為了測(cè)量某試件多點(diǎn)溫度，且溫度跨度很大，還要達(dá)到要求精度，本文利用幾種不同類型的傳感器（AD590、PT1000和K型熱電偶）進(jìn)行采集，其輸出形式（電流源、電阻和熱電勢(shì)）和大小均不相同，設(shè)計(jì)了電源電路、信號(hào)轉(zhuǎn)換電路和放大抬升電路，使各種傳感器的輸出達(dá)到統(tǒng)一的1～5 V的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)；在實(shí)驗(yàn)室利用高精度電壓、電流源和電阻箱分別對(duì)熱電偶、AD590和PT1000進(jìn)行模擬，結(jié)果表明該方法可行，調(diào)理電路的相對(duì)精度可達(dá)到0.1級(jí)。
標(biāo)簽： 溫度傳感器 信號(hào)調(diào)理 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-11
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Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：旗魚(yú)旗魚(yú)
現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)為了保證空間功率合成精度需要高精度的雷達(dá)信號(hào)，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種以AD9959為核心的高精度多通道雷達(dá)信號(hào)源。信號(hào)源利用多片AD9959產(chǎn)生32路正弦波、線性調(diào)頻以及相位編碼等多種信號(hào)形式，并設(shè)計(jì)采用AD8302對(duì)多路信號(hào)的幅度和相位進(jìn)行檢測(cè)與調(diào)整。該信號(hào)源已應(yīng)用實(shí)際工程中，現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該信號(hào)源系統(tǒng)產(chǎn)生的高頻信號(hào)頻率穩(wěn)定度高、相位幅度一致性好，完全滿足對(duì)信號(hào)源的性能指標(biāo)的要求。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：lo25643
計(jì)算二階有源濾波、一階有源濾波、阻容充放電。
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：hgmmyl
結(jié)合直接數(shù)字頻率合成（DDS）和鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過(guò)軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法，同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過(guò)程。最后對(duì)樣機(jī)的測(cè)試結(jié)果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：jiwy
給出了兩種應(yīng)用于兩級(jí)CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號(hào)建立時(shí)間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過(guò)電路級(jí)小信號(hào)等效電路的分析和仿真,對(duì)兩種補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行比較,結(jié)果驗(yàn)證了共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)相對(duì)于直接密勒補(bǔ)償技術(shù)的優(yōu)越性.
標(biāo)簽： 共源共柵 運(yùn)放 補(bǔ)償 比較
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：gengxiaochao
共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng)，在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路，且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：debuchangshi
設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：名爵少年
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
使用時(shí)鐘PLL的源同步系統(tǒng)時(shí)序分析一）回顧源同步時(shí)序計(jì)算Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup TimeHold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew + Data Rate – Hold Time下面解釋以上公式中各參數(shù)的意義：Etch Delay：與常說(shuō)的飛行時(shí)間(Flight Time)意義相同，其值并不是從仿真直接得到，而是通過(guò)仿真結(jié)果的后處理得來(lái)。請(qǐng)看下面圖示：圖一為實(shí)際電路，激勵(lì)源從輸出端，經(jīng)過(guò)互連到達(dá)接收端，傳輸延時(shí)如圖示Rmin，Rmax，F(xiàn)min，F(xiàn)max。圖二為對(duì)應(yīng)輸出端的測(cè)試負(fù)載電路，測(cè)試負(fù)載延時(shí)如圖示Rising，F(xiàn)alling。通過(guò)這兩組值就可以計(jì)算得到Etch Delay 的最大和最小值。
標(biāo)簽： PLL 時(shí)鐘 同步系統(tǒng) 時(shí)序分析
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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