1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ....................................................................................................... 22.1 DDR4 SDRAM Row for X4,X8 and X16 ................................................................................................................22.2 DDR4 SDRAM Ball Pitch........................................................................................................................................22.3 DDR4 SDRAM Columns for X4,X8 and X16 ..........................................................................................................22.4 DDR4 SDRAM X4/8 Ballout using MO-207......................................................................................................... 22.5 DDR4 SDRAM X16 Ballout using MO-207.............................................................................................................32.6 Pinout Description ..................................................................................................................................................52.7 DDR4 SDRAM Addressing.....................................................................................................................................73. Functional Description ...............................................................................................................................................83.1 Simplified State Diagram ....................................................................................................................................83.2 Basic Functionality..................................................................................................................................................93.3 RESET and Initialization Procedure .....................................................................................................................103.3.1 Power-up Initialization Sequence .............................................................................................................103.3.2 Reset Initialization with Stable Power ......................................................................................................113.4 Register Definition ................................................................................................................................................123.4.1 Programming the mode registers .............................................................................................................123.5 Mode Register ......................................................................................................................................................134. DDR4 SDRAM Command Description and Operation ............................................................................................. 244.1 Command Truth Table ..........................................................................................................................................244.2 CKE Truth Table ...................................................................................................................................................254.3 Burst Length, Type and Order ..............................................................................................................................264.3.1 BL8 Burst order with CRC Enabled .........................................................................................................264.4 DLL-off Mode & DLL on/off Switching procedure ................................................................................................274.4.1 DLL on/off switching procedure ...............................................................................................................274.4.2 DLL “on” to DLL “off” Procedure ..............................................................................................................274.4.3 DLL “off” to DLL “on” Procedure ..............................................................................................................284.5 DLL-off Mode........................................................................................................................................................294.6 Input Clock Frequency Change ............................................................................................................................304.7 Write Leveling.......................................................................................................................................................314.7.1 DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode ............................................324.7.2 Procedure Description .............................................................................................................................334.7.3 Write Leveling Mode Exit .........................................................................................................................34
標簽： DDR4
上傳時間： 2022-01-09
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核心板說明（1）DDR模板：RK3288-LPDDR3P232SD6-V12-20140623HXS（2）適用的平臺：RK3288；（3）支持的DDR類型：LPDDR3_2PCS*32BIT（4）最大支持容量：4G（2PCS*32BIT）；（5）板層：6 Layer；（6）貼片方式：DDR器件單面貼,其它器件雙面貼；（7）面積：35mm*35mm；
上傳時間： 2022-02-02
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感謝您使用 Altera DE教學開發板。這塊板子的著眼于為在數字邏輯，計算機組織和FPGA方面的學習提供一個理想的工具。它在硬件和CAD工具上應用先進的技術為學生和專業人員展示了一個寬廣的主題。該板具有多種特點，非常適合各大學課程在實驗室環境下的一系列設計項目和非常復雜尖端的數字系統的開發和應用。Altera公司為DE2板提供了套支持文件，例如學習指導，現成的教學實驗練習和豐富的插圖說明DE2的特點DE2板是以 Cyclonell2C35FPGA為特點的672針引腳的包裝。板上所有重要的部件都與板上的芯片相連，使用戶能夠控制板上各種的操作DE2板包括了很多開關（兼有撥動開關和按鍵），發光二極管和七段數碼管。在更多進一步的實驗中還用到了SRAM，SDRAM Fash以及16×駙字符液晶。需要進行處理器和O接口試驗時，可以簡單的用 Altera Niosll處理器和象RS-232和PS/2標準接口。進行涉及音頻和視頻的實驗時，也有標準MC、line-in video-in（TV Decoder）和VGA（10-bit dac），這些特點都能夠被用來制作CD質量的音頻應用程序和專業的視頻圖象。為了能夠設計更強大的項目，DE2還提供了USB20接口（包括主、從USB），10/100M自適應以太網，紅外（lRDA）接口，以及SD卡接口。最后，可以通過兩排擴展O口與其它用戶自定義的板子相連。
標簽： altera
上傳時間： 2022-04-01
上傳用戶：bluedrops
目前cPU+ Memory等系統集成的多芯片系統級封裝已經成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術，混載于同一封裝內的一種系統集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現系統的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發熱密度和熱阻，對封裝技術具有更大的挑戰。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數字電視（DTV）接收端子系統模塊設計的基礎上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結構上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結構，以引線鍵合的方式為互連，實現小型化系統級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關鍵的是涂布材料不導電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環條件下，受到的應力、應變、以及可能出現的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數以及芯片、粘結層的厚度等對封裝體應力應變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環境下可能產生的可靠性問題進行了實驗研究。在經過168小時濕氣預處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結果表明濕應力同樣對封裝的可靠性會產生重要影響。實驗結果也證實了，SiP封裝在濕氣環境下引入的濕應力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環條件下的應力、應變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設計的方法研究四層芯片、四層粘結薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優化設計，最終得到更優化的四層芯片疊層SiP封裝結構。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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X58主板原理圖，富士康設計，ICH10芯片組，三通道DDR
標簽： X58主板原理圖
上傳時間： 2022-05-10
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ZLG-imx6ul核心板開發板底板Altium Designer AD設計硬件原理圖文件，IoTIoT -6G 2C 6G2C -L采用 無線 核心板 核心板 和底板 組合的方式，核心和底板 組合的方式，核心和底板 組合的方式，核心和底板 組合的方式，核心和底板 組合的方式，核心和底板 組合的方式，核心采用 NXPNXPNXP基于 ARM CortexARM CortexARM Cortex ARM CortexARM Cortex ARM CortexARM Cortex -A7內核的 內核的 i.MXi.MX i.MX6UL6UL6UL應用處理器， 應用處理器， 應用處理器， 主頻最高達 主頻最高達 主頻最高達 528 MH z，核心板 核心板 配備 256256 MB MB MB DDR 3和 256 MB NAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND FlashNAND Flash NAND Flash；此外核心板 此外核心板 還支 持支持 802.11b/g/n802.11b/g/n 802.11b/g/n 802.11b/g/n 802.11b/g/n協議 WIFIWIFIWIFIWIFI、藍牙 4.0 通信功能 。主板 提供 8路 UARTUARTUARTUART、1路模擬 I2C、1路 12bit ADC 12bit ADC12bit ADC12bit ADC12bit ADC12bit ADC，支持兩通道采樣 ，支持兩通道采樣 ，支持兩通道采樣 ，支持兩通道采樣 ，支持兩通道采樣 、2路 10/100M 10/100M 10/100M以太網接口、 以太網接口、 以太網接口、 以太網接口、 1路 SD 卡電路 卡電路 、1路左右聲道 左右聲道 左右聲道 模擬音頻 模擬音頻 接口、 接口、 2路 USB HostUSB HostUSB HostUSB HostUSB HostUSB Host 接口 （1路與 USB DeviceUSB Device USB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB DeviceUSB Device 共用同一路 共用同一路 USB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTGUSB OTG）、 1路 USB USB USB USB DeviceDevice DeviceDevice 接口， 接口， 可滿足數據采集等多種 滿足數據采集等多種 滿足數據采集等多種 滿足數據采集等多種 消費電子和工業控制應用 消費電子和工業控制應用 消費電子和工業控制應用 消費電子和工業控制應用 消費電子和工業控制應用 場合 。
標簽： zlg 文件 核心 開發板 底板 altium designer ad 設計 硬件 原理圖 imx6ul
上傳時間： 2022-05-11
上傳用戶：fliang
Altera(Intel)_Cyclone_IV_EP4CE15_開發板資料硬件參考設計+邏輯例程Cyclone IV EP4CE15核心板主要特征參數如下所示：? 主控FPGA：EP4CE15F23C8N；? 主控FPGA外部時鐘源頻率：50MHz；? EP4CE15F23C8N芯片內部自帶豐富的Block RAM資源；? EP4CE15F23C8N芯片邏輯單元數為15K LE；? Cyclone IV EP4CE15板載W25Q064 SPI Flash芯片，8MB字節的存儲容量；? Cyclone IV EP4CE15板載Winbond 32MB的SDRAM，型號為W9825G6KH-6；? Cyclone IV EP4CE15核心板板載MP2315高效率DC/DC芯片提供FPGA芯片工作的3.3V電源；? Cyclone IV EP4CE15核心板引出了兩排64p、2.54mm間距的排座，可以用于外接24Bit的TFT液晶屏、CY7C68013 USB模塊、高速ADC采集模塊或者CMOS攝像頭模塊等；? Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的3路按鍵用于測試；? Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的2路LED用于測試；? Cyclone IV EP4CE15核心板引出了芯片的JTAG調試端口，采用雙排10p、2.54mm的排針；
上傳時間： 2022-05-11
上傳用戶：zhanglei193
RK3288資料說明：? DDR3 方案采用 4x16bit、 2x32bit 等模板；? LPDDR2 方案采用 2 x 32bit（168pin）、 1 x 32bit x 2channel（pop216pin）、 1x32bitx 2channel（pop220pin） 等模板；? LPDDR3 方案采用 2 x 32bit（178pin）模板? PMIC 方案采用 RT5C620(單節電池)、 ACT8846（雙節電池）；? Memory 默認為 eMMC Flash，兼容 Nand Flash 及 tSD 的設計；? TP 包括 COF 及三種 COB 接法；? 顯示包括 eDP、單 MIPI、雙 MIPI、 LVDS 四種兼容設計；? 3G 包括 3G-UNA（DS 7.2Mbps）、 3G-UNA LITE（DS 14.4Mbps） 兩種模組兼容；? Audio 包括 ES8323（低成本）、 ALC5631、 ALC3224（BT 語音）三種兼容；? WIFI 兼容 AP6XXX 各模開發包包含以下幾部分資料1、RK3288原廠參考原理圖，DSN原始文檔。2、RK3288發布原理圖修改記錄、規格書等3、RK3288原廠參考的DDR模板，包含DSN原理圖和pads PCB4、RK3288 PCB庫文件總的來說，拿到這份資料之后即可進行RK3288的硬件開發設計，可以畫原理圖、PCB。
上傳時間： 2022-06-12
上傳用戶：bluedrops
筆者詳細的談論許多在整合里會出現的微妙思路，如：如何把計數器/定時器整合在某個步驟里，從何提升模塊解讀性和擴展性。此外，在整合篇還有一個重要的討論，那就是 for，while 和 do ... while 等循環。這些都是一些順序語言的佼佼者，可是在 Verilog HDL 語言里它們就黯然失色。整合篇所討論的內容不單是循環而已，整合篇的第二個重點是理想時序和物理時序的整合。說實話，筆者自身也認為要結合“兩個時序”是一件苦差事，理想時序是 Verilog的行為，物理時序則是硬件的行為。不過在它們兩者之間又有微妙的 “黏糊點”，只要稍微利用一下這個“黏糊點”我們就可以非常輕松的寫出符合“兩個時序”的模塊，但是前提條件是充足了解“理想時序”。整合篇里還有一個重點，那就是“精密控時”。實現“精密控時”最笨的方法是被動式的設計方法，亦即一邊仿真，一邊估算時鐘的控制精度。這顯然是非常“傳統”而且“古老”的方法，雖然有效但往往就是最費精神和時間的。相反的，主動式是一種講求在代碼上和想象上實現“精密控時”的設計方法。主動式的設計方法是基于“理想時序”“建模技巧”和“仿順序操作”作為后盾的整合技巧。不說筆者吹牛，如果采用主動式的設計方法驅動 IIC 和 SDRAM 硬件，任何一段代碼都是如此合情合理。
標簽： verilogl
上傳時間： 2022-06-13
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全志（allwinner）A40i的一份參考原理圖，電路完整主芯片：全志A40i電源管理：AXP221S內存：兩片DDR存儲：emmc豐富的外設
標簽： 全志a40i
上傳時間： 2022-06-15
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