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CMOS和TTL電路探討

  • 資源大小:3326 K
  • 上傳時間: 2013-11-22
  • 上傳用戶:314900731
  • 資源積分:2 下載積分
  • 標      簽: CMOS TTL 電路

資 源 簡 介

通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大,作速度越低。管子的開關(guān)時間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”,做為器件性能的一個重要指標,其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。

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