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DRAM

動態隨機存取存儲器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

基于 MAXII 的CPLD 對mobil DRAM 的讀寫操作

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DRAM內存模塊的設計技術

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免費的AHDL模塊庫,包括IIC控制器,DRAM控制器,UART等28個模塊,AHDL源代碼

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2410 nand boot load!（4K DRAM) 0地址開始運行

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本程式為使用Verilog語言寫控制DRAM的控制模塊, 可以簡易的控制DRAM IC, 本程式已經過系統驗證.

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vhdl SOPC solution sram DRAM uart

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vhdl SOPC solution sram DRAM uart -2

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DRAM

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