直接插入排序 排序過程：整個排序過程為n-1趟插入，即先將序列中第1個記錄看成是一個有序子序列，然后從第2個記錄開始，逐個進行插入，直至整個序列有序
上傳時間： 2014-01-05
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I2C程序函數是采用軟件延時的方法產生SCL脈沖,對高晶振頻率要作一定的修改 C％NG\#A1e0(本例是3us機器周期,如果系統對時間要求不是很重要的話,最好在每個單元讀寫結束時加個延時， $`Z(U n+b0T m0測試有子地址器件函數，未測試無地址的器件，適合器件地址和子地址小于256的器件， 大于256的單元的器件可以自己改寫)。 t d ` U4A!~,L C0
上傳時間： 2017-01-01
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int main(int argc,char *argv[]) { char ch while(true) { printf("*************************************\n") printf(" 1.Reader Priority\n") printf(" 2.Writer Priority\n") printf(" 3.Exit to Windows\n") printf("*************************************\n") printf("Enter your choice(1,2,3): ") do{ ch=(char)_getch() }while(ch!= 1 &&ch!= 2 &&ch!= 3 ) system("cls") if(ch== 3 ) return 0 else if(ch== 1 ) ReaderPriority("thread.dat") else WriterPriority("thread.dat") printf("\nPress Any Key to Coutinue:") _getch() system("cls") } return 0
上傳時間： 2017-01-06
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品質管理全套資料, 所謂品質 (Quality)，係指產品或服務的機能或特性之整體，以滿足顧客的需要。
上傳時間： 2013-11-25
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樹是由n(n≥0)個結點組成的有限集合T。n=0的樹稱為空樹；對n>0的樹，有:(1)僅有一個特殊的結點稱為根結點，根結點沒有前驅結點；(2)當n>1時，除根結點外其余的結點分為m(m>0)個互不相交的有限集合T1,T2，…，Tm，其中每個集合Ti本身又是一棵結構和樹類似的子樹。
上傳時間： 2014-01-01
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最長上升子序列 非常經典的問題。 給定的整數序列，請求出其最長上升子序列的長度。 有多個測試用例。每個測試用例由一個行整數組成，其中第一個是一個整數 n (1 ≤ n ≤ 10000)，表示給定序列的長度。然后是 n 個 32-bits 帶符號整數表示序列中的元素。 輸入直至沒有數據或者遇到長度 n 是非正數為止。
上傳時間： 2014-01-04
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離散卷積計算 實驗步驟： 主界面下進入實驗五的“離散卷積計算”子實驗， 輸入有限長序列 x(n) 輸入有限長序列 h(n) 鼠標單擊確定按鈕，以數值和圖形兩種方式顯示卷積結果
上傳時間： 2013-12-17
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DFT 計算 實驗步驟： 主界面下進入實驗九的“DFT計算”的子實驗。 輸入取樣點數，即有限長序列 x(n) 的長度。 輸入信號表達式，或直接輸入離散序列。 鼠標單擊確定按鈕，顯示原序列及 DFT 系數的幅度、相位。
上傳時間： 2017-07-24
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Fortran - Tóm tắ t nộ i dung mô n họ c Các khái niệ m và yế u tố trong ngô n ngữ lậ p trình FORTRAN. Các câ u lệ nh củ a ngô n ngữ FORTRAN. Cơ bả n về chư ơ ng chư ơ ng dị ch và mô i trư ờ ng lậ p trình DIGITAL Visual Fortran. Viế t và chạ y các chư ơ ng trình cho các bài toán đ ơ n giả n bằ ng ngô n ngữ FORTRAN.
上傳時間： 2013-12-25
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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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