<center id="iuwkc"></center> 3.3V轉(zhuǎn)3.3V/5V隔離模塊
上傳時(shí)間： 2014-10-26
上傳用戶：zmy123
W火電機(jī)組 儀控分冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
摘要：對(duì)LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問(wèn)題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)采樣負(fù)載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點(diǎn)或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)的頻率補(bǔ)償。與傳統(tǒng)方法相比，該電路大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能。 關(guān)鍵詞：LDo；穩(wěn)定性；ESR；動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償
標(biāo)簽： LDO 線性穩(wěn)壓器 動(dòng)態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：gtf1207
LDO 基本原理與設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： LDO
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：silenthink
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過(guò)程中，系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來(lái)的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。
標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：niumeng16
LDO使用之熱阻考慮
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：bs2005
本文詳細(xì)講述了如何選擇電源芯片，開關(guān)電源和LDO在選用時(shí)的注意事項(xiàng)
標(biāo)簽： LDO 如何選擇 電源芯片 開關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：米卡
隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪聲電源供電時(shí)，時(shí)鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無(wú)法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對(duì)一種基本 LDO 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質(zhì)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測(cè)量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩(wěn)壓器（例如：低壓降電壓穩(wěn)壓器，LDO），始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢(shì)。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。 基本 LDO 拓?fù)? 一個(gè)簡(jiǎn)單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個(gè)基本控制環(huán)路，其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動(dòng)無(wú)關(guān)。 圖 1 顯示了一個(gè) LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號(hào)通路。輸出電壓 VOUT 通過(guò)反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓 VGATE。最后，誤差信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸出晶體管 NFET，以對(duì) VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。 圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路 簡(jiǎn)單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍(lán)色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號(hào)，其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jiwy
介紹了一種反對(duì)稱漸變波導(dǎo)微帶探針過(guò)渡結(jié)構(gòu)，采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性，并對(duì)影響過(guò)渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析，得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB，回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。
標(biāo)簽： W波段 對(duì)稱 探針 轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：名爵少年
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
