Q01、如何使一條走線至兩個不同位置零件的距離相同? 您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的規(guī)則中來新增規(guī)則設(shè)定,最 后再用Tools/EqualizeNet Lengths 來等長化即可。 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的屬性，如何決定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..？在HELP中能找到說明嗎？市面有關(guān) SIM？PLD？的書嗎？或貴公司有講義？ 你可在零件庫自制零件時點選零件Pin腳,并在Electrical Type里,可以自行設(shè)定PIN的 屬性,您可參考臺科大的Protel sch 99se 里 面有介紹關(guān)于SIM的內(nèi)容。 Q03、請問各位業(yè)界前輩,如何能順利讀取pcad8.6版的線路圖,煩請告知 Protel 99SE只能讀取P-CAD 2000的ASCII檔案格式,所以你必須先將P-CAD8.6版的格式 轉(zhuǎn)為P-CAD 2000的檔案格式,才能讓Protel讀取。
標簽： Protel
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：daxigua
ID 型號廠家用途構(gòu)造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：13162218709
轉(zhuǎn)速傳感器信號隔離變送器,正弦波整形 主要特性: >> 轉(zhuǎn)速傳感器信號直接輸入，整形調(diào)理方波信號 >> 200mV峰值微弱信號的放大與整形 >> 正弦波、鋸齒波信號輸入，方波信號輸出 >> 不改變原波形頻率，響應(yīng)速度快 >> 電源、信號：輸入/輸出 3000VDC三隔離 >> 供電電源：5V、12V、15V或24V直流單電源供電 >> 低成本、小體積，使用方便，可靠性高 >> 標準DIN35 導(dǎo)軌式安裝 >> 尺寸：106.7x79.0x25.0mm >> 工業(yè)級溫度范圍: - 45 ~ + 85 ℃ 應(yīng)用： >> 轉(zhuǎn)速傳感器信號隔離、采集及變換 >> 汽車速度測量 >> 汽車ABS防抱死制動系統(tǒng) >> 轉(zhuǎn)速信號放大與整形 >> 地線干擾抑制 >> 電機轉(zhuǎn)速監(jiān)測系統(tǒng) >> 速度測量與報警 >> 信號無失真變送和傳輸 產(chǎn)品選型表： DIN11 IAP – S□ - P□ – O□ 輸入信號 供電電源 輸出信號 特點 代碼 Power 代碼 特點 代碼 正負信號輸入，正弦波輸入 幅度峰峰值（VP-P）：200mV~50V S1 24VDC P1 輸出電平0-5V O1 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：5V S2 12VDC P2 輸出電平0-12V O2 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：12V S3 5VDC P3 輸出電平0-24V O3 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：24V S4 15VDC P4 集電極開路輸出 O4 用戶自定義 Su 用戶自定義 Ou 產(chǎn)品選型舉例： 例 1：輸入：轉(zhuǎn)速傳感器，正弦波VP-P：200mV~10V；電源：24V ；輸出：0-5V電平 型號：DIN11 IAP S1-P1-O1 例 2：輸入：轉(zhuǎn)速傳感器，正弦波VP-P：200mV~10V；電源：12V ；輸出：0-24V電平 型號：DIN11 IAP S1-P2-O3 例 3：輸入：0-5V電平；電源：24V ；輸出：0-24V電平 型號：DIN11 IAP S2-P1-O3 例 4：輸入：0-5V電平；電源：12V ；輸出：集電極開路輸出 型號：DIN11 IAP S2-P2-O4 例 5：輸入：用戶自定義；電源：24V ；輸出：用戶自定義 型號：DIN11 IAP Su-P1-Ou
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：hebanlian
AD9880中的色彩空間轉(zhuǎn)換矩陣(CSC)是一個3 × 3矩陣，可提供矩陣中所有系數(shù)下的完全編程能力。每個系數(shù)均為12位寬，以保持信號完整性。CSC可在高達150 MHz的速度下運行，在60 Hz速率時支持1080 p。CSC支持“任意至任意”色彩空間，支持RGB、YUV、YCrCb等格式。
標簽： 9880 AD 色彩 空間轉(zhuǎn)換器
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：dragonhaixm
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：標點符號
iso u-p-o 系列直流電壓信號隔離放大器是一種將電壓信號轉(zhuǎn)換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號的混合集成電路。該ic內(nèi)部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號高效率耦合隔離變換電路等，可以將直流電壓小信號進行隔離放大（u/u）輸出或直接轉(zhuǎn)換為直流電流（u /i）信號輸出。較大的輸入阻抗（≥1 mω）,較強的帶負載能力（電流輸出＞650ω,電壓輸出≥2kω）能實現(xiàn)小信號遠程無失真的傳輸。 ic內(nèi)部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術(shù)隔離措施，使器件能滿足信號輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業(yè)級寬溫度、潮濕震動等現(xiàn)場環(huán)境要求。外接滿度校正和零點校正的多圈電位器可實現(xiàn) 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號之間的隔離和轉(zhuǎn)換。（精度線性高，隔離電壓3000vdc）
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：392210346
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計，包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶．波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計；功率合成電路的設(shè)計，特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號增益45dB，帶內(nèi)波動小于5dB。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：robter
各研究機構(gòu)提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計方案取得了一定的效果,但尚存不足。
上傳時間： 2013-11-21
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