亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲蟲首頁| 資源下載| 資源專輯| 精品軟件
登錄| 注冊

RAM-Disk

  • 這是我用vhdl語言

    這是我用vhdl語言,在fpga內(nèi)部做了一個雙口ram的程序。我的郵箱:wleechina@163.com

    標簽: vhdl 語言

    上傳時間: 2013-09-02

    上傳用戶:jhksyghr

  • FPGA和PC機之間串行通信對輸出正弦波頻率的控制

    1、 利用FLEX10的片內(nèi)RAM資源,根據(jù)DDS原理,設(shè)計產(chǎn)生正弦信號的各功能模塊和頂層原理圖; 2、 利用實驗板上的TLC7259轉(zhuǎn)換器,將1中得到的正弦信號,通過D/A轉(zhuǎn)換,通過ME5534濾波后在示波器上觀察; 3、 輸出波形要求: 在輸入時鐘頻率為16KHz時,輸出正弦波分辨率達到1Hz; 在輸入時鐘頻率為4MHz時,輸出正弦波分辨率達到256Hz; 4、 通過RS232C通信,實現(xiàn)FPGA和PC機之間串行通信,從而實現(xiàn)用PC機改變頻率控制字,實現(xiàn)對輸出正弦波頻率的控制。

    標簽: FPGA PC機 串行通信 輸出

    上傳時間: 2013-09-06

    上傳用戶:zhuimenghuadie

  • Proteus6.7是目前最好的模擬單片機外圍器件的工具

    Proteus6.7是目前最好的模擬單片機外圍器件的工具,真的很不錯。可以仿真51系列、AVR,PIC等常用的MCU及其外圍電路(如LCD,RAM,ROM,鍵盤,馬達,LED,AD/DA,部分SPI器件,部分IIC器件,...) 其實proteus與multisim比較類似,只不過它可以仿真MCU!

    標簽: Proteus 6.7 模擬 單片機

    上傳時間: 2013-09-29

    上傳用戶:swz13842860183

  • PROTEUS仿真用單片機系統(tǒng)板

    PROTEUS仿真用單片機系統(tǒng)板\r\n系統(tǒng)資源豐富:\r\n★ 內(nèi)置RAM 32KB模塊\r\n★ 內(nèi)置8位動態(tài)數(shù)碼顯示模塊\r\n★ 內(nèi)置8X8點陣顯示模塊\r\n★ 4位靜態(tài)數(shù)碼顯示模塊\r\n★ 4位級聯(lián)的74LS164串并轉(zhuǎn)換模塊\r\n★ 內(nèi)置8通道8位A/D轉(zhuǎn)換\r\n★ 內(nèi)置8位D/A轉(zhuǎn)換\r\n★ 內(nèi)置2路SPI和I2C總線接口\r\n★ 內(nèi)置4路1-Wire總線接口\r\n★ 內(nèi)置4X4矩陣式鍵盤\r\n★ 內(nèi)置4路獨立式鍵盤\r\n★ 內(nèi)置4路撥動開關(guān)\r\n★ 內(nèi)置8位LED發(fā)光二

    標簽: PROTEUS 仿真 用單片機 系統(tǒng)板

    上傳時間: 2013-09-30

    上傳用戶:sssl

  • 在軟件Proteus中仿真ucos(ARM)

    在軟件Proteus中仿真ucos(ARM)\r\n1.移植除了OS_CPU.h,OS_CPU_A.s,OS_CPU_C.C 三個函數(shù)外,對中斷專門用了一個函數(shù)OS_int_A.s 按其中的規(guī)則寫中斷函數(shù)即可. \r\n2。應(yīng)用實例為\\ArmUCOS\\App\\test1\\test.mcp,在周立功2104的板子上的ram中就可直接運行(code+data

    標簽: Proteus ucos ARM 軟件

    上傳時間: 2013-09-30

    上傳用戶:s363994250

  • ADSP-BF531在嵌入式語音識別系統(tǒng)中的應(yīng)用

      設(shè)計了一個嵌入式語音識別系統(tǒng),該系統(tǒng)硬件平臺以ADSP-BF531為核心,采用離散隱馬爾可夫模型(DHMM)檢測和識別算法完成了對非特定人的孤立詞語音識別。試驗結(jié)果表明,該系統(tǒng)對非特定人短詞匯的綜合識別率在90%以上。該系統(tǒng)具有小型、高速、可靠以及擴展性好等特點;可應(yīng)用于許多特定場合,有很好的市場前景。文中講述了該系統(tǒng)CODEC、片外RAM、ROM以及CPLD等與DSP的接口設(shè)計,語音識別運用的矢量量化、Mel倒譜參數(shù)、Viterbi等有關(guān)算法及其實際應(yīng)用效果。

    標簽: ADSP-BF 531 嵌入式 中的應(yīng)用

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:rolypoly152

  • 一種DDS任意波形發(fā)生器的ROM優(yōu)化方法

    提出了一種改進的基于直接頻率合成技術(shù)(DDS)的任意波形發(fā)生器在現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)上的實現(xiàn)方法。首先將三角波、正弦波、方波和升/降鋸齒波的波形數(shù)據(jù)寫入片外存儲器,當調(diào)用時再將相應(yīng)的數(shù)據(jù)移入FPGA的片上RAM,取代分區(qū)塊的將所有類型波形數(shù)據(jù)同時存儲在片上RAM中的傳統(tǒng)方法;再利用正弦波和三角波的波形在4個象限的對稱性以及鋸齒波的線性特性,通過硬件反相器對波形數(shù)據(jù)和尋址地址值進行處理,實現(xiàn)了以1/4的數(shù)據(jù)量還原出精度不變的模擬信號,從而將整體的存儲量減小為原始設(shè)計方案的5%。經(jīng)驗證,這種改進方法正確可行,能夠大大降低開發(fā)成本。

    標簽: DDS ROM 任意波形發(fā)生器

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:日光微瀾

  • Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個電路設(shè)計為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計中的使用。下面是一個DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計),其中DRAM作為DSP的擴展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時鐘頻率133M。因為頻率較高,設(shè)計過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點芯片管腳處的標志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對應(yīng)管腳和3245的對應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因為我們使用四層板,在表層走線,所以要選用“Microstrip”,然后點“Value”進行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠直線間距1.4inch,對線長為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測試點增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因為時鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊制作眼圖模板。因為我們最關(guān)心的是接收端(DRAM)信號,所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊的輸入需求設(shè)計。芯片手冊中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計要求,而其他的56位都是一對一,經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計要求,但有一點需注意,就是寫數(shù)據(jù)時因為存在回沖,DRAM接收高電平在位中間會回沖到2V。因此會導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會出錯,還需要改版加串阻。

    標簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:dudu121

  • 模塊電源功能性參數(shù)指標及測試方法

      模塊電源的電氣性能是通過一系列測試來呈現(xiàn)的,下列為一般的功能性測試項目,詳細說明如下: 電源調(diào)整率(Line Regulation) 負載調(diào)整率(Load Regulation) 綜合調(diào)整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動態(tài)負載或暫態(tài)負載(Dynamic or Transient Response) 起動(Set-Up)及保持(Hold-Up)時間 常規(guī)功能(Functions)測試 1. 電源調(diào)整率   電源調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓變化時提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩(wěn)定后,分別于低輸入電壓(Min),正常輸入電壓(Normal),及高輸入電壓(Max)下測量并記錄其輸出電壓值。 電源調(diào)整率通常以一正常之固定負載(Nominal Load)下,由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負載調(diào)整率   負載調(diào)整率的定義為開關(guān)電源于輸出負載電流變化時,提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測試步驟如下:于待測電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負載狀況下熱機穩(wěn)定后,測量正常負載下之輸出電壓值,再分別于輕載(Min)、重載(Max)負載下,測量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min)),負載調(diào)整率通常以正常之固定輸入電壓下,由負載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal)    3. 綜合調(diào)整率   綜合調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓與輸出負載電流變化時,提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。這是電源調(diào)整率與負載調(diào)整率的綜合,此項測試系為上述電源調(diào)整率與負載調(diào)整率的綜合,可提供對電源供應(yīng)器于改變輸入電壓與負載狀況下更正確的性能驗證。 綜合調(diào)整率用下列方式表示:于輸入電壓與輸出負載電流變化下,其輸出電壓之偏差量須于規(guī)定之上下限電壓范圍內(nèi)(即輸出電壓之上下限絕對值以內(nèi))或某一百分比界限內(nèi)。 4. 輸出雜訊   輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負載電流均不變的情況下,其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經(jīng)過穩(wěn)壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號、高于20 KHz之高頻切換信號及其諧波,再與其它之隨機性信號所組成)),通常以mVp-p峰對峰值電壓為單位來表示。   一般的開關(guān)電源的規(guī)格均以輸出直流輸出電壓的1%以內(nèi)為輸出雜訊之規(guī)格,其頻寬為20Hz到20MHz。電源實際工作時最惡劣的狀況(如輸出負載電流最大、輸入電源電壓最低等),若電源供應(yīng)器在惡劣環(huán)境狀況下,其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時電壓,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不超過輸出高低電壓界限情形,否則將可能會導(dǎo)致電源電壓超過或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現(xiàn)象。   同時測量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配,為避免導(dǎo)線上產(chǎn)生不必要的干擾、振鈴和駐波,一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點上,并使用差動式量測方法(可避免地回路之雜訊電流),來獲得正確的測量結(jié)果。 5. 輸入功率與效率   電源供應(yīng)器的輸入功率之定義為以下之公式:   True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對一周期內(nèi)其輸入電壓與電流乘積之積分值,需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.,其中P.F.為功率因素(Power Factor),通常無功率因素校正電路電源供應(yīng)器的功率因素在0.6~0.7左右,其功率因素為1~0之間。   電源供應(yīng)器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對電源供應(yīng)器正確工作的驗證,若效率超過規(guī)定范圍,即表示設(shè)計或零件材料上有問題,效率太低時會導(dǎo)致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動態(tài)負載或暫態(tài)負載   一個定電壓輸出的電源,于設(shè)計中具備反饋控制回路,能夠?qū)⑵漭敵鲭妷哼B續(xù)不斷地維持穩(wěn)定的輸出電壓。由于實際上反饋控制回路有一定的頻寬,因此限制了電源供應(yīng)器對負載電流變化時的反應(yīng)。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時,超過180度,則電源供應(yīng)器之輸出便會呈現(xiàn)不穩(wěn)定、失控或振蕩之現(xiàn)象。實際上,電源供應(yīng)器工作時的負載電流也是動態(tài)變化的,而不是始終維持不變(例如硬盤、軟驅(qū)、CPU或RAM動作等),因此動態(tài)負載測試對電源供應(yīng)器而言是極為重要的。可編程序電子負載可用來模擬電源供應(yīng)器實際工作時最惡劣的負載情況,如負載電流迅速上升、下降之斜率、周期等,若電源供應(yīng)器在惡劣負載狀況下,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不產(chǎn)生過高激(Overshoot)或過低(Undershoot)情形,否則會導(dǎo)致電源之輸出電壓超過負載組件(如TTL電路其輸出瞬時電壓應(yīng)介于4.75V至5.25V之間,才不致引起TTL邏輯電路之誤動作)之承受電源電壓而誤動作,進一步造成死機現(xiàn)象。 7. 啟動時間與保持時間   啟動時間為電源供應(yīng)器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩(wěn)壓范圍內(nèi)為止的時間,以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例,啟動時間為從電源開機起到輸出電壓達到4.75V為止的時間。   保持時間為電源供應(yīng)器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩(wěn)壓范圍外為止的時間,以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例,保持時間為從關(guān)機起到輸出電壓低于4.75V為止的時間,一般值為17ms或20ms以上,以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。    8. 其它 在電源具備一些特定保護功能的前提下,還需要進行保護功能測試,如過電壓保護(OVP)測試、短路保護測試、過功保護等

    標簽: 模塊電源 參數(shù) 指標 測試方法

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:zouxinwang

  • N79E8132移動電源方案

    N79E8132移動電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產(chǎn)的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機,可以在-40度到85度溫度范圍內(nèi)安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內(nèi)置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內(nèi)置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用,可以根據(jù)性能需要靈活選擇工作時鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實現(xiàn)單片機進入掉電模式后的喚醒功能,具備停機、掉電模式,在產(chǎn)品不使用的時候進入掉電模式,實現(xiàn)環(huán)保節(jié)能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫,開發(fā)硬件成本低。軟件開發(fā)可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價格便宜,容易采購,可以通過外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實現(xiàn)大電流,高效率,電感小型化節(jié)省成本。 技術(shù)參數(shù) 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達500-850mA,可根據(jù)需要進行設(shè)置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達到90%以上,可根據(jù)需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據(jù)需要自行設(shè)定)     四燈全亮 75%-100%     三個指示燈亮 50%-75%     兩個燈亮 25%-55%     一個指示燈亮 5%-25%     無指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個指示燈閃     25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃     50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃     75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃     100% 四個指示燈長亮。 5.智能保護:     低電保護:電池電壓低于3V時自動關(guān)閉升壓     放電保護:放電電流大于額定電流自動關(guān)閉升壓輸出(1A模式設(shè)置為1.5A保護)     溫度保護:檢測電池溫度,高于55度自動關(guān)閉升壓輸出(可選)     低電流關(guān)機:當外部設(shè)備的電流需求小于100mA時,關(guān)閉升壓輸出以節(jié)省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個LED顯示剩余電量3~5秒自動關(guān)閉   按鍵長按, LED點亮,閃爍3次后開啟升壓,顯示電量,30秒內(nèi)沒有連接外部設(shè)備自動關(guān)機。   開機狀態(tài)長按,點亮照明LED,再長按熄滅照明LED,照明LED點亮狀態(tài)不會進入自動關(guān)機 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號 類型 參數(shù) 位號 封裝 數(shù)量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明

    標簽: N79E8132 移動電源 方案

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:sxdtlqqjl

主站蜘蛛池模板: 隆林| 迁安市| 杂多县| 无锡市| 桑植县| 蒙阴县| 得荣县| 聂拉木县| 汨罗市| 怀集县| 那坡县| 南漳县| 东乡县| 彭阳县| 德格县| 伊金霍洛旗| 萝北县| 新竹县| 噶尔县| 江都市| 县级市| 闻喜县| 武城县| 贡嘎县| 平和县| 信宜市| 徐水县| 资溪县| 翁牛特旗| 陆河县| 永靖县| 杭锦旗| 九江市| 石景山区| 呼图壁县| 九寨沟县| 柘荣县| 新龙县| 灯塔市| 尤溪县| 台北县|