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Abstract: Class D amplifiers are typically very efficient, making them ideal candidates for portable applications that require longbattery life and low thermal dissipation. However, electromagnetic interference (EMI) is an issue that commonly accompanies theClass D switching topology. Active-emissions limiting reduces radiated emissions and enables "filterless" operation, allowingdesigners to create small, efficient portable applications with low EMI.
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：哈哈hah
Photodiodes can be broken into two categories: largearea photodiodes with their attendant high capacitance(30pF to 3000pF) and smaller area photodiodes withrelatively low capacitance (10pF or less). For optimalsignal-to-noise performance, a transimpedance amplifi erconsisting of an inverting op amp and a feedback resistoris most commonly used to convert the photodiode currentinto voltage. In low noise amplifi er design, large areaphotodiode amplifi ers require more attention to reducingop amp input voltage noise, while small area photodiodeamplifi ers require more attention to reducing op amp inputcurrent noise and parasitic capacitances.
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：hanbeidang
Most circuit designers are familiar with diode dynamiccharacteristics such as charge storage, voltage dependentcapacitance and reverse recovery time. Less commonlyacknowledged and manufacturer specifi ed is diode forwardturn-on time. This parameter describes the timerequired for a diode to turn on and clamp at its forwardvoltage drop. Historically, this extremely short time, unitsof nanoseconds, has been so small that user and vendoralike have essentially ignored it. It is rarely discussed andalmost never specifi ed. Recently, switching regulator clockrate and transition time have become faster, making diodeturn-on time a critical issue. Increased clock rates aremandated to achieve smaller magnetics size; decreasedtransition times somewhat aid overall effi ciency but areprincipally needed to minimize IC heat rise. At clock speedsbeyond about 1MHz, transition time losses are the primarysource of die heating.
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：誰偷了我的麥兜
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
Linear Technology’s high performance battery management ICsenable long battery life and run time, while providing precision charging control, constantstatus monitoring and stringent battery protection. Our proprietary design techniques seamlesslymanage multiple input sources while providing small solution footprints, faster charging and100% standalone operation. Battery and circuit protection features enable improved thermalperformance and high reliability operation.
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：yyq123456789
精確度0.05%滿刻度±1位數（Accuracy 0.05%F.S.±1digit） 可測量交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻等信號（Measuring DCA/DCV/ACA/ACV/Potentiometer/Transmitter/Pt-100/Load Cell/Resistor/etc……） 顯示范圍0-19999可任意規劃（Programmable rate 0 to 1999 digit） 小數點可任意規劃（Decimal point can be modified） 尺寸小，穩定性高（Dimension small & High stability）
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：RQB123
特點（FEATURES） 精確度0.1%滿刻度（Accuracy 0.1%F.S.） 多種輸入輸出選擇（Wide selection of input/output range） 三線式接線自動補償線路阻抗效應（3 wire configuration automatically compensate line resistance effects） 寬范圍交直流兩用電源設計（Wide input range for auxiliary power） 尺寸小，穩定性高（Dimension small & High stability）
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：Huge_Brother
特點（FEATURES） 精確度0.1%滿刻度（Accuracy 0.1%F.S.） 寬輸入范圍200ohm 至 50Kohm（Wide inpuet ranges from 200ohm to 50Kohm） 多種輸入輸出選擇（Wide selection of input/output range） 輸入與輸出1/輸出2絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘（Dielectric strength 2KVac/1min.（input/output1/output2）） 寬范圍交直流兩用電源設計（Wide input range for auxiliary power） 尺寸小，穩定性高（Dimension small & High stability）
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：sardinescn
特點（FEATURES） 精確度0.1%滿刻度（Accuracy 0.1%F.S.） 多種輸入輸出選擇（Wide selection of input/output range） 輸入與輸出1/輸出2絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘（Dielectric strength 2KVac/1min.（input/output1/output2）） 寬范圍交直流兩用電源設計（Wide input range for auxiliary power） 尺寸小，穩定性高（Dimension small & High stability）
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：qimingxing130
特點（FEATURES） 精確度0.03%滿刻度（Accuracy 0.03%F.S.） 頻率輸入范圍0.01Hz至80KHz（Input range from 0.01 Hz to 80KHz） 16 BIT 隔離類比輸出（16 bit DAC isolating analog output） 輸入與輸出1/輸出2絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘（Dielectric strength 2KVac/1min.（input/output1/output2）） 寬范圍交直流兩用電源設計（Wide input range for auxiliary power） 尺寸小，穩定性高（Dimension small & High stability）
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：dljwq
