一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器
上傳時間: 2013-10-18
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LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過采用一個 VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉(zhuǎn)換器的輸入範(fàn)圍向上擴展。
標(biāo)簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉(zhuǎn)換器
上傳時間: 2013-11-01
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電子設(shè)備的 ON/OFF 按鈕給繫統(tǒng)設(shè)計師帶來了一組獨特的挑戰(zhàn)
標(biāo)簽: OFF 保險 電壓監(jiān)視 按鈕
上傳時間: 2013-10-13
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LTC®4223 是一款符合微通信計算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計算機制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
標(biāo)簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案
上傳時間: 2014-12-24
上傳用戶:我累個乖乖
為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計時功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難,改善單電源供電的可靠性,設(shè)計并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片,通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓,使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動,進而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實時分配各DC/DC模塊的輸出電流,軟件采用PI算法。試驗表明,系統(tǒng)滿載效率高于80.23%,電流分配誤差最大為1.54%;電源輸出在1 s內(nèi)快速達到穩(wěn)態(tài);系統(tǒng)以4.5 A為閾值實現(xiàn)過流保護和自恢復(fù)功能。
標(biāo)簽: 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)
上傳時間: 2013-11-15
上傳用戶:王慶才
設(shè)計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。
標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護電源
上傳時間: 2013-11-11
上傳用戶:zq70996813
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間: 2014-09-08
上傳用戶:swing
為簡化總線式RS485隔離器的設(shè)計,提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術(shù)方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數(shù)據(jù)流向、在有限范圍內(nèi)波特率自適應(yīng)、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設(shè)計依據(jù)。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業(yè)環(huán)境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網(wǎng)的升級改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網(wǎng)。
標(biāo)簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式
上傳時間: 2013-10-07
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基于輸入28.5 VDC,輸出總功率180 W的機載計算機電源的設(shè)計,為滿足“GJB181飛機供電特性”中對飛機用電設(shè)備輸入28.5 VDC時過壓浪涌80 V/50ms的要求,采用檢測輸入電壓并控制MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷的方法,通過對該電路的理論數(shù)據(jù)分析及與實際測試數(shù)據(jù)做比較,模擬了80 V/50 ms過壓浪涌的試驗,并用示波器記錄了測試波形,得出該設(shè)計電路在輸入28.5 VDC時,可以完全滿足GJB181飛機供電特性過壓浪涌要求的結(jié)論。并通過擴展應(yīng)用介紹了在其他輸入電壓類型時過壓浪涌保護電路的設(shè)計。
標(biāo)簽: GJB 181 過壓 浪涌
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一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成.
標(biāo)簽: 芯片
上傳時間: 2013-12-10
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