DATAS SEGMENT w dw 0 keybuf db 255 db 0 db 255 dup(0) ;定義鍵盤輸入需要的緩沖區 DATAS ENDS STACKS SEGMENT db 200 dup(?) STACKS ENDS CODES SEGMENT ASSUME CS:CODES,DS:DATAS,SS:STACKS START: MOV AX,DATAS MOV DS,AX mov dx,offset keybuf ;用0a號功能，輸入一個字符串 mov ah,0ah ;用回車結束 int 21h mov dl,0ah ;再進行換行，以便在下一行顯示轉換后的字符串 mov ah,2 int 21h ; push ax ; push dx ; mov dl,cl ; mov ah,02 ; int 21h ; pop dx ; pop ax mov bx,offset keybuf+1 ;取出字符串的字符個數，作為循環的次數 mov cl,[bx] mov ch,0 mov ax,0 again: inc bx mov ax,[w] push bx mov bx,16 mul bx pop bx ;是小寫字母，則轉換為大寫字母 mov [w],ax mov dl,[bx] ;取出一個字符， cmp dl,'9' jbe lab1 cmp dl,'F' jbe lab2 sub dl,32 lab2: sub dl ,07h lab1: sub dl,30h add [w],dx loop again mov ax,[w] mov bx,-1 push bx mov bx,10 lab3 :mov dx,0 div bx push dx cmp ax,0 jnz lab3 lab5: pop dx cmp dx,-1 jz lab4 add dl,30h mov ah,02 int 21h jmp lab5 ;循環，處理完整個字符串 lab4: MOV AH,4CH INT 21H CODES ENDS END START
標簽： 匯編
上傳時間： 2015-04-02
上傳用戶：wcc0310
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標簽： java寫的天堂服務端代碼
上傳時間： 2015-06-19
上傳用戶：Zachary
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上傳時間： 2016-06-10
上傳用戶：sanon
msp430The LDC1312 and LDC1314 are 2- and 4-channel, 1? Easy-to-use – minimal configuration required 12-bit inductance to digital converters (LDCs) for ? Measure up to 4 sensors with one IC inductive sensing solutions. With multiple channels ? Multiple channels support environmental and and support for remote sensing, the LDC1312 and aging compensation LDC1314 enable the performance and reliability benefits of inductive sensing to be realized at minimal? Multi-channel remote sensing provides lowest cost and power. The products are easy to use, onlysystem cost requiring that the sensor frequency be within 1 kHz ? Pin-compatible medium and high-resolution and 10 MHz to begin sensing. The wide 1 kHz to 10 options MHz sensor frequency range also enables use of very small PCB coils, further reducing sensing– LDC1312/4: 2/4-ch 12-bit LDC solution cost and size.– LDC1612/4: 2/4-ch 28
上傳時間： 2016-07-22
上傳用戶：tongmoonsky
#include "string.h" #include "ctype.h" #include "stdio.h" search(char pd[]) {FILE *fp; int time=0,i=0,j=0,add[80],k=0,m; char *ch, str[900]; m=strlen(pd); if((fp=fopen("haha.txt","r"))==NULL) { printf("Cannot open this file\n"); exit(0); } for(;!feof(fp);i++) { str[i]=fgetc(fp); if(tolower(str[i])==tolower(pd[k])) {k++; if(k==m) if(!isalpha(i-m)&&!isalpha((str[i++]=fgetc(fp)))) { time++; add[j]=i-m+1; j++; k=0; } else k=0; } } if(time) { printf("The time is:%d\n",time); printf("The adders is:\n"); for(i=0;i
標簽： 查詢學會少年宮
上傳時間： 2016-12-29
上傳用戶：767483511
#include "string.h" #include "ctype.h" #include "stdio.h" search(char pd[]) {FILE *fp; int time=0,i=0,j=0,add[80],k=0,m; char *ch, str[900]; m=strlen(pd); if((fp=fopen("haha.txt","r"))==NULL) { printf("Cannot open this file\n"); exit(0); } for(;!feof(fp);i++) { str[i]=fgetc(fp); if(tolower(str[i])==tolower(pd[k])) {k++; if(k==m) if(!isalpha(i-m)&&!isalpha((str[i++]=fgetc(fp)))) { time++; add[j]=i-m+1; j++; k=0; } else k=0; } } if(time) { printf("The time is:%d\n",time); printf("The adders is:\n"); for(i=0;i<j;i++) printf("%5d",add[i]); if(i%5==0) printf("\n"); getch(); fclose(fp); } else printf("Sorry!Cannot find the word(^_^)"); } main() { char pd[10],choose='y'; int flag=1; while(flag) {printf("In put the word you want to seqarch:"); scanf("%s",pd); search(strlwr(pd)); printf("\nWould you want to continue?(Y/N):"); getchar(); scanf("%c",&choose); if((tolower(choose))=='n') flag=0; else flag=1; } printf("Thanks for your using!Bye-bye!\n"); getch(); }
標簽： 學生專用
上傳時間： 2016-12-29
上傳用戶：767483511
0.35umCMOS製成簡介 內容含LDD,熱載子,熱載子效應,Silicided ，Polycide，Salicide等介紹
標簽： CMOS
上傳時間： 2017-03-27
上傳用戶：WHYang
可以開發類似fillzip,cuteftp等FTP工具
上傳時間： 2018-08-29
上傳用戶：Flyger
notepad2_4.2.25漢化資源文件 CSDN-tags:notepad2 sChinese 中文rc資源 Notepad2中文資源修改自： http://www.flos-freeware.ch/zip/notepad2_4.2.25_src.zip\src\Notepad2.rc
上傳時間： 2018-09-08
上傳用戶：xxagri
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
