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該文檔為功率半導體器件物理與工藝研究講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2022-02-27
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該文檔為功率半導體器件復習講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2022-02-27
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該文檔為功率半導體分立器件產(chǎn)業(yè)及標準化白皮書講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： 分立器件
上傳時間： 2022-03-01
上傳用戶：shjgzh
功率半導體器件：理論及應用,基礎知識應用
標簽： 功率半導體器件
上傳時間： 2022-05-04
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常用4000系列標準數(shù)字電路的中文名稱資料 型號 器件名稱 廠牌 備注 CD4000 雙3輸入端或非門+單非門 TI CD4001 四2輸入端或非門 HIT/NSC/TI/GOL CD4002 雙4輸入端或非門 NSC CD4006 18位串入/串出移位寄存器 NSC CD4007 雙互補對加反相器 NSC CD4008 4位超前進位全加器 NSC CD4009 六反相緩沖/變換器 NSC CD4010 六同相緩沖/變換器 NSC CD4011 四2輸入端與非門 HIT/TI CD4012 雙4輸入端與非門 NSC CD4013 雙主-從D型觸發(fā)器 FSC/NSC/TOS CD4014 8位串入/并入-串出移位寄存器 NSC CD4015 雙4位串入/并出移位寄存器 TI CD4016 四傳輸門 FSC/TI CD4017 十進制計數(shù)/分配器 FSC/TI/MOT CD4018 可預制1/N計數(shù)器 NSC/MOT CD4019 四與或選擇器 PHI CD4020 14級串行二進制計數(shù)/分頻器 FSC CD4021 08位串入/并入-串出移位寄存器 PHI/NSC CD4022 八進制計數(shù)/分配器 NSC/MOT CD4023 三3輸入端與非門 NSC/MOT/TI CD4024 7級二進制串行計數(shù)/分頻器 NSC/MOT/TI CD4025 三3輸入端或非門 NSC/MOT/TI CD4026 十進制計數(shù)/7段譯碼器 NSC/MOT/TI CD4027 雙J-K觸發(fā)器 NSC/MOT/TI CD4028 BCD碼十進制譯碼器 NSC/MOT/TI CD4029 可預置可逆計數(shù)器 NSC/MOT/TI CD4030 四異或門 NSC/MOT/TI/GOL CD4031 64位串入/串出移位存儲器 NSC/MOT/TI CD4032 三串行加法器 NSC/TI CD4033 十進制計數(shù)/7段譯碼器 NSC/TI CD4034 8位通用總線寄存器 NSC/MOT/TI CD4035 4位并入/串入-并出/串出移位寄存 NSC/MOT/TI CD4038 三串行加法器 NSC/TI CD4040 12級二進制串行計數(shù)/分頻器 NSC/MOT/TI CD4041 四同相/反相緩沖器 NSC/MOT/TI CD4042 四鎖存D型觸發(fā)器 NSC/MOT/TI CD4043 4三態(tài)R-S鎖存觸發(fā)器("1"觸發(fā)) NSC/MOT/TI CD4044 四三態(tài)R-S鎖存觸發(fā)器("0"觸發(fā)) NSC/MOT/TI CD4046 鎖相環(huán) NSC/MOT/TI/PHI CD4047 無穩(wěn)態(tài)/單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 NSC/MOT/TI CD4048 4輸入端可擴展多功能門 NSC/HIT/TI CD4049 六反相緩沖/變換器 NSC/HIT/TI CD4050 六同相緩沖/變換器 NSC/MOT/TI CD4051 八選一模擬開關 NSC/MOT/TI
上傳時間： 2022-05-05
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅動電路原理和要求的基礎上，對EXB841，M57962AL，2SD315A等幾種驅動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關器件驅動電路運行中存在的問題對驅動電路提出了功能改進和擴展方案，進行了實驗調試，并成功地應用于不同功率容量1GBT模塊的驅動，運行情況良好，提高了電源的可靠性。針對電源設備的進一步功率擴容要求，采用IGBT模塊串、并聯(lián)運行方案。對并聯(lián)模塊的均流、同步觸發(fā)、散熱、布局、布線等問題進行了詳細的分析和討論，同時也討論了串聯(lián)模塊的均壓、驅動等問題，并用仿真電路對串并聯(lián)模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯(lián)方案成功地應用于表面處理特種電源中，實際運行表明1GBT模塊的串并聯(lián)擴容是可行的。關鍵i：IGBT，驅，串聯(lián)，并聯(lián)功率開關器件在電力電子設備中占據(jù)核心的位置，它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1）在主電路拓撲設計和功率開關器件選取合理的前提下，如何可靠地驅動和保護主開關器件顯得十分關鍵。功率開關器件的驅動電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子裝置的重要部分，對整個設備的性能有很大的影響，其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅動功率開關器件。簡而言之，驅動電路的基本任務就是將控制電路傳來的信號，轉換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導通和關斷的信號。同樣的器件，采用不同的驅動電路將得到不同的開關特性。采用性能良好的驅動電路可以使功率開關器件工作在比較理想的開關狀態(tài)，同時縮短開關時間，減小開關損耗，對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅動電路的優(yōu)劣直接影響主電路的性能，因此驅動電路的合理化設計顯得越來越重要。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內(nèi)，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對中間級和末級功放晶體管進行穩(wěn)定性分析并設置其靜態(tài)工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構，使用ADS軟件對其進行仿真優(yōu)化，設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調試，最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊專輯-120冊-2.15G Tmos功率場效應晶體管原理和應用-292頁-9.9M.pdf
上傳時間： 2013-07-06
上傳用戶：wang5829
專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊專輯-120冊-2.15G 國內(nèi)外功率晶體管實用手冊-下冊-1439頁-20.5M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：mpquest
專輯類-器件數(shù)據(jù)手冊專輯-120冊-2.15G VMOS功率場效應晶體管及其應用-225頁-3.2M.pdf
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：vans
