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DRAM

動態隨機存取存儲器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

通過環路串口判斷串行通信電平轉換芯片功能是否正常

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The main MIPS processor of SMP8630 comes with a JTAG interface, allowing: access to caches and da

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管腳號管腳名稱 LEVER 管腳功能描述 1 VSS 0V 電源地 2 VDD 5.0V 電源電壓 3 VEE 5.0V~(-13V) 液晶顯示器驅動電壓 4 D/I H/L D/I

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數據庫實驗五

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基于FPGA設計的sDRAM讀寫測試實驗Verilog邏輯源碼Quartus工程文件+文檔說明 DR

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DDR4標準 JESD79_4

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[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式進行設計

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全志V3s數據手冊 CPU arm-V3s

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DDR2SDRAM存儲器接口設計

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基于FPGA的SDRAM控制器設計及應用

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