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L1

  • 元件庫STMicroelectronics STM32 L1

    STMicroelectronics STM32 L1元件庫

    標簽: STMicroelectronics STM 32 L1 元件庫

    上傳時間: 2019-01-03

    上傳用戶:mingrw

  • STM32 L1全系列PROTEL 99SE 原理圖庫(169個)+PCB封裝庫文件

    STMicroelectronics STM32 L1全系列PROTEL 99SE 原理圖庫(169個)+PCB封裝庫文件,包括原理圖庫和PCB封裝庫,LIB后綴庫文件。

    標簽: stm32 protel99se pcb封裝

    上傳時間: 2022-01-30

    上傳用戶:kent

  • STM32 L1系列 MCU 集成庫 原理圖庫 PCB封裝庫文件

    STM32 L1系列 MCU 集成庫 原理圖庫 PCB封裝庫文件CSV text has been written to file : STM32 L1.csvLibrary Component Count : 27Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32L151C8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L151C8U6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L151CBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L151CBU6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L151R8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L151R8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L151RBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L151RBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L151V8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L151V8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L151VBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L151VBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152C8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L152C8U6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L152CBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin LQFP, TraySTM32L152CBU6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 48-pin UFQFPN, TraySTM32L152R8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L152R8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L152RBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin TFBGA, TraySTM32L152RBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-pin LQFP, TraySTM32L152V8H6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152V8T6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 64 kB Flash, 10 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152VBH6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152VBH6D      STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, 1.65 to 3.6VDD, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin UFBGA, TraySTM32L152VBT6       STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, TraySTM32L152VBT6TR     STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, Tape and ReelSTM32L152_DB        STM32L ARM-based EnergyLite 32-bit MCU, LCD, 128 kB Flash, 16 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 100-pin LQFP, Tape and Reel

    標簽: stm32 mcu

    上傳時間: 2022-04-30

    上傳用戶:trh505

  • 交通燈.rar

    51單片機交通燈實驗 c語言程序 L0.0; //主路紅燈 L0.1; //主路黃燈 L0.2; //主路綠燈 L1.0; //支路紅燈 L1.1; //支路黃燈 L1.2; //支路綠燈

    標簽: 交通燈

    上傳時間: 2013-06-25

    上傳用戶:四只眼

  • 5W充電器和適配器

    在本設計中,二極管D1到D4對AC輸入進行整流。電容C1和C2對經整流的AC進行濾波。電感L1和L2以及電容C1和C2組成一個π型濾波器,對差模傳導EMI噪聲進行衰減。這些與Power Integra

    標簽: 充電器 適配器

    上傳時間: 2013-06-27

    上傳用戶:刺猬大王子

  • PCB設計問題集錦

    PCB設計問題集錦 問:PCB圖中各種字符往往容易疊加在一起,或者相距很近,當板子布得很密時,情況更加嚴重。當我用Verify Design進行檢查時,會產生錯誤,但這種錯誤可以忽略。往往這種錯誤很多,有幾百個,將其他更重要的錯誤淹沒了,如何使Verify Design會略掉這種錯誤,或者在眾多的錯誤中快速找到重要的錯誤?!?  答:可以在顏色顯示中將文字去掉,不顯示后再檢查;并記錄錯誤數目。但一定要檢查是否真正屬于不需要的文字。 問: What’s mean of below warning:(6230,8330 L1) Latium Rule not checked: COMPONENT U26 component rule.答:這是有關制造方面的一個檢查,您沒有相關設定,所以可以不檢查。 問: 怎樣導出jop文件?答:應該是JOB文件吧?低版本的powerPCB與PADS使用JOB文件?,F在只能輸出ASC文件,方法如下STEP:FILE/EXPORT/選擇一個asc名稱/選擇Select ALL/在Format下選擇合適的版本/在Unit下選Current比較好/點擊OK/完成然后在低版本的powerPCB與PADS產品中Import保存的ASC文件,再保存為JOB文件。 問: 怎樣導入reu文件?答:在ECO與Design 工具盒中都可以進行,分別打開ECO與Design 工具盒,點擊右邊第2個圖標就可以。 問: 為什么我在pad stacks中再設一個via:1(如附件)和默認的standardvi(如附件)在布線時V選擇1,怎么布線時按add via不能添加進去這是怎么回事,因為有時要使用兩種不同的過孔。答:PowerPCB中有多個VIA時需要在Design Rule下根據信號分別設置VIA的使用條件,如電源類只能用Standard VIA等等,這樣操作時就比較方便。詳細設置方法在PowerPCB軟件通中有介紹。 問:為什么我把On-line DRC設置為prevent..移動元時就會彈出(圖2),而你們教程中也是這樣設置怎么不會呢?答:首先這不是錯誤,出現的原因是在數據中沒有BOARD OUTLINE.您可以設置一個,但是不使用它作為CAM輸出數據. 問:我用ctrl+c復制線時怎設置原點進行復制,ctrl+v粘帖時總是以最下面一點和最左邊那一點為原點 答: 復制布線時與上面的MOVE MODE設置沒有任何關系,需要在右鍵菜單中選擇,這在PowerPCB軟件通教程中有專門介紹. 問:用(圖4)進行修改線時拉起時怎總是往左邊拉起(圖5),不知有什么辦法可以輕易想拉起左就左,右就右。答: 具體條件不明,請檢查一下您的DESIGN GRID,是否太大了. 問: 好不容易拉起右邊但是用(圖6)修改線怎么改怎么下面都會有一條不能和在一起,而你教程里都會好好的(圖8)答:這可能還是與您的GRID 設置有關,不過沒有問題,您可以將不需要的那段線刪除.最重要的是需要找到布線的感覺,每個軟件都不相同,所以需要多練習。 問: 尊敬的老師:您好!這個圖已經畫好了,但我只對(如圖1)一種的完全間距進行檢查,怎么錯誤就那么多,不知怎么改進。請老師指點。這個圖在附件中請老師幫看一下,如果還有什么問題請指出來,本人在改進。謝?。。。。〈穑赫堊⒁饽腄RC SETUP窗口下的設置是錯誤的,現在選中的SAME NET是對相同NET進行檢查,應該選擇NET TO ALL.而不是SAME NET有關各項參數的含義請仔細閱讀第5部教程. 問: U101元件已建好,但元件框的拐角處不知是否正確,請幫忙CHECK 答:元件框等可以通過修改編輯來完成。問: U102和U103元件沒建完全,在自動建元件參數中有幾個不明白:如:SOIC--》silk screen欄下spacing from pin與outdent from first pin對應U102和U103元件應寫什么數值,還有這兩個元件SILK怎么自動設置,以及SILK內有個圓圈怎么才能畫得與該元件參數一致。 答:Spacing from pin指從PIN到SILK的Y方向的距離,outdent from first pin是第一PIN與SILK端點間的距離.請根據元件資料自己計算。

    標簽: PCB 設計問題 集錦

    上傳時間: 2013-10-07

    上傳用戶:comer1123

  • 華碩內部的PCB基本規范

    PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義:􀀹 PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊.􀀹 PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義:􀀹 SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直.􀀹 DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 􀀹 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil.􀀹 SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD

    標簽: PCB 華碩

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:jokey075

  • 功率解耦的單相光伏并網逆變器

    太陽能AC模塊逆變器是近年來發展非??斓募夹g,本文提出一種新型的基于反激 變換器的逆變器拓撲結構。該電路結構簡單,通過Zeta電路將功率脈動轉換成小容量電容上的 電壓脈動。大大減小了直流輸入側的低頻諧波電流,實現了良好的功率解耦。相比較其他AC模 塊逆變器中使用大電容進行功率解耦的方法, 既節省了成本又減小了體積。文中采用峰值電流控 制方案,使逆變器能夠輸出純正弦的并網電流波形和單位功率因數。最后通過仿真和實驗數據驗 證了所提新型逆變器的有效性和可行性。 關鍵詞 光伏系統 AC模塊 反激變換器 功率解耦 1 引言 隨著全球經濟的快速發展,人類對能源的需求 日益增長,傳統化石能源的大量消耗使全球面臨著 能源危機L1-2]。因此世界各國正在致力于新能源的 開發和使用。太陽能、風能、地熱能和潮汐能等能 源形式都可以為人類所利用,而這其中太陽能以其 資源豐富、分布廣泛、可以再生以及不污染環境等 優點,受到學者們的高度重視。 太陽能光伏發電是一種將太陽光輻射能通過光 伏效應,經太陽能電池直接轉換為電能的新型發電 技術_3 。目前太陽能光伏系統主要分為分散式獨 立發電系統和并網式發電系統l4j。其中后者省略 了直流環節的蓄電池組,對電能的利用更加靈活, 具有很好的發展前景。在光伏并網系統中,逆變器 決定著系統的效率以及輸出電流波形的質量,是整 個光伏發電系統的技術核心,因此研究開發新型高 效逆變器成為越來越多學者關注的焦點。 光伏逆變器的拓撲結構多種多樣,過去主要是 集中式逆變器, 目前應用較多的是串聯式逆變器和 多組串聯式逆變器[5-7 3。AC模塊逆變器是近幾年 來比較熱門的技術l8。 。在這種系統中,每組光電 模塊和一個逆變器集成到一起,形成一個AC模 塊,再將所有AC模塊的輸出并聯到一起接入電 網。這樣就消除了傳統逆變器中,由于逆變器和光 伏模塊不匹配而造成的功率損失。

    標簽: 功率解耦 光伏并網 單相 逆變器

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:liujinzhao

  • N79E8132移動電源方案

    N79E8132移動電源方案功能介紹     本方案的特色是采用新唐生產的兼容MCS-51核心的N79E8132單片機,可以在-40度到85度溫度范圍內安全工作,具備4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,內置帶隙電壓可省去外部參考電壓,內置22.1184M、11.0592M振蕩器,并具有可分頻的時鐘供單片機核心使用,可以根據性能需要靈活選擇工作時鐘,提高工作效率,具備外部中斷、按鍵中斷,可以靈活實現單片機進入掉電模式后的喚醒功能,具備停機、掉電模式,在產品不使用的時候進入掉電模式,實現環保節能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP燒寫,開發硬件成本低。軟件開發可以使用KEIL C,容易上手。     充電部分采用通用的TP4056,價格便宜,容易采購,可以通過外部元件靈活配置充電電流。     升壓部分采用日本精工的S8365,工作頻率1.2M,外置MOS,容易實現大電流,高效率,電感小型化節省成本。 技術參數 1. 輸入: USB 5V/1A ,充電電流可達500-850mA,可根據需要進行設置 2. 輸出: USB 5V/1A,效率最高可達到90%以上,可根據需要提高到2A 3. 電量指示: (可根據需要自行設定)     四燈全亮 75%-100%     三個指示燈亮 50%-75%     兩個燈亮 25%-55%     一個指示燈亮 5%-25%     無指示燈亮 5%以下 4.充電指示:     25%以下 一個指示燈閃     25%-50% 一個指示燈亮 第二個閃     50%--75% 二個指示燈亮 第三個閃     75%-99% 三個指示燈亮 第四個閃     100% 四個指示燈長亮。 5.智能保護:     低電保護:電池電壓低于3V時自動關閉升壓     放電保護:放電電流大于額定電流自動關閉升壓輸出(1A模式設置為1.5A保護)     溫度保護:檢測電池溫度,高于55度自動關閉升壓輸出(可選)     低電流關機:當外部設備的電流需求小于100mA時,關閉升壓輸出以節省電力。 6.按鍵操作:     短按按鍵,4個LED顯示剩余電量3~5秒自動關閉   按鍵長按, LED點亮,閃爍3次后開啟升壓,顯示電量,30秒內沒有連接外部設備自動關機。   開機狀態長按,點亮照明LED,再長按熄滅照明LED,照明LED點亮狀態不會進入自動關機 帶照明功能。(可選)8.原理圖 9.BOM 序號 類型 參數 位號 封裝 數量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 貼片電阻 0.1R R25 1206 1 5 貼片電阻 1A R28 1812 1 6 貼片電阻 22R R24 0603 1 7 貼片電阻 22R R30 0805 1 8 貼片電阻 100R R3 0805 1 9 貼片電阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 貼片電阻 2.4K R4 0603 1 11 貼片電阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 貼片電阻 43.2KF R46 0603 1 13 貼片電阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 貼片電阻 68KF R27 0603 1 15 貼片電阻 75KF R48 0603 1 16 貼片電阻 100K R2 R16 0603 2 17 貼片電阻 220KF R17 R26 0603 2 18 貼片電阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 貼片電容 47P C1 C7 0603 2 20 貼片電容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 貼片電容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 貼片電容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 貼片電感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二極管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二極管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能說明

    標簽: N79E8132 移動電源 方案

    上傳時間: 2013-11-16

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  • 簡易負離子發生器的制作

      簡易負離子發生器負離子增加,對人有催眠、止汗、鎮痛、增進食欲,使人精神爽快,消除疲勞的作用。圖1是負離子發生器電路圖。220V交流市電經D1整流后向C3和C2充電,當C2充電至氖泡導通并觸發SCR導通時,C3經SCR、B的L1放電,經B感應升壓后,由D2反向整流得8kV直流高壓使發生器M的分子電離而產生負離子。調整R3的阻值可以改變觸發頻率和輸出電壓。調整時必須注意安全,更換元件需撥下電源插頭

    標簽: 負離子發生器

    上傳時間: 2013-10-29

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