對於輸出電壓處於輸入電壓範圍之內 (這在鋰離子電池供電型應用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉換器設計，可供采用的傳統解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
高可用性繫統常常采用雙路饋送功率分配，旨在實現冗餘並增強系統的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負載點上，最常用的是肖特基二極管，目的在於實現低損耗
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：BOBOniu
許多電信和計算應用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應用包括分布式電源繫統、負載點調節和邏輯電源轉換。
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
這是我自已剛學單片機不久做的多媒體5.1功放全套方案,這個程序還賣了8千元錢呢,今天這個程序也沒有什么價值了,把它奉獻給大家( 是用AT89C2051主控音量控制PT2258,數碼管顯示, 紅外線遙控,2.1/5.1音源選擇)包括全套原理圖,源程序,HEX文件
上傳時間： 2013-10-20
上傳用戶：sqq
☻本單元主要介紹OTNM2000網管上使用WDM/OTN子網業務管理界面進行業務配置的方法以及注意事項。 ☻學完本單元后，您應該能： l了解OTN子網交叉的功能和使用方法 l了解配置業務和保護的方法和配置規則
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：shen_dafa
線程通信 本 文 我 們 將 在VC++4.1 環 境 下 介 紹 一 個 父 進 程 和 其 子 進 程 的 通 信 實 例。 在 父 進 程Parent 窗 口 中 按 一 下 鼠 標 左 鍵， 就 會 產 生 一 個Pipe 和 啟 動 子 進 程Child， 并 從Pipe 一 端 發 送 信 息， 同 時Child 啟 動 后 會 創 建 一 個 工 作 線 程， 專 門 用 來 從 管 道 的 另 一 端 讀 入 數 據。 通 過 父 進 程 菜 單 項 的 控 制 來 改 變 圖 形 形 狀 參 數， 并 傳 給Child 使 之 在 自 己 的 窗 口 中 繪 出 響 應 的 圖 形。 下 面 分 別 就 父 進 程Parent 和 子 進 程Child 來 進 行 說 明。
上傳時間： 2015-02-26
上傳用戶：hopy
在室內環境中可結合式子母機器人系統，子機為一多功能平臺，可放置各種家庭所需之設備，而母機為一輪式機器人，經由兩者的結合，可提供高機動性與多功能的服務。在結合的技術面，傳統的吸塵器機器人與充電站之間的導航系統使用紅外線感測作為依據，當兩者間有障礙物阻擋時，紅外線感測器導航系統將會失效。因此本系統利用聲源方向做為機器人決定移動方向的依據，由於聲波傳遞的特性，即使在有障礙物的情況下，依然可以有效地偵測。此外，在移動的過程中，本系統利用光流偵測法判斷是否遭遇障礙物或是利用Support Vector Machine分類判斷與聲源之間為是否有障礙物的阻隔；若發現前方有障礙物，則啟動避障策略，用有效的方式繼續往目標移動。最後，當母機接近子機時，可根據多種紅外線感測器資訊進行子母機器人的結合，結合成功後，母機將可搭載子機成為一自由行動之機器人。
標簽： 系統
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：mhp0114
量測可變電阻的類比電壓值，並將10位元的良測結果轉換成ASCII編碼，並輸出到個人電腦上的終端機
標簽：
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：hzy5825468
使用ASP元件（請自行下載、安裝或登錄） AspUpload+AspJpeg+Jmail[或AspMail] 整合JS與FLASH套件 Highslide JS+SWFUpload+TitleView+FPV4[請自行下載] 新增相薄圖檔後[Web上傳或FTP上傳後批次新增]，自動生成TitleView／FPV4，使用的XML腳本檔。刪除或搬移圖檔，同樣更新XML腳本檔。 使用 4.1_先用記事本設定編輯config.asp/menu.asp 4.2_瀏覽器進入addphoto.asp新增相簿分類（請事先作好規劃） 4.3_瀏覽器進入index.asp[被轉到NewPhoto.asp]，簽入後按上傳圖檔，按新增相片後上傳圖檔 更詳細解說： http://www.chome.idv.tw/article.asp?id=158
標簽： AspUpload Highslide SWFUpload AspJpeg
上傳時間： 2013-12-21
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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