高速FPGA系統(tǒng)的信號(hào)完整性測(cè)試和分析,能幫助學(xué)習(xí)FPGA
標(biāo)簽： FPGA 信號(hào)完整性 測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-08-05
上傳用戶：妄想演繹師
能完全模擬DDS芯片的工作，在CPLD的輸出引腳后接上相應(yīng)的D/A轉(zhuǎn)換芯片并接上低通濾波器，將得到非常好的正旋波
上傳時(shí)間： 2013-08-09
上傳用戶：3294322651
基于FPGA的高速圖像采集和處理卡 能用于視覺檢測(cè)系統(tǒng)
標(biāo)簽： FPGA 高速圖像采集 視覺檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-08-28
上傳用戶：Shaikh
8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB
上傳時(shí)間： 2013-08-30
上傳用戶：cainaifa
如果想學(xué)習(xí)PROTEL這個(gè)肯定能幫上你的忙
標(biāo)簽： PROTEL
上傳時(shí)間： 2013-09-18
上傳用戶：落花無痕
儲(chǔ)能專刊 東芝SCiB電池解讀，LIC技術(shù)分析，
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：masochism
看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
通過對(duì)速率方程的數(shù)值求解,得到二極管泵浦調(diào)Q固體激光器的性能參數(shù),即由激光器的結(jié)構(gòu)參數(shù)和泵浦參數(shù),求解出激光器的輸出參數(shù)。然后將其求解得到的輸出與設(shè)計(jì)要求的激光器輸出進(jìn)行比較,由此對(duì)輸入的結(jié)構(gòu)參數(shù)和泵浦參數(shù)進(jìn)行反復(fù)調(diào)整,直至最終輸出參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求的誤差.
標(biāo)簽： 二極管 激光器 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：wenwiang
電子學(xué)名詞1、 電阻率---又叫電阻系數(shù)或叫比電阻。是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數(shù)值上等于用那種物質(zhì)做的長(zhǎng)1米截面積為1平方毫米的導(dǎo)線，在溫度20C時(shí)的電阻值，電阻率越大，導(dǎo)電性能越低。則物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數(shù)----表示物質(zhì)的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數(shù)值等于溫度每升高1C時(shí)，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導(dǎo)----物體傳導(dǎo)電流的本領(lǐng)叫做電導(dǎo)。在直流電路里，電導(dǎo)的數(shù)值就是電阻值的倒數(shù)，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導(dǎo)率----又叫電導(dǎo)系數(shù)，也是衡量物質(zhì)導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)物理量。大小在數(shù)值上是電阻率的倒數(shù)，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動(dòng)勢(shì)----電路中因其他形式的能量轉(zhuǎn)換為電能所引起的電位差，叫做電動(dòng)勢(shì)或者簡(jiǎn)稱電勢(shì)。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當(dāng)閉合回路中的電流發(fā)生變化時(shí)，則由這電流所產(chǎn)生的穿過回路本身磁通也發(fā)生變化，因此在回路中也將感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，這現(xiàn)象稱為自感現(xiàn)象，這種感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)叫自感電動(dòng)勢(shì)。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產(chǎn)生的磁通有一部分與第二只線圈相環(huán)鏈。當(dāng)?shù)谝痪€圈中電流發(fā)生變化時(shí)，則其與第二只線圈環(huán)鏈的磁通也發(fā)生變化，在第二只線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。這種現(xiàn)象叫做互感現(xiàn)象。8、 電感----自感與互感的統(tǒng)稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時(shí)，電感有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時(shí)，電容有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動(dòng)電流----大小隨時(shí)間變化而方向不變的電流，叫做脈動(dòng)電流。12、振幅----交變電流在一個(gè)周期內(nèi)出現(xiàn)的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時(shí)間內(nèi)流過電路的總電荷與該段時(shí)間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內(nèi)的平均值，它與振幅值的關(guān)系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個(gè)相同的電阻器件中，分別通過直流電和交流電，如果經(jīng)過同一時(shí)間，它們發(fā)出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時(shí)功率不是一個(gè)恒定值，功率在一個(gè)周期內(nèi)的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內(nèi)，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來表示，單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲(chǔ)能元件在半周期的時(shí)間里把電源能量變成磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）的能量存起來，在另半周期的時(shí)間里對(duì)已存的磁場(chǎng)（或電場(chǎng)）能量送還給電源。它們只是與電源進(jìn)行能量交換，并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標(biāo)簽： 電子學(xué)
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：zhoujunzhen
PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時(shí)必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時(shí)無法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時(shí)是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採(cǎi)購(gòu)在購(gòu)買異形零件時(shí)能顧慮製造的需求, 提高自動(dòng)置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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