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開(kāi)關(guān)功率器件

  • protel的常用器件庫

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    標簽: protel 常用器件

    上傳時間: 2013-09-19

    上傳用戶:奔跑的雪糕

  • 大功率固態高功放功率合成失效分析

    功率合成器是大功率固態高功放的重要組成器件。應用散射參數原理對功率合成器的合成效率進行了研究,對一路或者幾路功率合成器輸入失效時的合成效率進行了分析,并在某型大功率固態高功放功率合成器中進行了驗證。

    標簽: 大功率 功率 合成 高功放

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:nem567397

  • 汽車防撞雷達系統功率放大器仿真設計

    設計了用于汽車防撞雷達的功率放大器,為了消除在K波段的寄生效應的影響,設計了直流偏置、輸入輸出匹配網絡、耦合隔直和電源濾波的微帶網絡。通過ADS仿真,得到了噪聲系數為2.33,最大輸出功率為18.5 dBm,增益為8.5 dB的功率放大器。文中設計的功率放大器適用于FMCW雷達系統。

    標簽: 汽車防撞 功率放大器 仿真設計 雷達系統

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:bpgfl

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 功率MOSFET驅動保護電路方案

    分析了對功率MOSFET器件的設計要求;設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單,實用性強,響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明,該電路驅動能力及保護功能效果良好。

    標簽: MOSFET 功率 驅動保護電路 方案

    上傳時間: 2014-01-25

    上傳用戶:hz07104032

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構,通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網絡,用來消除低頻增益和振蕩;三級電路通過電阻共用一組正負電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達24dB;噪聲系數小于3.5dB.兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26.5GHz本地多點通信系統中.

    標簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

  • 線性及邏輯器件選擇指南

    緒論 3線性及邏輯器件新產品優先性計算領域4PCI Express®多路復用技術USB、局域網、視頻多路復用技術I2C I/O擴展及LED驅動器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護服務器/存儲10GTL/GTL+至LVTTL轉換PCI Express信號開關多路復用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護消費醫療16電源管理信號調節I2C總線輸入/輸出擴展電平轉換靜電放電保護 手持設備22電平轉換音頻信號路由I2C基帶輸入/輸出擴展可配置小邏輯器件靜電放電保護鍵區控制娛樂燈光顯示USB接口工業自動化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機控制保持及控制:I2C I/O擴展信號調節便攜式工業(掌上電腦/掃描儀) 36多路復用USB外設卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護 對于任意外部接口連接器的端口來說,靜電放電的沖擊一直是對器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統級的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級的人體模型(HBM)靜電放電保護,但無法應付系統級的靜電放電。一個卓越的靜電放電解決方案應該是一個節省空間且經濟高效的解決方案,可保護系統的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。

    標簽: 線性 邏輯器件 選擇指南

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:mikesering

  • LVDS與高速PCB設計

    LVDS(低壓差分信號)標準ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點及其PCB (印制電路板)設計,糾正了某些錯誤認識。應用傳輸線理論分析了單線阻抗、雙線阻抗及LVDS差分阻抗計算方法,給出了計算單線阻抗和差分阻抗的公式,通過實際計算說明了差分阻抗與單線阻抗的區別,并給出了PCB布線時的幾點建議。關鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計算, PCB設計 LVDS (低壓差分信號)是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標準,其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號輸出邊緣變化很快,其信號通路表現為傳輸線特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進行PCB (印制電路板)設計時,超高速PCB設計和差分信號理論就顯得特別重要。

    標簽: LVDS PCB

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:水中浮云

  • 高電壓降壓型轉換器驅動高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。

    標簽: LED 高電壓 降壓型轉換器 驅動高功率

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:playboys0

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