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LDO-LS-W

  • LDO-LS-W5 3.3V轉3.3V/5V隔離模塊

    3.3V轉3.3V/5V隔離模塊

    標簽: 3.3 LDO-LS-W 隔離 模塊

    上傳時間: 2014-10-26

    上傳用戶:zmy123

  • W火電機組 儀控分冊

    W火電機組 儀控分冊

    標簽: 火電機組

    上傳時間: 2013-04-15

    上傳用戶:eeworm

  • LDO線性穩壓器動態頻率補償電路設計

    摘要:對LDO線性穩壓器關鍵技術進行了分析,重點分析了LDO穩壓器的穩定性問題,在此基礎上提出了一種新型的動態頻率補償電路,利用MOS管的開關電阻、寄生電容等構成的電阻電容網絡,通過采樣負載電流而改變MOS開關管的工作點或工作狀態,即改變開關電阻、寄生電容的值,從而實現動態的頻率補償。與傳統方法相比,該電路大大提高了系統的瞬態響應性能。 關鍵詞:LDo;穩定性;ESR;動態頻率補償

    標簽: LDO 線性穩壓器 動態 電路設計

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:gtf1207

  • LDO基本原理與設計介紹

    LDO 基本原理與設計

    標簽: LDO

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:silenthink

  • 一種無片外電容LDO的穩定性分析

    電路如果存在不穩定性因素,就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標簽: LDO 無片外電容 穩定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • 一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計

    利用RC高通電路的思想,針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度,而且瞬態增強電路工作的過程中,系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明:整個LDO是靜態電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當負載電流在10 ns內由100 mA降到50 mA時,其建立時間由原來的和28 μs減少到8 μs;而在負載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內,由1.8 V跳變到2.3 V時,輸出電壓的建立時間由47 μs降低為15 μs。

    標簽: LDO 無片外電容 瞬態 電路設計

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

  • LDO使用之熱阻考慮

    LDO使用之熱阻考慮

    標簽: LDO 熱阻

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:bs2005

  • 如何選擇電源芯片,開關電源和LDO

    本文詳細講述了如何選擇電源芯片,開關電源和LDO在選用時的注意事項

    標簽: LDO 如何選擇 電源芯片 開關電源

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:米卡

  • 德州儀器技術專家分享:LDO噪聲詳解

      隨著通信信道的復雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數據轉換器器 件,而這些器件的性能又非常依賴于系統電源軌的質量。當使用一個高噪聲電源供電時,時鐘或者轉換器 IC 無法達到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲,便會對性能產生極大的負面影響。本文將對一種基本 LDO 拓撲進行仔細研究,找出其主要噪聲源,并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。   表明電源品質的一個關鍵參數是其噪聲輸出,它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性,線性電壓穩壓器(例如:低壓降電壓穩壓器,LDO),始終比開關式穩壓器有優勢。這讓其成為噪聲敏感型應用的選擇。   基本 LDO 拓撲   一個簡單的線性電壓穩壓器包含一個基本控制環路,其負反饋與內部參考比較,以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負載電流的變化或者擾動無關。    圖 1 顯示了一個 LDO 穩壓器的基本結構圖。紅色箭頭表示負反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓,以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負輸入端的參考電壓 VREF 比較,提供柵極驅動電壓 VGATE。最后,誤差信號驅動輸出晶體管 NFET,以對 VOUT 進行調節。    圖 1 LDO 負反饋環路    簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍色箭頭表示由常見放大器差異代表的環路子集(電壓跟隨器或者功率緩沖器)。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號,其參考 VREF。在穩定狀態下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

    標簽: LDO 德州儀器

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jiwy

  • W波段反對稱漸變探針過渡轉換的設計

    介紹了一種反對稱漸變波導微帶探針過渡結構,采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個波導微帶過渡結構在 W 頻段的特性,并對影響過渡性能的幾個因素進行了敏感性分析,得出了可供工程應用參考的設計曲線。在全波導帶寬內,實現了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結構具有寬頻帶、結構簡單和易加工等優點,可廣泛用于毫米波固態電路系統中。

    標簽: W波段 對稱 探針 轉換

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:名爵少年

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