<pre id="m2w2w"></pre> 恒流源（vCCS）的研究歷經(jīng)數(shù)十年，從早期的晶體管恒流源到現(xiàn)在的集成電路恒流源恒定電流在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛使用激發(fā)起人們對(duì)恒流源的研究不斷深入和多樣化。穩(wěn)恒電流在加速器中的使用是加速器結(jié)構(gòu)改善的一個(gè)標(biāo)志。從早期的單一依靠磁場(chǎng)線圈到加入勻場(chǎng)環(huán)，到校正線圈的使用，束流輸運(yùn)系統(tǒng)的改進(jìn)有效地提高了束流的品質(zhì)，校正線圈是光刻于印制電路板上的導(dǎo)線圈，將其按照方位角放置在加速腔內(nèi)，通電后，載流導(dǎo)線產(chǎn)生的橫向磁場(chǎng)就可以起到校正偏心束流的作用。顯然，穩(wěn)定可調(diào)的恒流源是校正線圈有效工作的必要條件。針對(duì)現(xiàn)在加速粒子能量的提高，對(duì)校正線圈提出了新的供電需求，本文就這一需求研究了基于功率運(yùn)算放大器的兩種壓控恒流源，為工程應(yīng)用做技術(shù)儲(chǔ)備。1設(shè)計(jì)思路用于校正線圈的恒流源供聚焦和補(bǔ)償時(shí)使用輸出功率不大，但要求調(diào)節(jié)精度高，穩(wěn)定性好，紋波小。具體技術(shù)參數(shù)為：輸出電流0~5A調(diào)節(jié)范圍0.1~5.0A；調(diào)節(jié)精度5mA；負(fù)載電阻35；紋波穩(wěn)定度優(yōu)于1（相對(duì)5A）；基準(zhǔn)電壓模塊型號(hào)為REFo1而常用作恒流電源的電真空器件穩(wěn)定電流建立時(shí)間長(zhǎng)，場(chǎng)效應(yīng)管夾斷電壓高、擊穿電壓低恒流區(qū)域窄，因此，我們選取了體積小效率高電流調(diào)節(jié)范圍寬的放大器恒流源作為研究方向?qū)嶒?yàn)基本的設(shè)計(jì)思路是通過電源板將市電降壓、整流、濾波后送入高精度電壓基準(zhǔn)源得到直流電壓，輸入功率運(yùn)算放大器，在輸出端得到放大的電流輸出，如圖1所示。
標(biāo)簽： 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2022-04-24
上傳用戶：xsr1983
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點(diǎn)eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案，目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時(shí)，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計(jì)，過去并沒有哪個(gè)技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進(jìn)至50 納米，再演進(jìn)至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì)， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新， 存儲(chǔ)器問題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來。eMMC的設(shè)計(jì)概念，就是為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1 顆MCP芯片，手機(jī)客戶只需要采購eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對(duì)Flash 的管理是個(gè)巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時(shí)間。eMMC可以很好的解決對(duì)MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時(shí)間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時(shí)間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標(biāo)簽： emmc
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：jiabin
基于Proteus仿真前言：本文詳細(xì)介紹了DS18B20原理，并在后面舉例說明了其在單片機(jī)中的應(yīng)用，所舉例子包含Proteus仿真電路圖，源程序，程序注釋詳細(xì)清楚。1、DS18B20簡(jiǎn)介：DS18B20溫度傳感器是DALLAS公司生產(chǎn)的1-wire式單總線器件，具有線路簡(jiǎn)單，體積小的特點(diǎn)，用它組成的溫度測(cè)量系統(tǒng)線路非常簡(jiǎn)單，只要求一個(gè)端口即可實(shí)現(xiàn)通信。溫度測(cè)量范圍在一55℃~+125℃之間，分辨率可以從9~12位選擇，內(nèi)部還有溫度上、下限報(bào)警設(shè)置。每個(gè)DS18B20芯片都有唯一的序列號(hào)，所以可以利用多個(gè)DS18B20同時(shí)連接在同一條總線上，組成多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)。但最多只能連接8個(gè)，如果數(shù)量過多，會(huì)使供電電源電壓過低，從而造成信號(hào)傳輸?shù)牟环€(wěn)定。2、DS18B20結(jié)構(gòu)：如右圖所示，DS18B20有三只引腳，VCC、DQ和GND。DQ為數(shù)字信號(hào)輸入/輸出端（DQ一般接控制器（單片機(jī)）的一個(gè)1/0口上，由于單總線為開漏所以需要外接一個(gè)4.7K的上拉電阻）；GND為電源地；VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時(shí)接地）。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開始8位是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的48位是該DS1B20自身的序列號(hào)，最后8位是前面56位的CRC校驗(yàn)碼（循環(huán)冗余校驗(yàn)碼）。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。溫度傳感器可完成對(duì)溫度的測(cè)量，以12位轉(zhuǎn)化為例，用16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供。
上傳時(shí)間： 2022-07-02
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本書是一部介紹半導(dǎo)體集成電路和器件技術(shù)的專業(yè)書籍。其英文版在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有很高的聲譽(yù)．被列為業(yè)界最暢銷的書籍之一，第五版的出版就是最好的證明。 本書的范圍包括半導(dǎo)體工藝的每個(gè)階段．從原材料制備到封裝、測(cè)試以及傳統(tǒng)和現(xiàn)代工藝。每章包含有習(xí)題和復(fù)習(xí)總結(jié)，并輔以豐富的術(shù)語表。本書主要特點(diǎn)是簡(jiǎn)潔明了，避開了復(fù)雜的數(shù)學(xué)理論．非常便于讀者理解。本書與時(shí)俱進(jìn)地加入了半導(dǎo)體業(yè)界的最新成果．可使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的最新趨勢(shì)。本書可作為離等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)和職業(yè)技術(shù)培訓(xùn)的教材，也可作為半導(dǎo)體專業(yè)人員的參考書。本版新增內(nèi)容? 納米技術(shù)? "綠色”工藝和器件? 300 mm 昆圖 工藝? 新的制造技術(shù)提升? 下一代光刻技術(shù)
標(biāo)簽： 芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程
上傳時(shí)間： 2022-07-16
上傳用戶：fliang
本人自已寫的一個(gè)24點(diǎn)的計(jì)算器 希望大家多多的幫我改正。 有什麼更好的算法，還請(qǐng)指點(diǎn)!
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶：z754970244
對(duì)多維的矩陣,做大量矩陣的的計(jì)算,來試探實(shí)際效能以及處理時(shí)間.
標(biāo)簽： 效能
上傳時(shí)間： 2015-03-26
上傳用戶：許小華
此為簡(jiǎn)單的32進(jìn)制轉(zhuǎn)換技巧,善加瞭解後知道要點(diǎn)後,即可製做出不同的進(jìn)制計(jì)算需求.
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2015-03-28
上傳用戶：wweqas
計(jì)算機(jī):使用java開機(jī)之計(jì)算機(jī),功能比windows所附的簡(jiǎn)易計(jì)算機(jī)還強(qiáng)大
上傳時(shí)間： 2013-12-31
上傳用戶：songyue1991
組合語言的大數(shù)加減乘除 適合組語初學(xué)者訓(xùn)練計(jì)算機(jī)科學(xué)的運(yùn)算邏輯
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2015-05-01
上傳用戶：waitingfy
計(jì)算複利息,初學(xué)者看了一定明白,因?yàn)槭?分易學(xué)易明易睇
標(biāo)簽： 分
上傳時(shí)間： 2015-08-04
上傳用戶：zhengjian
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