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芯片設(shè)(shè)置

  • AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放大器

    AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放_(tái)大器

    標(biāo)簽: EZ-FM 5007 0.95 CN_V

    上傳時(shí)間: 2014-01-14

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  • 定時(shí)器芯片555,556,7555,7556之關(guān)的聯(lián)系與區(qū)別

    555 定時(shí)器是一種模擬和數(shù)字功能相結(jié)合的中規(guī)模集成器件。一般用雙極性工藝制作的稱為 555,用 CMOS 工藝制作的稱為 7555,除單定時(shí)器外,還有對(duì)應(yīng)的雙定時(shí)器 556/7556。555 定時(shí)器的電源電壓范圍寬,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,輸出驅(qū)動(dòng)電流約為 200mA,因而其輸出可與 TTL、CMOS 或者模擬電路電平兼容。 555 定時(shí)器成本低,性能可靠,只需要外接幾個(gè)電阻、電容,就可以實(shí)現(xiàn)多諧振蕩器、單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及施密特觸發(fā)器等脈沖產(chǎn)生與變換電路。它也常作為定時(shí)器廣泛應(yīng)用于儀器儀表、家用電器、電子測(cè)量及自動(dòng)控制等方面。555 定時(shí)器的內(nèi)部包括兩個(gè)電壓比較器,三個(gè)等值串聯(lián)電阻,一個(gè) RS 觸發(fā)器,一個(gè)放電管 T 及功率輸出級(jí)。它提供兩個(gè)基準(zhǔn)電壓VCC /3 和 2VCC /3 555 定時(shí)器的功能主要由兩個(gè)比較器決定。兩個(gè)比較器的輸出電壓控制 RS 觸發(fā)器和放電管的狀態(tài)。在電源與地之間加上電壓,當(dāng) 5 腳懸空時(shí),則電壓比較器 A1 的反相輸入端的電壓為 2VCC /3,A2 的同相輸入端的電壓為VCC /3。若觸發(fā)輸入端 TR 的電壓小于VCC /3,則比較器 A2 的輸出為 1,可使 RS 觸發(fā)器置 1,使輸出端 OUT=1。如果閾值輸入端 TH 的電壓大于 2VCC/3,同時(shí) TR 端的電壓大于VCC /3,則 A1 的輸出為 1,A2 的輸出為 0,可將 RS 觸發(fā)器置 0,使輸出為 0 電平。

    標(biāo)簽: 7555 7556 555 556

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

    上傳用戶:PresidentHuang

  • 555芯片用于組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、施密特觸發(fā)器以及多諧振蕩器

    555芯片用于組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、施密特觸發(fā)器以及多諧振蕩器。

    標(biāo)簽: 555 芯片 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 施密特觸發(fā)器

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶:fredguo

  • 74系列芯片功能大全

    74系列芯片功能大全

    標(biāo)簽: 74系列 芯片 功能大全

    上傳時(shí)間: 2013-12-21

    上傳用戶:xa_lgy

  • 秒表課程設(shè)計(jì)(非單片機(jī)的,基于74芯片的)

    秒表課程設(shè)計(jì),非單片機(jī)的,基于74芯片的

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 74芯片

    上傳時(shí)間: 2013-11-23

    上傳用戶:whenfly

  • CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

    為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力,采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì),整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì),并在一款多功能數(shù)字芯片上使用,版圖面積為1 mm×1 mm,并參與MPW(多項(xiàng)目晶圓)計(jì)劃流片,流片測(cè)試結(jié)果表明,在輸出負(fù)載很大時(shí),本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 多功能 數(shù)字芯片

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

    上傳用戶:小鵬

  • 74系列芯片手冊(cè)大全

    74系列芯片總匯

    標(biāo)簽: 74系列 芯片手冊(cè)

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:blacklee

  • 混合信號(hào)芯片STA400芯片手冊(cè)

    支持IEEE1149.4標(biāo)準(zhǔn)的芯片資料

    標(biāo)簽: STA 400 混合信號(hào) 芯片

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:dianxin61

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設(shè)計(jì)中采用了三級(jí)級(jí)聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu),通過(guò)前級(jí)源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò),用來(lái)消除低頻增益和振蕩;三級(jí)電路通過(guò)電阻共用一組正負(fù)電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達(dá)24dB;噪聲系數(shù)小于3.5dB.兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26.5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中.

    標(biāo)簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

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