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  • metricmatlab ch­ ¬ ng 4 Ma trË n - c¸ c phÐ p to¸ n vÒ ma trË n

    metricmatlab ch­ ¬ ng 4 Ma trË n - c¸ c phÐ p to¸ n vÒ ma trË n. 4.1 Kh¸ i niÖ m: - Trong MATLAB d÷ liÖ u ® Ó ® ­ a vµ o xö lý d­ íi d¹ ng ma trË n. - Ma trË n A cã n hµ ng, m cét ® ­ î c gä i lµ ma trË n cì n  m. §­ î c ký hiÖ u An  m - PhÇ n tö aij cñ a ma trË n An  m lµ phÇ n tö n» m ë hµ ng thø i, cét j . - Ma trË n ® ¬ n ( sè ® ¬ n lÎ ) lµ ma trË n 1 hµ ng 1 cét. - Ma trË n hµ ng ( 1  m ) sè liÖ u ® ­ î c bè trÝ trª n mét hµ ng. a11 a12 a13 ... a1m - Ma trË n cét ( n  1) sè liÖ u ® ­ î c bè trÝ trª n 1 cét.

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  • BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)c++實(shí)現(xiàn)

    通過(guò)c++b代碼編寫(xiě)實(shí)現(xiàn)bp神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)

    標(biāo)簽: BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

    上傳時(shí)間: 2017-01-17

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  • 射頻與微波功率放大器設(shè)計(jì).rar

    本書(shū)主要闡述設(shè)計(jì)射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設(shè)計(jì)技巧,以及將分析計(jì)算與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)相結(jié)合的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。這些方法提高了設(shè)計(jì)效率,縮短了設(shè)計(jì)周期。本書(shū)內(nèi)容覆蓋非線性電路設(shè)計(jì)方法、非線性主動(dòng)設(shè)備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設(shè)計(jì)、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)。  本書(shū)適合從事射頻與微波動(dòng)功率放大器設(shè)計(jì)的工程師、研究人員及高校相關(guān)專業(yè)的師生閱讀。 作者簡(jiǎn)介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門(mén)首席理論設(shè)計(jì)工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學(xué)、新加坡微電子學(xué)院、莫斯科通信和信息技術(shù)大學(xué)。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書(shū)作為國(guó)際微波年會(huì)論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)  1.2 散射參數(shù)  1.3 雙口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)間轉(zhuǎn)換  1.4 雙口網(wǎng)絡(luò)的互相連接  1.5 實(shí)際的雙口電路   1.5.1 單元件網(wǎng)絡(luò)   1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡(luò)  1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡(luò)  1.7 傳輸線  參考文獻(xiàn) 第2章 非線性電路設(shè)計(jì)方法  2.1 頻域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段線性近似法   2.1.3 貝塞爾函數(shù)法  2.2 時(shí)域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 準(zhǔn)線性法  2.5 諧波平衡法  參考文獻(xiàn) 第3章 非線性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信號(hào)等效電路   3.1.2 等效電路元件的確定   3.1.3 非線性I—V模型   3.1.4 非線性C.V模型   3.1.5 電荷守恒   3.1.6 柵一源電阻   3.1.7 溫度依賴性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信號(hào)等效電路   3.2.2 等效電路元件的確定   3.2.3 CIJrtice平方非線性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型   3.2.7 rrriQuint非線性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型   3.2.10 模型選擇  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信號(hào)等效電路   3.3.2 等效電路中元件的確定   3.3.3 本征z形電路與T形電路拓?fù)渲g的等效互換   3.3.4 非線性雙極器件模型  參考文獻(xiàn) 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圓圖  4.3 集中參數(shù)的匹配   4.3.1 雙極UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用傳輸線匹配   4.4.1 窄帶功率放大器設(shè)計(jì)   4.4.2 寬帶高功率放大器設(shè)計(jì)  4.5 傳輸線類型   4.5.1 同軸線   4.5.2 帶狀線   4.5.3 微帶線   4.5.4 槽線   4.5.5 共面波導(dǎo)  參考文獻(xiàn) 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口網(wǎng)絡(luò)  5.3 四口網(wǎng)絡(luò)  5.4 同軸電纜變換器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合橋  5.7 耦合線定向耦合器  參考文獻(xiàn) 第6章 功率放大器設(shè)計(jì)基礎(chǔ)  6.1 主要特性  6.2 增益和穩(wěn)定性  6.3 穩(wěn)定電路技術(shù)   6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域   6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子  6.4 線性度  6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的實(shí)際外形  參考文獻(xiàn) 第7章 高效率功率放大器設(shè)計(jì)  7.1 B類過(guò)激勵(lì)  7.2 F類電路設(shè)計(jì)  7.3 逆F類  7.4 具有并聯(lián)電容的E類  7.5 具有并聯(lián)電路的E類  7.6 具有傳輸線的E類  7.7 寬帶E類電路設(shè)計(jì)  7.8 實(shí)際的高效率RF和微波功率放大器  參考文獻(xiàn) 第8章 寬帶功率放大器  8.1 Bode—Fan0準(zhǔn)則  8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡(luò)  8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡(luò)    8.5 有耗匹配網(wǎng)絡(luò)  8.6 實(shí)際設(shè)計(jì)一瞥  參考文獻(xiàn) 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設(shè)計(jì)  9.1 Kahn包絡(luò)分離和恢復(fù)技術(shù)  9.2 包絡(luò)跟蹤  9.3 異相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 開(kāi)關(guān)模式和雙途徑功率放大器  9.6 前饋線性化技術(shù)  9.7 預(yù)失真線性化技術(shù)  9.8 手持機(jī)應(yīng)用的單片cMOS和HBT功率放大器  參考文獻(xiàn)

    標(biāo)簽: 射頻 微波功率 放大器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 8255中文資料, 數(shù)據(jù)手冊(cè)

    8255內(nèi)部包括三個(gè)并行數(shù)據(jù)輸入/輸出端口,兩個(gè)工作方式控制電路,一個(gè)讀/寫(xiě)控制邏輯電路和8位總線緩沖器。各部分功能概括如下: (1)端口A、B、CA口:是一個(gè)8位數(shù)據(jù)輸

    標(biāo)簽: 8255 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • DTMF編碼芯片HT9200的51接口程序

    ·詳細(xì)說(shuō)明:DTMF編碼芯片HT9200的51接口程序。輸入?yún)?shù)R2表示發(fā)送數(shù)據(jù)個(gè)數(shù),輸入數(shù)據(jù)與發(fā)送數(shù)據(jù)與DTMF碼的關(guān)系:00H-0 01H-1 02H-2 03H-3 04H-4 05H-5 06H-6 07H-7 08H-8 09H-9 0AH-A 0BH-B 0CH-C 0DH-D 0EH-* 0FH-#。詳細(xì)說(shuō)明參考文件內(nèi).

    標(biāo)簽: DTMF 9200 HT 編碼芯片

    上傳時(shí)間: 2013-06-02

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  • 小信號(hào)放大器的設(shè)計(jì)

    小信號(hào)放大器的設(shè)計(jì) 1. 放大器是射頻/微波系統(tǒng)的必不可少的部件。 2. 放大器有低噪聲、小信號(hào)、高增益、中功率、大功率等。 3. 放大器按工作點(diǎn)分有A、AB、B、C、D…等類型。 4. 放大器指標(biāo)有:頻率范圍、動(dòng)態(tài)范圍、增益、噪聲系數(shù)、工作效率、1dB壓縮點(diǎn)、三階交調(diào)等

    標(biāo)簽: 小信號(hào) 放大器

    上傳時(shí)間: 2013-07-23

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  • 無(wú)功功率自動(dòng)補(bǔ)償控制器

    1) 全數(shù)字化設(shè)計(jì),交流采樣,人機(jī)界面采用大屏幕點(diǎn)陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實(shí)時(shí)顯示A、B、C各相功率因數(shù)、電壓、電流、有功功率、無(wú)功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態(tài)、報(bào)警等信息。 3) 設(shè)置參數(shù)中文提示,數(shù)字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補(bǔ)償、分相補(bǔ)償、混合補(bǔ)償方案,可通過(guò)菜單操作進(jìn)行設(shè)置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼(1:2、 1:2:3、 1:2:4:8…)等投切方式。 6) 具有手動(dòng)補(bǔ)償/自動(dòng)補(bǔ)償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口(+12V),動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)于20MS。 8) 取樣物理量為無(wú)功功率,具有諧波測(cè)量及保護(hù)功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口,MODBUS標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)場(chǎng)總線協(xié)議,方便接入低壓配電系統(tǒng)。

    標(biāo)簽: 無(wú)功功率 控制器 自動(dòng)補(bǔ)償

    上傳時(shí)間: 2013-11-09

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  • 電路分析基礎(chǔ)-ppt教程

    第一章  基 礎(chǔ) 知 識(shí)由電阻、電容、電感等集中參數(shù)元件組成的電路稱為集中電路。1.1  電路與電路模型1.2  電路分析的基本變量1.3  電阻元件和獨(dú)立電源元件1.4  基爾霍夫定律1.5  受  控  源1.6  兩類約束和KCL,KVL方程的獨(dú)立性1.1  電路與電路模型1.電路2.電路的形式與功能 電路的功能基本上可以分成兩大類。一類是用來(lái)實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換、傳輸和分配。電路的另一類功能則是在信息網(wǎng)絡(luò)中,用來(lái)傳遞、儲(chǔ)存、加工和處理各種電信號(hào)。  圖1-2所示的是通信網(wǎng)的基本組成框圖。通常把輸入電路的信號(hào)稱為激勵(lì),而把經(jīng)過(guò)電路傳輸或處理后的信號(hào)稱為響應(yīng)。 3.電路模型與集中電路 構(gòu)成電路的設(shè)備和器件統(tǒng)稱為電路部件,常用的電路部件有電池、發(fā)電機(jī)、信號(hào)發(fā)生器、電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、晶體管及集成電路等。 基本的電路參數(shù)有3個(gè),即電阻、電容和電感。  基本的集中參數(shù)元件有電阻元件、電感元件和電容元件,分別用圖1-3(a),(b)和(c)來(lái)表示。

    標(biāo)簽: 電路分析基礎(chǔ) 教程

    上傳時(shí)間: 2013-10-20

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  • 高速PCB設(shè)計(jì)中的反射研究

      在高速數(shù)字電路飛速發(fā)展的今天,信號(hào)的頻率不斷提高, 信號(hào)完整性設(shè)計(jì)在P C B設(shè)計(jì)中顯得日益重要。其中由于傳輸線效應(yīng)所引起的信號(hào)反射問(wèn)題是信號(hào)完整性的一個(gè)重要方面。本文研究分析了高速PCB 設(shè)計(jì)中的反射問(wèn)題的產(chǎn)生原因,并利用HyperLynx 軟件進(jìn)行了仿真,最后提出了相應(yīng)的解決方法。

    標(biāo)簽: PCB 反射

    上傳時(shí)間: 2013-10-16

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  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

    一直以來(lái), 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

    標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

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