protel 99se 使用技巧以及常見問題解決方法：里面有一些protel 99se 特別技巧，還有我們經常遇到的一些問題！如何使一條走線至兩個不同位置零件的距離相同? 您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的規則中來新增規則設定,最后再用Tools/EqualizeNet Lengths 來等長化即可。 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的屬性，如何決定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..？在HELP中能找到說明嗎？市面有關 SIM？PLD？的書嗎？或貴公司有講義？ 你可在零件庫自制零件時點選零件Pin腳,并在Electrical Type里,可以自行設定PIN的 屬性,您可參考臺科大的Protel sch 99se 里面有介紹關于SIM的內容。 Q03、請問各位業界前輩,如何能順利讀取pcad8.6版的線路圖,煩請告知 Protel 99SE只能讀取P-CAD 2000的ASCII檔案格式,所以你必須先將P-CAD8.6版的格式轉為P-CAD 2000的檔案格式,才能讓Protel讀取。 Q04、請問我該如何標示線徑大小的那個平方呢 你可以將格點大小設小,還有將字形大小縮小,再放置數字的平方位置即可。 Q05、請問我一次如何更改所有組件的字型 您可以點選其中一個組件字型,再用Global的方法就可以達成你的要求。
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：yd19890720
Q01、如何使一條走線至兩個不同位置零件的距離相同? 您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的規則中來新增規則設定,最 后再用Tools/EqualizeNet Lengths 來等長化即可。 Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的屬性，如何決定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..？在HELP中能找到說明嗎？市面有關 SIM？PLD？的書嗎？或貴公司有講義？ 你可在零件庫自制零件時點選零件Pin腳,并在Electrical Type里,可以自行設定PIN的 屬性,您可參考臺科大的Protel sch 99se 里 面有介紹關于SIM的內容。 Q03、請問各位業界前輩,如何能順利讀取pcad8.6版的線路圖,煩請告知 Protel 99SE只能讀取P-CAD 2000的ASCII檔案格式,所以你必須先將P-CAD8.6版的格式 轉為P-CAD 2000的檔案格式,才能讓Protel讀取。
標簽： Protel
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：daxigua
ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：13162218709
轉速傳感器信號隔離變送器,正弦波整形 主要特性: >> 轉速傳感器信號直接輸入，整形調理方波信號 >> 200mV峰值微弱信號的放大與整形 >> 正弦波、鋸齒波信號輸入，方波信號輸出 >> 不改變原波形頻率，響應速度快 >> 電源、信號：輸入/輸出 3000VDC三隔離 >> 供電電源：5V、12V、15V或24V直流單電源供電 >> 低成本、小體積，使用方便，可靠性高 >> 標準DIN35 導軌式安裝 >> 尺寸：106.7x79.0x25.0mm >> 工業級溫度范圍: - 45 ~ + 85 ℃ 應用： >> 轉速傳感器信號隔離、采集及變換 >> 汽車速度測量 >> 汽車ABS防抱死制動系統 >> 轉速信號放大與整形 >> 地線干擾抑制 >> 電機轉速監測系統 >> 速度測量與報警 >> 信號無失真變送和傳輸 產品選型表： DIN11 IAP – S□ - P□ – O□ 輸入信號 供電電源 輸出信號 特點 代碼 Power 代碼 特點 代碼 正負信號輸入，正弦波輸入 幅度峰峰值（VP-P）：200mV~50V S1 24VDC P1 輸出電平0-5V O1 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：5V S2 12VDC P2 輸出電平0-12V O2 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：12V S3 5VDC P3 輸出電平0-24V O3 單端信號輸入， 幅度峰峰值（VP-P）：24V S4 15VDC P4 集電極開路輸出 O4 用戶自定義 Su 用戶自定義 Ou 產品選型舉例： 例 1：輸入：轉速傳感器，正弦波VP-P：200mV~10V；電源：24V ；輸出：0-5V電平 型號：DIN11 IAP S1-P1-O1 例 2：輸入：轉速傳感器，正弦波VP-P：200mV~10V；電源：12V ；輸出：0-24V電平 型號：DIN11 IAP S1-P2-O3 例 3：輸入：0-5V電平；電源：24V ；輸出：0-24V電平 型號：DIN11 IAP S2-P1-O3 例 4：輸入：0-5V電平；電源：12V ；輸出：集電極開路輸出 型號：DIN11 IAP S2-P2-O4 例 5：輸入：用戶自定義；電源：24V ；輸出：用戶自定義 型號：DIN11 IAP Su-P1-Ou
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：hebanlian
AD9880中的色彩空間轉換矩陣(CSC)是一個3 × 3矩陣，可提供矩陣中所有系數下的完全編程能力。每個系數均為12位寬，以保持信號完整性。CSC可在高達150 MHz的速度下運行，在60 Hz速率時支持1080 p。CSC支持“任意至任意”色彩空間，支持RGB、YUV、YCrCb等格式。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：dragonhaixm
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：標點符號
iso u-p-o 系列直流電壓信號隔離放大器是一種將電壓信號轉換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號的混合集成電路。該ic內部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號高效率耦合隔離變換電路等，可以將直流電壓小信號進行隔離放大（u/u）輸出或直接轉換為直流電流（u /i）信號輸出。較大的輸入阻抗（≥1 mω）,較強的帶負載能力（電流輸出＞650ω,電壓輸出≥2kω）能實現小信號遠程無失真的傳輸。 ic內部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術隔離措施，使器件能滿足信號輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業級寬溫度、潮濕震動等現場環境要求。外接滿度校正和零點校正的多圈電位器可實現 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號之間的隔離和轉換。（精度線性高，隔離電壓3000vdc）
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：392210346
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本文敘述了研制的應用于VSAT衛星通信的Ku波段30W固態功率放大器(SSPA)。闡述了該固態功率放大器的方案構成和關鍵部分的設計，包括功率合成網絡、微帶．波導轉換的設計；功率合成電路的設計，特別是波導魔T的優化設計。研制的30W固態功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號增益45dB，帶內波動小于5dB。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：robter
