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COOLMOS_原理結構

  • 資源大小:180 K
  • 上傳時間: 2014-12-23
  • 上傳用戶:dante55
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: COOLMOS

資 源 簡 介

看到不少網友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下:
對于常規VDMOS器件結構,大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區,大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區,就能大大提高耐壓呢?

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