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SIC

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SIC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

  • EMC封裝材料

    松下2015年最新研究的適用于SIC，GaN等大功率器件的封裝材料介紹

    標(biāo)簽： 封裝 熱穩(wěn)定性

    上傳時(shí)間： 2016-04-20

    上傳用戶：吉林輝仔

  • Full-Duplex+Small+Cells

    The recent developments in full duplex (FD) commu- nication promise doubling the capacity of cellular networks using self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells with device-to-device (D2D) communication links could achieve the expected capacity of the future cellular networks (5G). In this work, we consider joint scheduling and dynamic power algorithm (DPA) for a single cell FD small cell network with D2D links (D2DLs). We formulate the optimal user selection and power control as a non-linear programming (NLP) optimization problem to get the optimal user scheduling and transmission power in a given TTI. Our numerical results show that using DPA gives better overall throughput performance than full power transmission algorithm (FPA). Also, simultaneous transmissions (combination of uplink (UL), downlink (DL), and D2D occur 80% of the time thereby increasing the spectral efficiency and network capacity

    標(biāo)簽： Full-Duplex Cells Small

    上傳時(shí)間： 2020-05-27

    上傳用戶：shancjb

  • GaN-on-Si+Displace+Si+and+SIC

    GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field has open the door to the power switching capability in the lower frequency range and thus to the power electronic applications. Compared to Silicon, GaN exhibits largely better figures for most of the key specifications: Electric field, energy gap, electron mobility and melting point. IntrinSICally, GaN could offer better performance than Silicon in terms of: breakdown voltage, switching frequency and Overall systems efficiency.

    標(biāo)簽： GaN-on-Si Displace and SIC Si

    上傳時(shí)間： 2020-06-07

    上傳用戶：shancjb

  • 智能汽車時(shí)代_功率半導(dǎo)體的發(fā)展新機(jī)遇-210603

    電動汽車、SIC功率管發(fā)展趨勢

    標(biāo)簽： 智能電動汽車

    上傳時(shí)間： 2021-10-26

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  • 基于NE555設(shè)計(jì)的聲音傳感器模塊ALTIUM硬件原理圖+PCB文件

    基于NE555設(shè)計(jì)的聲音傳感器模塊ALTIUM硬件原理圖+PCB文件，2層板設(shè)計(jì)，大小為29x30mm，Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。主要器件型號列表如下：Library Component Count : 8Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904              NPN General Purpose AmplifierCap                 CapacitorComponent_1_1       Header 3H           Header, 3-Pin, Right AngleLED3                Typical BLUE SIC LEDMKF                 麥克風(fēng)Res                 電阻Res2                Resistor

    標(biāo)簽： ne555 聲音傳感器

    上傳時(shí)間： 2021-11-17

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  • BTS7960大功率直流電機(jī)驅(qū)動板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件 2層板設(shè)計(jì) 大小為66 7

    BTS7960大功率直流電機(jī)驅(qū)動板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件,2層板設(shè)計(jì)，大小為66*76mm, 包括完整的原理圖和PCB工程文件，可以做為你的設(shè)計(jì)參考。主要器件如下：Library Component Count : 13Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------CPDR                瓷片電容Component_1_1       DG                  電感DJDR                電解電容Header 2            Header, 2-PinLED                 發(fā)光二極管LED3                Typical BLUE SIC LEDLM2576HVT-3.3       Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorPZ_2                排針——2RES2                Res                 電阻TLP521-1WY2JG               穩(wěn)壓二級管

    標(biāo)簽： bts7960 大功率 直流電機(jī)驅(qū)動

    上傳時(shí)間： 2021-11-21

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  • 你一定需要！2019最新門極驅(qū)動選型指南

    英飛凌EiceDRIVER門極驅(qū)動芯片選型指南2019門極驅(qū)動芯片相當(dāng)于控制信號(數(shù)字或模擬控制器)與功率器件(IGBT、MOSFET、SIC MOSFET和GaN HEMT)之間的接口。集成的門極驅(qū)動解決方案有助于您降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度，縮短開發(fā)時(shí)間，節(jié)省用料(BOM)及電路板空間，相較于分立的方式實(shí)現(xiàn)的門極驅(qū)動解決方案，可提高方案的可靠度。每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)門極驅(qū)動，同時(shí)每一個(gè)門極驅(qū)動都需要一個(gè)功率器件。英飛凌提供一系列擁有各種結(jié)構(gòu)類型、電壓等級、隔離級別、保護(hù)功能和封裝選項(xiàng)的驅(qū)動芯片產(chǎn)品。這些靈活的門極驅(qū)動芯片是英飛凌分立式器件和模塊——包括硅MOSFET(CoolMOS?、OptiMOS?和StrongIRFET?)和碳化硅MOSFET(CoolSIC?)、氮化鎵HEMT(CoolGaN?)，或者作為集成功率模塊的一部分(CIPOS? IPM和iMOTION? smart IPM)——最完美的搭檔。

    標(biāo)簽： 門極驅(qū)動

    上傳時(shí)間： 2022-07-16

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  • 20kW全橋諧振LLC轉(zhuǎn)換器

    此評估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SIC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統(tǒng)性能，該電路通?？捎糜陔妱悠嚨目焖貲C充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SIC MOSFET設(shè)計(jì)，具有開爾文源極連接，可改善開關(guān)損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設(shè)有一個(gè)凹口，以增加蠕變距離，以適應(yīng)更高電壓的SIC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SIC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSICMOSFET時(shí)，評估轉(zhuǎn)換器級效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。

    標(biāo)簽： 全橋諧振 LLC轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間： 2022-07-17

    上傳用戶：zhaiyawei

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