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  • TI的DM355原理圖

    TI的DM355原理圖,orcad格式可以使用altium6轉為protel格式的

    標簽: 355 DM 原理圖

    上傳時間: 2013-09-10

    上傳用戶:xcy122677

  • TI運放選型

    TI運放選型

    標簽: 運放 選型

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:黃蛋的蛋黃

  • 2012黑龍江省賽區TI杯競賽題

    2012黑龍江省賽區TI杯競賽題,包括本科組和高職大專組。

    標簽: 2012 黑龍江 競賽題

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:niumeng16

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構,通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網絡,用來消除低頻增益和振蕩;三級電路通過電阻共用一組正負電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達24dB;噪聲系數小于3.5dB.兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26.5GHz本地多點通信系統中.

    標簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

  • 西門子S7-200 CPU PID控制圖解

    PID控制器由比例單元(P)、積分單元(I)和微分單元(D)組成。其輸入e (t)與輸出u (t)的關系為 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中積分的上下限分別是0和t 因此它的傳遞函數為:G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp為比例系數; TI為積分時間常數; TD為微分時間常數.  

    標簽: 200 CPU PID 西門子

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:jiiszha

  • 在單端應用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標簽: 單端應用 差分 放大器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

  • TI(運算放大器設計指南-有源濾波器)

    TI公司經典

    標簽: TI 運算放大器 設計指南 有源濾波器

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:yyq123456789

  • TI-公司msp430開發板原理圖

    TI-公司msp430開發板原理圖

    標簽: 430 msp TI 開發板原理圖

    上傳時間: 2013-12-23

    上傳用戶:digacha

  • 簡述PCB線寬和電流關系

      PCB線寬和電流關系公式   先計算Track的截面積,大部分PCB的銅箔厚度為35um(即 1oz)它乘上線寬就是截面積,注意換算成平方毫米。 有一個電流密度經驗值,為15~25安培/平方毫米。把它稱上截面積就得到通流容量。   I=KT(0.44)A(0.75), 括號里面是指數,   K為修正系數,一般覆銅線在內層時取0.024,在外層時取0.048   T為最大溫升,單位為攝氏度(銅的熔點是1060℃)   A為覆銅截面積,單位為square mil.   I為容許的最大電流,單位為安培。   一般 10mil=0.010inch=0.254mm 1A , 250mil=6.35mm 8.3A ?倍數關系,與公式不符 ?  

    標簽: PCB 電流

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:ls530720646

  • TI封裝技術

    TI封裝

    標簽: 封裝技術

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:waitingfy

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