ALIENTEK STM32H750核心板底板 PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊：集成封裝庫：3.5TFTLCD封裝庫.IntLibATK-4.3' TFTLCD電容觸摸屏模塊_V1.2.IntLibATK-4342 4.3寸RGB屏模塊封裝庫.IntLibATK-7016&7084 7寸RGB屏模塊封裝庫.IntLibATK-NEO-6M-V2.3.IntLibATK-OV2640攝像頭模塊.IntLibATK-OV5640攝像頭模塊封裝庫.IntLibATK-SIM900A GSM模塊封裝庫.IntLibMP3模塊封裝庫.IntLibOLED模塊封裝庫.IntLibSTM32H750核心板封裝庫STM32H750核心板封裝庫.IntLibSTM32F750&H750底板封裝庫STM32F750&H750底板封裝庫.IntLib主要器件手冊列表：3710FXXX037XXFX01.pdf3710MXXX046XXFX01.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C02中文數據手冊.pdfAT8574_8574A_DS001V1.2.pdfCH340.pdfDHT11.pdfDS1820.pdfDS18B20.pdfES8388-DS.pdfES8388應用電路設計及PCB-LAYOUT注意事項.pdfET2046.pdfGT811.pdfGT9147數據手冊.pdfGT9147編程指南.pdfH27U4G8F2E(替代MT29F4G08).pdfICM20608 ProductSpec-V1.pdfICM20608 Register Map.pdfLAN8720A.pdfMD8002.pdfMP2144.pdfMP2359 AN.pdfMP2359.pdfMP3302_r0.98.pdfMT29F4G08ABADAWP.pdfnRF24L01P(新版無線模塊控制IC).PDFOTT2001A IIC協議指導.pdfOTT2001A_V02.pdfOV2640.pdfOV2640_DS(1.6).pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfOV7670.pdfOV7670_英文.pdfPAM3101DAB28.pdfPCF8574.pdfPCF8574中文手冊.pdfRT9193.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfSTM32H750XBH6.pdfTJA1050.pdfW25Q256.pdfW25Q64JV.pdfW9825G6KH.pdfXPT2046.pdf
上傳時間： 2021-12-15
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描述：空氣檢測儀主要用來測量空氣中的溫度、濕度、PM2.5、甲醛。PCB設計使用AD開發，主控芯片用STM32F103C8、溫濕度傳感器AM2302、PM2.5傳感器用夏普的GP2Y1051、甲醛傳感器采用DS-HCHO 模塊、一個2.4寸lcd，板載兩個按鍵。原理圖：PCB：
上傳時間： 2022-02-12
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解讀 5G 八大關鍵技術 【摘要】5G 不是一次革命，5G 是 4G 的延續，我相信 5G 在核心網部分不會有太 大的變動，5G 的關鍵技術集中在無線部分。 在進入主題之前，我覺得首先應該弄清楚一個問題：為什么需要 5G？不是因 為通信工程師們突然想改變世界，而炮制了一個 5G。是因為先有了需求，才有了 5G。什么需求？ 未來的網絡將會面對：1000 倍的數據容量增長，10 到 100 倍的無線設備連接， 10 到 100 倍的用戶速率需求，10 倍長的電池續航時間需求等等。坦白的講，4G 網絡無法滿足這些需求，所以 5G 就必須登場。 但是，5G 不是一次革命。5G 是 4G 的延續，我相信 5G 在核心網部分不會有 太大的變動，5G 的關鍵技術集中在無線部分。雖然 5G 最終將采用何種技術，目前 還沒有定論。不過，綜合各大高端論壇討論的焦點，我今天收集了 8 大關鍵技術。 當然，應該遠不止這些。 1.非正交多址接入技術 （Non-Orthogonal Multiple Access,NOMA） 我們知道 3G 采用直接序列碼分多址（Direct Sequence CDMA ，DS-CDMA） 技術，手機接收端使用 Rake 接收器，由于其非正交特性，就得使用快速功率控制 （Fast transmission power control ，TPC)來解決手機和小區之間的遠-近問題。 而 4G 網絡則采用正交頻分多址（
標簽： 5G
上傳時間： 2022-02-25
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上海巨微，國產藍牙芯片數據手冊，MS1793S數據手冊
上傳時間： 2022-05-17
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數字示波器的使用方法
標簽： 數字示波器
上傳時間： 2022-05-28
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RK3288資料說明：? DDR3 方案采用 4x16bit、 2x32bit 等模板；? LPDDR2 方案采用 2 x 32bit（168pin）、 1 x 32bit x 2channel（pop216pin）、 1x32bitx 2channel（pop220pin） 等模板；? LPDDR3 方案采用 2 x 32bit（178pin）模板? PMIC 方案采用 RT5C620(單節電池)、 ACT8846（雙節電池）；? Memory 默認為 eMMC Flash，兼容 Nand Flash 及 tSD 的設計；? TP 包括 COF 及三種 COB 接法；? 顯示包括 eDP、單 MIPI、雙 MIPI、 LVDS 四種兼容設計；? 3G 包括 3G-UNA（DS 7.2Mbps）、 3G-UNA LITE（DS 14.4Mbps） 兩種模組兼容；? Audio 包括 ES8323（低成本）、 ALC5631、 ALC3224（BT 語音）三種兼容；? WIFI 兼容 AP6XXX 各模開發包包含以下幾部分資料1、RK3288原廠參考原理圖，DSN原始文檔。2、RK3288發布原理圖修改記錄、規格書等3、RK3288原廠參考的DDR模板，包含DSN原理圖和pads PCB4、RK3288 PCB庫文件總的來說，拿到這份資料之后即可進行RK3288的硬件開發設計，可以畫原理圖、PCB。
上傳時間： 2022-06-12
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超聲波電機利用壓電陶瓷的逆壓電效應，將電能轉變為機械振動，再通過摩擦作用將機械振動轉變為電機的旋轉（直線）運動，進而驅動負載。壓電陶瓷作為超聲波電機的振動發生器件，其性能的優劣直接影響到電機的輸出性能。本文采用傳統的固相反應法制備P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷，研究壓電阿瓷在行被型超聲波電機中的應用及壓電性能對電機性能的影響.研究了P41和PMns-PZN-PZT壓電陶瓷材料的結構、性能、頻率溫度穩定性及極化方式對壓電陶瓷性能的影響。結果表明，這兩種材料都具有較好的介電溫度穩定性，P41具有明顯的鐵電體相變特點，PMns-PZN-PZT具有她豫-鐵電體相變特點。采用同時同向一次極化工藝改善了二次極化工藝所遺留的各極化區域ds不均勻、分區界面應力的存在導致的性能不穩定性，同時縮短了極化時間，提高了超聲波電機的輸出性能.P-41陶的極化采件為3kV/mm，120 ℃極化15 min，PMnS-PZN-PZT陶瓷的極化條件為3.5 kV/mm.140℃極化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷的性能與超聲波電機性能的相關性，探討了電機的導納、負載、啟動與關斷和溫度特性。結果表明，電機具有較好的瞬態特性，啟動時間ams，關斷時間<l ms.采用P-41壓電陶瓷電機的啟動與關斷速度比PMnS-PZIN-PZT壓電陶登電機的快，與P41壓電陶瓷具有非弛豫相變特點有關，說明P41壓電陶瓷比較適用于需要反復開關的超聲電機.同時，P41電機的Qm較小而Aar比較大（TRUM-60 1型電機），具有較好的負載驅動能力。電機的表面溫度隨運轉時間的延長迅速升高，最終在某一溫度下穩定運轉，采用PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷電機的表面溫度明顯低于采用P41壓電陶瓷的電機（TRLIM6011電機），與PMnS-PZN-PZT壓電陶瓷具有非常低的介電損耗有關，因此這種材料比較適用于需要長時間運轉的超聲波電機。預壓力對電機的性能影響很大，不同尺寸電機具有不同的驅動性能.
上傳時間： 2022-06-18
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1簡介本應用筆記介紹了如何采用MC9S122VL32器件，在RGB LED照明應用中實現控制和診斷功能。MC9S12ZVL32集成了一個16位微控制器（基于成熟的S12技術），一個汽車穩壓器，一個LIN接口，一個用于感應汽車電池電壓的VSUP模塊，和一個HVI引腳[1]。RGB LED照明應用采用FreeMASTER工具進行控制[2]本文檔包含AN4842SWzip文件，其中帶有X-S12ZVL32-USLED硬件和軟件文件。2 RGB LED照明應用圖1所示為RGB LED照明應用的結構框圖。藍色框表示MC9S12ZVL32模塊，淺棕色框表示軟件模塊。RGB LED通過FreeMASTER工具控制頁面[2]進行控制。ADC會感應RGB LED的電壓，并通過AMMCLIB模塊[3]計算出LED平均電流，從而實現LED診斷功能。RGB LED控制和診斷模塊可通過LIN進行監控。有關詳細描述，請參閱以下各節。2.1 RGB LED應用電路RGB LED通過MCU PWM1，PWM3和PWMS輸出進行控制，見圖2。通過MCU的輸入端AN3.AN4和AN5分別測量電阻R6，R7，R8與RGB LED的連接處電壓，見表1.MCU +s v調節器使用的是外部鎮流晶體管Q3.Q3有助于降低MCU功耗，還能提升調節器電流容量。模塊電池反接保護功能由二極管DS提供。2.2 RGB LED控制PWM模塊以16位分辨率驅動LED.由于較高的PWM分辨率，RGB LED顏色的變化很流暢。2.3 RGB LED診斷RGB LED診斷模塊報告用LED二極管電壓值和所用PWM占空比計算得到的實際LED平均電流。實際LED電壓在LED導通時由ADC采樣，在PWM信號下降沿之后紅光二極管采樣約2us，綠光二極管約4 1s，藍光二極管約6us。采樣值用來計算二極管電阻電壓。因電阻電壓及其電阻是已知的，所以可以用來計算二極管峰值電流。用已知的PWM占空比值和二極管峰值電流計算平均電流值。計算是通過AMMCLIB[3]用16位小數算法完成的。
上傳時間： 2022-06-19
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電磁場與微波技術專業主要從事電磁場理論、微波光波技術及其工程應用的研究，包括電磁場理論與應用、光波導理論與技術、微波毫米波技術與系統、微波毫米波集成技術、光波技術及其應用等幾個主要研究方向。研究課題主要涉及電磁理論中的輻射與散射、計算電磁學、微波毫米波器件與電路、微波毫米波通信與雷達系統、超寬帶（UWB）技術、新型天線技術、復雜目標的散射特性和復雜環境的傳播特性、光器件與光傳感技術、空間光通信與量子密鑰分配技術以及與相關學科交叉的理論與技術等。適合從事微波在介質中的傳輸，電磁場目標識別、成像，微波波譜理論與技術研究和微波、光纖傳感器，微波波譜儀、微波吸收材料的開發研制的工程人員學習。
上傳時間： 2022-07-17
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PT2466為照相機、消費品、玩具等低壓或電池供電的應用運動控制。PT2466可提供高達1.8A的輸出直流電。電流。它在電機電源（VM）上運行。從0到11V以及設備電源電壓（VCC）1.8V至5V。超低R-DS開啟允許提供SOP-8包裝。PT2466具有脈寬調制（IN1-IN2）輸入接口全保護與過電流集成保護、欠壓閉鎖和過電壓-溫度停機
標簽： pt2466
上傳時間： 2022-07-26
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