分析了大功率逆變電源IGBT關斷時產生電壓尖峰的機理,并對影響電壓尖峰的主要因素進行了分 析。通過應用疊層復合母排可以降低主電路母線的分布電感,設計合理的吸收電路能夠改善開關器件的開關軌跡, 抑制尖峰電壓,使開關器件運行在可靠的工作范圍內。仿真結果驗證了吸收電路的有效性。
標簽： IGBT 大功率 關斷電壓 分
上傳時間： 2013-05-25
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對IGBT 高頻逆變電焊機進行了較為詳細的分析和計算,對系統(tǒng)的構成、參數的選擇、IGBT 的驅動與保護、高頻變壓器的設計等都作了分析和研究,并經過樣機測試證明這些分析是切實可行的。隨著科學技術
標簽： IGBT 大功率 高頻逆變 電焊機
上傳時間： 2013-07-23
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·作 者： 周志敏，周紀海，紀愛華 編著出 版 社： 人民郵電出版社出版時間： 2006-3-1 內容簡介本書在介紹IGBT和IPM結構與特性的基礎上，結合國內外電力電子器件的應用和發(fā)展趨勢，全面系統(tǒng)、深入淺出地闡述了IGBT和IPM的典型電路和應用技術，突出實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件的發(fā)展和研發(fā)動向、IGBT的結構和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅動電路設計、IGBT保護電
標簽： IGBT IPM 應用電路
上傳時間： 2013-08-02
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富士電機IGBT應用手冊2011版.pdf
標簽： IGBT 2011 富士電機 應用手冊
上傳時間： 2013-06-27
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·實用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應用 466頁
標簽： IGBT SCR MOS GTR
上傳時間： 2013-07-27
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。
標簽： IGBT 模塊
上傳時間： 2013-11-03
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IGBT保護電路
標簽： IGBT 保護電路
上傳時間： 2014-12-23
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IGBT模塊的研制 (從芯片解剖到參數測試)
上傳時間： 2013-10-20
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IGBT模塊驅動及保護技術
標簽： IGBT 模塊 保護技術 驅動
上傳時間： 2013-10-19
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IGBT的作用
標簽： IGBT 注意事項
上傳時間： 2014-12-24
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