本論文圍繞提高高速變頻電機設計水平和促進電機CAD技術發展這一主題，對高速變頻電機電磁設計和電機智能設計方法進行了深入的研究。 1.分析了集膚效應對高速變頻電機設計的影響。針對高速變頻電機轉子導體中集膚效應現象較為嚴重的特點，用有限元法對不同轉子槽型在不同頻率時的集膚效應進行了分析，并提出了一種利用有限元法的精確計算結果和人工神經網絡的非線性映射能力計算電機轉子集膚效應系數的新方法，能夠快速有效的給出轉子不同槽型不同頻率時的集膚效應系數。 2.研究了電壓型SPWM變頻器輸出時間諧波頻譜以及調制參數對輸出諧波的影響，為精確分析高速變頻電機的諧波效應和選擇適當的變頻器提供參考。分析了時間諧波對高速變頻電機效率、功率因數及輸出轉矩的影響，對提高高速變頻電機設計精度具有指導意義。 3.從電磁設計的角度探討了高速變頻電機設計過程，所得出的結論對于高速變頻電機設計具有指導意義。論文還提出了一個可以考慮時間諧波效應的高速變頻電機分析模型，在此基礎上編制了高速變頻電機電磁仿真程序。 4.前人工作的基礎上，進一步研究了人工智能技術在電機設計中的應用。針對電機設計不同階段的特點，首次提出了面向電機設計過程的智能設計集成推理體系。 5.從設計過程優化的角度，研究了電機設計狀態評價問題，建立了電機設計狀態綜合評價模型，能夠對電機設計的不同層次、不同階段及時進行設計狀態評價。@ @ 6.研究了基于實例推理技術在電機初始方案設計過程中的應用，首次提出了一種基于知識引導和相似優先的混合型實例檢索算法，給出了基于BP神經網絡的實例相似度判定機制，可以提高檢索效率。 7.針對傳統電機調整設計專家系統的缺陷，提出了一種新型的基于神經網絡推理機制的電機調整設計混合型專家系統模型，該模型將專家系統技術與神經網絡、電機綜合設計方法有效結合，具有并行推理和系統自學習能力，解決了調整設計過程中調整力度難以確定的問題。 8.論支還研究了基于遺傳算法的電機優化設計方法。針對遺傳算法中普遍存在的早熟收斂和搜索效率低的現象，提出了一種改進遺傳算法一變焦自適應遺傳算法，有助于提高優化效率和克服早熟。 9.在上述工作的基礎上，首次提出了支持遠程設計的電機智能設計集成平臺的概念，給出了基于軟總線和組件機制的平臺實現模型。并對集成平臺中電機模型集成技術、基于Objectorx的電機圖形繪制技術和基于Web的遠程設計支持技術等關鍵技術進行了討論。
上傳時間： 2013-04-24
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電力變壓器的渦流損耗及其在電力變壓器中造成的局部過熱問題是電力變壓器設計計算中的一個關鍵問題。電力變壓器的容量越大，漏磁場就越強，渦流損耗也就越大，以及由渦流損耗造成的局部過熱問題也就越突出。因此，如何解決這一問題就顯得至關重要。 文中首先介紹了電力變壓器渦流損耗與溫升計算的意義和目的，并論述了電力變壓器漏磁場、溫度場問題的國內外研究概況。本文應用電力變壓器和有限元的基本理論，使用大型通用有限元分析軟件Ansys對變壓器的磁場和溫度場進行分析與計算。首先建立電力變壓器三維分析模型，對電力變壓器的三維漏磁場進行準確的計算，得出了繞組及結構件上的磁感應強度分布，并對繞組中的軸向漏磁場及輻向漏磁場進行了分析對比。在此基礎上計算了由變壓器漏磁場引起的結構件渦流損耗，并把計算結果與實驗數據進行了比較，結果基本吻合，說明了計算結果的正確性及用Ansys軟件仿真分析的可行性。根據磁場分析的結果給出了減小各結構件漏磁場和渦流損耗的方法，分析了在油箱壁上安裝電磁屏蔽和對拉板開槽的作用。 在計算出繞組及結構件中渦流損耗的基礎上，對電力變壓器進行了磁—流—熱耦合場分析，采用間接耦合的方法將磁場得出的焦耳熱作為流場分析的載荷，使流場與溫度場進行耦合，得出繞組及結構件上的溫度場分布。應用相關理論對所得結果進行了分析以及提出了降低溫度的方法。論文最后使用VB語言編制了變壓器磁場、溫度場分析的仿真軟件界面，實現了參數化建模，加載，并可以從結果數據庫中提出結果數據。
上傳時間： 2013-05-22
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TCPIP協議棧LwIP的設計和實現 著名開源TCP/IP協議棧lwip的說明文檔。 Adam Dunkels著 翻譯 焦海波
上傳時間： 2013-05-27
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焦海波大蝦的一篇講解LwIP移植的文章。PDF格式。巨詳細。本人從中受益匪淺。與大家共享。
上傳時間： 2013-04-24
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LAMOST(Large Sky Area Multi-Obiect Fiber Spectroscopy Telescope，大天區面積多目標光纖光譜天文望遠鏡)需要對焦而上的4 000個光纖定位單元進行精確定位，一個光纖定位單元需要兩個步進電機來驅動，即需要對8 000個電機進行驅動控制。如何對這8 000個電機進行有效的控制，是本文主要的研究內容。 本義引入EDA(Electronic Design Automation)，技術，以FPGA和CAN總線為硬件載體來進行設計。FPGA相比較于DSP，單片機而言，具有10管腳多，資源豐富，使用靈活等優點，可以存片內集成多個電機的摔制，這樣對于提高系統的集成度，節約成本無疑有著很大的幫助。 在電機的控制當中，其失步和過沖會直接影響到系統的精度，所以需要對電機脈沖頻率加以控制，對于在平穩狀態下能正常工作的電機，失步往往發生在啟動停止等脈沖頻率突然發生改變的時刻。具體實現方法是通過實驗找出一條理想的加減速曲線，再將曲線離散化，并把離散化后的加減速分頻系數存儲在FPGA片內ROM里而，當電機運行到對應的步數時，取出分頻系數來獲取對應的運行頻率。 在LAMOST觀測中，光纖定位單元的零位是個很重要的基準，在每次觀測之前，電機都要回零，理論上電氣零位和機械零位在同一點上，如果電氣檢測到達零位則認為已經到達機械零位位置。但是實際中由于裝配等一些原因，可能會出現零位短路和零位斷路的情況。零位斷路是指電機處于機械零位，但是電氣不能檢測到；零位短路是指電機不在機械零位，但是電氣已經檢測到處于零位。這兩種情況會造成越界和機械零位一直被擠壓的后果，有可能會損壞光纖定位單元，為了防止這些情況出現，軟件程序中加入了計數器，從而從有效地保護了光纖定位單元，同時將這些狀況向上反饋，以便維護和檢修。 在本文完成之時，能夠控制驅動336個光纖定位單元的小系統已經在北京天文臺興隆觀測站實際投入運行，并于2007年5月28日獲得首條光譜，取得了不錯的效果。
上傳時間： 2013-04-24
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本文在深入分析紅外焦平面陣列熱成像系統工作原理的基礎上，根據紅外圖像處理系統的實際應用，研究了相應的圖像處理算法，為使其實時實現，本文對算法基于FPGA的高效硬件實現進行了深入研究。首先對IRFRA器件的工作原理和讀出電路結構進行了分析，敘述了相應的驅動電路設計原理和相關模擬電路的處理技術。然后，以本文設計的基于FPGA高速紅外圖像處理硬件系統為運行平臺，針對紅外溫差成像圖像高背景、低對比度的特點和系統中主要存在的非均勻性圖案噪聲，研究了非均勻性校正和直方圖投影增強算法的實時實現技術。還將基于FPGA的紅外圖像處理的實現技術，拓展到一些空域、頻域及基于直方圖的圖像處理基本算法。其中以紅外增強算法作為重點，引入了一種易于FPGA實現、基于雙閾值調節、可有效改善系統成像質量的增強算法。并在FPGA硬件平臺上成功地實現了該算法。最后，本系統還將處理后的圖像數據轉化成了全電視信號，實時地顯示在監視器上。實驗結果表明，本文設計的系統，能夠很好地完成大容量數據流的實時處理，有效地改善了圖像質量，顯著提高了圖像顯示效果。
上傳時間： 2013-07-02
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隨著紅外焦平面陣列的不斷發展，紅外技術的應用范圍將越來越廣泛。焦平面面陣探測器的一個最大的缺點是固有的非均勻性。本文首先介紹了紅外熱成像技術的發展，討論了紅外焦平面陣列的基本原理和工作方式，分析了紅外非均勻性產生的原因。其次研究了幾種主要的非均勻校正方法以及焦平面陣列元的盲元檢測和補償的方法，對紅外圖像處理技術做了研究。 本文研究的探測器是法國ULIS公司的320×240非制冷微測輻射熱計焦平面陣列探測器。主要研究對其輸出信號進行非均勻性校正和圖像增強。最后針對這一課題編寫了基于FPGA的兩點校正、兩點加一點校正、全局非均勻校正算法和紅外圖像直方圖均衡化增強程序，并對三種校正方法做了比較。
上傳時間： 2013-08-03
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隨著微電子技術的發展，國內外紅外成像技術也得到了廣泛的應用和研究。各國軍方針對現代戰爭和未來信息戰的新形勢，對熱成像技術提出了更高的要求，希望今后能研制出性能更佳、體積更小、分辨率和靈敏度更高、作用距離更遠、價格更低的紅外成像系統。 CCD 成像系統的關鍵技術是 CCD 器件設計和圖像處理。本課題通過對CCD 圖像處理技術的研究，采用嵌入式 Nios Ⅱ+FPGA 的工作方式，充分發揮嵌入式 Nios Ⅱ處理器靈活性和 FPGA 處理速度快的優點，構建出結構靈活、處理速度高以及功能完善的圖像處理系統。該系統能同時實時實現兩點校正算法、加權濾波算法、對比度增強算法以及疵點補償等多項功能。 本系統成功應用于國內某研究所研制的目前國內最大型面陣 (PtSi 512×512) CCD 焦平面探測器成像組件中，得到了良好的成像效果；同時，由該處理系統構成的 InGaAs 成像組件也處于國內領先水平。從長遠來看，該項技術應用于中電 44 所多種成像組件項目的研究中，推動了 PtSi 256×256、PtSi 512×512 焦平面探測器成像組件以及 4096×96TDI CCD 成像組件的工程化應用進程。
上傳時間： 2013-05-22
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本應用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環，實現類似于傳統35 mm單反(SLR)相機的單一位置數碼相機快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動之外，其它優勢包括：預對焦速度更快、快門按鈕更便宜。
上傳時間： 2013-10-26
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通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻數值。電阻數值越大，作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”，做為器件性能的一個重要指標，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
上傳時間： 2013-11-22
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