相應振型。并結合霧化理論分析了各模態相應霧化效果，提出霧化效果改進意見。在霧化效果實驗方面，進行多普莉激光測振實驗，與諾響應仿真計算相互論證，提高其可行性，并通過霧化效果實驗來驗證霧化效果理論分析結果，最后結合仿真計算和多普勒激光測振結果綜合分析、總結出霧化效果的影響因素。關鍵詞：MEMS，壓電泵，超聲波，霧化器，壓電陶瓷，振型。本文工作在機械結構力學及控制國家重點實驗室完成。
標簽： 超聲波霧化器
上傳時間： 2022-06-18
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該STM32電子秤硬件組成包括STM32單片機，矩陣鍵盤及傳感器模塊及LCD12864液晶顯示模塊構成。電路采用A/D芯片HX711，LCD顯示有單價，重量，金額顯示等。超重報警和輸入單價都可以，要有報警系統和輸入鍵盤可以顯示單價質量總和。
上傳時間： 2022-06-18
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stm32f4與樂鑫的ESP32，通過SDIO通訊的例程和驅動。
上傳時間： 2022-06-18
上傳用戶：kent
本設計針對目前市場上傳統充電控制器對蓄電池的充放電控制不合理，同時保護也不夠充分，使得蓄電池的壽命縮短這種情況，研究確定了一種基于單片機的太陽能充電控制器的方案。在太陽能對蓄電池的充放電方式、控制器的功能要求和實際應用方面做了一定分析，完成了硬件電路設計和軟件編制，實現了對蓄電池的高效率管理。設計一種太陽能LED照明系統充電控制器，既能實現太陽能電池的最大功率點跟蹤（MPPT）又能滿足蓄電池電壓限制條件和浮充特性。構建實驗系統，測試表明，控制器可以根據蓄電池狀態準確地在MPPT、恒壓、浮充算法之間切換，MPPT充電效率較恒壓充電提高約16%，該充電控制器既實現了太陽能的有效利用，又延長了蓄電池的使用壽命。在總體方案的指導下，本設計使用STMSS系列8位微控制器是STM8系列的主流微控制器產品，采用意法半導體的130納米工藝技術和先進的內核架構，主頻達到16MHz（105系列），處理能力高達20MTPS。內置EEPROM、阻容（RC）振蕩器以及完整的標準外設，性價比高，STMSS指令格式和意法半導體早期的ST7系列基本類似，甚至兼容，內嵌單線仿真接口模塊，支持STWM仿真，降低了開發成本；擁有多種外設，而且外設的內部結構、配置方式與意法半導體的同樣是Cortex-M3內核的32位嵌入式微處理器STM32系列的MCU基本相同或者相似。另外系列芯片功耗低、功能完善、性價比高，可廣泛應用在家用電器、電源控制和管理、電機控制等領域，是8位機為控制器控制系統較為理想的升級替代控制芯片"261，軟件部分依據PWM（Pulse Wiath Modulation）脈寬調制控制策略，編制程序使單片機輸出PMM控制信號，通過控制光電耦合器通斷進而控制MOSFET管開啟和關閉，達到控制蓄電池充放電的目的，同時按照功能要求實現了對蓄電池過充、過放保護和短路保護。實驗表明，該控制器性能優良，可靠性高，可以時刻監視太陽能電池板和蓄電池狀態，實現控制蓄電池最優充放電，達到延長蓄電池的使用壽命。
上傳時間： 2022-06-19
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作為模擬與數字電路的接口電路的關鍵部分，模數轉換器（ADC）現代通信、需達、盧納以及眾多消費電子產品中都占據極其重要的地位。隨著科技的迅猛發展，對模數轉換器的性能，特別是速度上的要求越來越高，ADC的性能好壞甚至已經成為決定設備性能的關鍵因素。本文以超高速ADC作為設計的目標，采用了Flash型結構作為研究的方向，并且從ADC的速度和失調電壓消除技術入手進行了重點研究。本文采用了種新穎的消除失調電壓的技術-chopping技術，該技術主要是依靠 組隨機數產生器所產生的高速隨機數序列來隨機快速置換比較器輸入端，從而使得失調電壓近似平均為零，本文設計了種高速隨機數產生器，可以產生速率達到1GHz的隨機數序列。由于比較器部分是影響整個ADC速度的關鍵因素，因此在設計中對于比較器部分逃行了重點優化設計。另外還在數字編碼電路中加入了糾錯設計。通過電路仿真，所設計的ADC可達到1GHz的采樣速率，最大積分非線性和微分非線性分別為0.42LSB和0.49LSB，當輸入信號頻率為16.6MHz時，無雜波動態范圍（SFDR）達到41dB，當加入50mV失調電壓時，chopping技術可以將SFDR增加3dB左右。本設計采用了和艦0.18um CMOS混合信號工藝，完成了主要模塊版圖的設計工作。關鍵詞 Flash型 ADC；失調電壓消除技術：chopping技術
上傳時間： 2022-06-19
上傳用戶：d1997wayne
使用STM32單片機和LAN9252芯片構建EtherCAT從站的網頁資料，整理成PDF，方便查看！
上傳時間： 2022-06-19
上傳用戶：qingfengchizhu
相信大家有移植經驗的都知道，移植確實是一件非常墨跡的事情，怎么說呢，代碼都是別人的，風格也是別人的，文件結構，定義之類都是別人的，看別人的東西是種進步，但是，也是一個痛苦的過程，因為有時候資料確實很少，而且有時候還是E文的，專業名詞一大堆，我們根本沒有辦法想象工作量是多么的巨大.不過事情都是這樣，你不懂他的時候他就像是巨山，但是一旦你理解他的時候，你才會感覺到原來他是那么的簡單（從我的經驗上來看，至少應該是這樣的）.好吧，閑話少說，我們就來開始我們的移植之旅把.首先，我們需要準備的東西有uCGUI3.90，這個版本是大家現在用的比較多的，效率也比較高，別人都是這么評論的，至于其他版本的，我沒有接觸很多，所以不能過多評論.UCGUI有三個文件夾，一個是tool，這個文件夾是用來使用一些uCgui的上位機程序，基本都是字體和模板查看之類的，在sample文件夾下面是已經別人都你寫好了很多有用的東西，像跟操作系統有關的GUT×或者一些模板（后面我們會用到的自己定義的Demo），或者是gui配置.后面再 詳細敘說這個文件央的功能.在Start文件夾里面，這是我們最主要的文件夾，里面就包含了uCGUI的源代碼，uCGUI的作者把源代碼放進vc里面進行編譯了（當然，這是用標準C語言寫的程序，所以我們可以放在任何C語言平臺下編譯而不會擔心兼容性問題，這個uCGUI在這方面做的算是完美了），所以，我們可以在vc平臺下寫界面，然后再把代碼拷進我們的下位機編譯器進行編譯，這樣子效率就會非常高了.（像51那時候寫界面就是瘋狂的一次一次的燒，真是糾結.）.
上傳時間： 2022-06-19
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本文只是論述由單只IGBT管子或雙管做成的逆變模塊，及其有關測量和判斷好壞的方法。IPM模塊不在本文討論內容之內。場效應管子有開關速度快、電壓控制的優點，但也有導通壓降大，電壓與電流容量小的缺點。而雙極型器件恰恰有與其相反的特點，如電流控制、導通壓降小，功率容量大等，二者復合，正所謂優勢互補。IGBT管子，或者1GBT模塊的由來，即基于此。從結構上看，類似于我們都早已熟悉的復合放大管，輸出管為一只PNP型三極管，而激勵管是一只場效應管，后者的漏極電流形成了前者的基極電流。放大能力是兩管之積。IGBT管子的等效電路及符號如下圖：
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用.IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優點。但是，IGBT和其它電力電子器件一樣，其應用還依賴于電路條件和開關環境。因此，IGBT的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點，是整個裝置運行的關鍵環節。為解決IGBT的可靠驅動問題，國外各IGBT生產廠家或從事IGBT應用的企業開發出了眾多的IGBT驅動集成電路或模塊，如國內常用的日本富士公司生產的EXB8系列，三菱電機公司生產的M579系列，美國IR公司生產的1R21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關斷和電源電壓欠壓保護功能，而惠普生產的HCLP-316]有過流保護、欠壓保護和1GBT軟關斷的功能，且價格相對便宜，因此，本文將對其進行研究，并給出1700v，200~300A IGBT的驅動和保護電路。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-21
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