PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)?、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
非隔離或隔離式電源驅(qū)別
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：dudu1210004
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專(zhuān)用技術(shù)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：JamesB
非接觸式感應(yīng)充電電路
標(biāo)簽： 非接觸式 感應(yīng)充電 電路
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：cjl42111
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽： NIP 非晶硅 薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
人們經(jīng)常需要從旋轉(zhuǎn)部件和其它運(yùn)動(dòng)機(jī)件上獲取各類(lèi)技術(shù)參數(shù)。隨著電子技術(shù)的發(fā)展, 非接觸測(cè)量技術(shù)越來(lái)越顯示其優(yōu)越性, 雖已在工程領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用, 但是普遍存在供電問(wèn)題, 目前非接觸供電常用的有四種形式
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：lepoke
基于超聲波技術(shù)的非接觸測(cè)距裝置
標(biāo)簽： 超聲波技術(shù) 裝置 非接觸測(cè)距
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：cylnpy
卡爾曼濾波（非矩陣）參考程序
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：ch3ch2oh
介紹了一款可以同時(shí)讀寫(xiě)接觸式卡和非接觸式卡的多功能讀卡器，詳細(xì)闡述了射頻芯片PN532和主控芯片ST2211的外圍硬件電路和整個(gè)讀卡器的軟件構(gòu)架。同時(shí)對(duì)讀卡器電源管理、低功耗設(shè)計(jì)、多通信方式融合等進(jìn)行了較詳細(xì)的分析
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：chongchongsunnan
摘要：研制了使用非接觸傳感器的溫度檢測(cè)系統(tǒng)讀系統(tǒng)以8031單片機(jī)為棱心部件．利用光纖溫度傳感器對(duì)溫度進(jìn)行采樣，通過(guò)微處理系統(tǒng)電路AD轉(zhuǎn)換接口電路、數(shù)據(jù)采集接口電路、數(shù)碼顯示電路等主要組成電路，實(shí)現(xiàn)了非接觸韞度檢測(cè)功能．檢測(cè)精度為土I℃。關(guān)鍵詞：非接觸傳感器；溫度檢測(cè)；單片機(jī)
標(biāo)簽： 非接觸 傳感器 單片機(jī) 溫度檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2014-12-27
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