1簡介本應用筆記介紹了如何采用MC9S122VL32器件，在RGB LED照明應用中實現控制和診斷功能。MC9S12ZVL32集成了一個16位微控制器（基于成熟的S12技術），一個汽車穩壓器，一個LIN接口，一個用于感應汽車電池電壓的VSUP模塊，和一個HVI引腳[1]。RGB LED照明應用采用FreeMASTER工具進行控制[2]本文檔包含AN4842SWzip文件，其中帶有X-S12ZVL32-USLED硬件和軟件文件。2 RGB LED照明應用圖1所示為RGB LED照明應用的結構框圖。藍色框表示MC9S12ZVL32模塊，淺棕色框表示軟件模塊。RGB LED通過FreeMASTER工具控制頁面[2]進行控制。ADC會感應RGB LED的電壓，并通過AMMCLIB模塊[3]計算出LED平均電流，從而實現LED診斷功能。RGB LED控制和診斷模塊可通過LIN進行監控。有關詳細描述，請參閱以下各節。2.1 RGB LED應用電路RGB LED通過MCU PWM1，PWM3和PWMS輸出進行控制，見圖2。通過MCU的輸入端AN3.AN4和AN5分別測量電阻R6，R7，R8與RGB LED的連接處電壓，見表1.MCU +s v調節器使用的是外部鎮流晶體管Q3.Q3有助于降低MCU功耗，還能提升調節器電流容量。模塊電池反接保護功能由二極管DS提供。2.2 RGB LED控制PWM模塊以16位分辨率驅動LED.由于較高的PWM分辨率，RGB LED顏色的變化很流暢。2.3 RGB LED診斷RGB LED診斷模塊報告用LED二極管電壓值和所用PWM占空比計算得到的實際LED平均電流。實際LED電壓在LED導通時由ADC采樣，在PWM信號下降沿之后紅光二極管采樣約2us，綠光二極管約4 1s，藍光二極管約6us。采樣值用來計算二極管電阻電壓。因電阻電壓及其電阻是已知的，所以可以用來計算二極管峰值電流。用已知的PWM占空比值和二極管峰值電流計算平均電流值。計算是通過AMMCLIB[3]用16位小數算法完成的。
上傳時間： 2022-06-19
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SI4463收發器性能如下：頻率范圍= 119-1050 MHz接收靈敏度= -126 dBm調制（G）FSK，4（G）FSK，（G）MSK OOK最大輸出功率+20 dBm（Si4464 / 63）低有功功耗10/13 mA RX18 mA TX + 10 dBm（Si4460）超低功耗模式30 nA關機，50 nA待機數據速率= 100 bps至1 Mbps快速的喚醒和跳躍時間電源= 1.8至3.6 V優異的選擇性能60 dB相鄰通道1 MHz時75 dB阻塞天線分集和T / R開關控制高可配置的數據包處理程序TX和RX 64字節FIFO自動頻率控制（AFC）自動增益控制（AGC）低BOM低電量檢測器溫度感應器20引腳QFN封裝IEEE 802.15.4g兼容
上傳時間： 2022-06-19
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摘要：在光伏發電系統優化的研究中，為了有效提高太陽能利用率，建立了光伏電池等效電路和數學模型，在MATLAB/Simulink仿真環境下搭建光伏電池通用工程模型，光伏電池通過串并聯方式組合成光伏陣列，并利用電導增量法原理通過控制Boost電路占空比實現光伏陣列最大功率點跟蹤（MPPT），仿真結果表明：改進模型可仿真任意光照強度、環境溫度下，不同型號光伏電池及其串并聯組合成光伏陣列的1-V特性，并能較好控制并實現MPPT，模型動態性能好，具有較強的實用性。關鍵詞：光伏電池；串并聯組合；最大功率點跟蹤
上傳時間： 2022-06-19
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在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關的性能控制， 通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉矩補償、轉差率補償等。同時， 這一檢測結果也可以用來完成對逆變單元中IGBT 實現過流保護等功能。因此在這種逆變器中， 對IGBT 驅動電路的要求相對比較簡單， 成本也比較低。這種類型的驅動芯片主要有東芝公司生產的TLP250，夏普公司生產的PC923等等。這里主要針對TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個GaAlAs 光發射二極管和一個集成光探測器， 8腳雙列封裝結構。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅動電路。圖2為TLP250 的內部結構簡圖， 表1 給出了其工作時的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開關時間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時 應 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會損壞開關性能， 電容和光耦之間的引線長度不應超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應用電路。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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論文的主要工作和研究成果可以概括為以下幾個方面：1，分析了微波射頻濾波器的基本原理，頻率變換規則。闡述了微波濾波器的新技術及其應用.2，研究分析了螺旋濾波器的基本理論，設計了一種工作在VHF/UHF波段的螺旋腔體帶阻濾波器。論文以傳統的帶狀線帶阻濾波器作為著手點，采用電容耦合短截線諧振結構，將同軸線諧振器變換成螺旋線結構，有效地縮小了濾波器的體積。3，提出了一種結構新額的微帶平面結構濾波器，采用雙模諧振器結構形式。V/在輻射貼片上開十字交叉槽線來降低諧振頻率。濾波器的輸入輸出請振臂使用L形開路結構，帶外抑制非常好，高達-33dB，二次諧波被推移到基波的3倍頻以外。論文采用理論分析與計算機輔助設計相結合的設計理念。對螺旋腔體帶阻濾波器和雙模微帶帶通濾波器進行了實物加工，實測結果與仿真結果相吻合.關鍵詞：射頻；濾波器；螺旋諧振器：雙模諧振器
標簽： 射頻濾波器
上傳時間： 2022-06-20
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1引言由于環境溫度、濕度、油污等外界條件對諸如預付費水表、預付費燃氣表、預付費熱量表等接觸式卡表的影響明顯，卡座磨損、腐蝕，以及潮氣、灰塵等大大縮短了對卡表的使用壽命，因此非接觸卡表已成為當前發展趨勢。這里給出了一種基于射頻器件MFRCS22"的智能儀表設計，提高了智能儀表的使命壽命。2 MFRC522簡介2.1 MFRC522的特點MFRC522采用串行通信方式與主機通信，可根據用戶需求，選用SPIPC或串行UART工作模式，有利于減少連線，縮小PCB板面積，降低成本。MFRC522主要特點如下：高度集成的調制解調電路，采用少量外部器件，即可將輸出驅動級接至天線；支持ISO/EC 14443 TypeA接口和MIFARE通信協議；支持多種主機接口：10 Mbitls的SPI接口；PC接口，快速模式的速率為400 Kbit/s，高速模式的速率為3400 Kbitls；串行UART，傳輸速率可以高達1 228.8 kbits，取 RS232 口；特有的發送器掉電機制可關團內部天線驅動器，即關閉RF場，達到低功耗；內置溫度傳感器，在過熱時自動停止RF發射；獨立的多組電源供電，避免相互干擾，優化EMC特性和信號退構性能；25 V-3.6 V的低壓、低功耗，采用5 mmx5mmx0.85 mm的超小型HVQFN32封裝。
上傳時間： 2022-06-20
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Modbus尋址Modbus地址通常是包含數據類型和偏移量的5 個或6 個字符值。第一個或前兩個字符決定數據類型，最后的四個字符是符合數據類型的一個適當的值。Modbus主設備指令能將地址映射至正確的功能，以便發送到從站。1 Modbus主站尋址Modbus主設備指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是離散輸出（線圈）。(2) 10001 至19999是離散輸入（觸點）。(3) 30001 至39999是輸入寄存器（通常是模擬量輸入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 為基位，表示第一個數據值從地址1 開始。有效地址范圍將取決于從站。不同的從站將支持不同的數據類型和地址范圍。2 Modbus從站尋址Modbus從站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是實際輸出，對應于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是實際輸入，對應于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模擬輸入寄存器，對應于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，對應于V 區。Modbus從站協議允許您對Modbus主站可訪問的輸入、輸出、模擬量輸入和保持寄存器（ V 區）的數量進行限定。MBUS_INIT指令的參數MaxlQ 指定Modbus主站允許訪問的實際輸入或輸出（ I 或Q) 的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxAl 參數指定Modbus主站允許訪問的輸入寄存器（ A 丨W)的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxHold 參數指定Modbus主站允許訪問的保持寄存器（V 存儲區字）的最大數
上傳時間： 2022-06-21
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自20世紀80年代以來，以IGBT為代表的雙極型復合器件的迅速發展，使得電力電子器件沿著高電壓、大電流、高頻化、模塊化的方向發展，逆變技術日趨大容量化、高性能化，這使得采用大功率逆變電源作為艦船的主要供電電源成為可能。以igBT為主開關件的船大功逆變電源設計中，由于 KBт開關頻率、開關速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模塊已投入實際應用），流經KBT的電流迅速變化，主電路母線的分布電感產生的瞬時電壓尖峰會施加在KBT兩端，如果處理不當，會使KBT的開關工作軌跡超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作區域），從而對逆變電源的正常運行構成威脅"1.本文對大功率逆變電源KBT關斷時產生電壓尖峰的機理進行了說明，并對影響關斷電壓尖峰的主要因素進行了分析。通過應用疊層復合母排降低了主電路母線的分布電感，通過設計合適的吸收電路改善了開關軌跡，從而抑制關斷電壓尖峰，使大功率逆變電源的開關器件運行在可靠的工作范圍內。
上傳時間： 2022-06-21
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太陽能是當今發展速度居第二位的能源。太陽能光伏發電過去15年平均年增長為15%到二十世紀90年代末期以來，更是以30%以上的速度增長。目前，太陽能光伏發電的發展趨勢是由小型獨立戶用系統問大型并網系統發展。由于太陽能的波動性和隨機性，光伏電站輸出的電能波動很大。隨著這種分布式光伏并網電站的容量越來越大，其輸出功率的波動對電網的影響不容忽視。研究分布式光伏并網發電系統與電網系統的相互作用，已成為國際上大規模光伏并網電站應用領域的研究熱點，而計算機仿真技術則是研究這一內容的有效的技術手段。過去，光伏發電系統的仿真，大多是按照準穩態理論來對系統各部件建模[-2，對系統功率流進行計算，從而對系統的長期穩態性能進行評價。但在光伏并網發電系統動態性能的研究中，上述模型不能反映當太陽能輻射強度、環境溫度變化時，光伏電站運行狀態的瞬態變化以及這種變化對電網的影響。這就需要建立光伏電站的動態仿真模型。光伏陣列是分布式光伏并網電站系統的關鍵部件，其L-V特性是太陽輻射強度、環境溫度和光伏模塊參數的非線性函數。要實現光伏發電系統的動態傷真，首先一步是解決如何對光伏陣列1-V特性進行仿真模擬。該模型一旦建立，可用于模擬所研究系統的輸入電源。簡化的做法是把光伏陣列直接等效為直流電壓源。但該模型不能實時跟蹤太陽輻射強度、環境溫度變化和光伏陣列參數的變化，因而這樣的系統仿真不能反映上述參數變化對整個系統性能的影響。目前，有關這方面的工作，國內還未見公開發表的文獻。國外雖有涉及這方面的公開文獻，但所建模型主要針對特定的光伏模塊1-41，因而缺乏通用性。
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產線傳動系統采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結構；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產以來，冷床傳輸鏈運行較為穩定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現象，具體故障情況統計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現過IGBT損壞的現象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現IGBT損壞的現象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現了IGBT損壞現象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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