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組合預測

  • Keil 和proteus完美結合教程

    Keil 和proteus完美結合教程,比較好

    標簽: proteus Keil 教程

    上傳時間: 2013-08-26

    上傳用戶:YUANQINHUI

  • 一種計算機輔助甲骨文拓片綴合方法

      計算機輔助甲骨拓片綴合,是整理甲骨碎片的一種新技術。提出了一種甲骨文拓片計算機輔助綴合方法。甲骨文拓片圖像綴合過程主要包括圖像的預處理和邊界匹配兩個主要步驟。其中,邊界匹配是進行綴合的關鍵技術,提出一種從提取甲骨文拓片輪廓線出發,融合甲骨拓片本身特點,通過邊界特征來判斷兩個輪廓是否匹配來達到拓片綴合的目的,實現了基于計算機輔助的甲骨拓片綴合算法。通過多幅拓片圖像實驗,驗證了所提方法的有效性。

    標簽: 計算機輔助 甲骨文

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:dazhihui66

  • 基于BCB鍵合的MEMS加速度計圓片級封裝工藝

      對基于BCB的圓片級封裝工藝進行了研究,該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發展趨勢,是MEMS加速度計產業化的關鍵。選用3000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘結鍵合工藝試驗,解決了圓片級封裝問題,在低溫250 ℃和適當壓力輔助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)實現了加速度計的圓片級封裝,并對相關的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數進行了優化。

    標簽: MEMS BCB 鍵合 加速度計

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:JasonC

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

    一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

    標簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時間: 2013-10-18

    上傳用戶:qwerasdf

  • 使用簡易閂鎖電路保護電源

    設計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護。

    標簽: 閂鎖電路 保護電源

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • PC電源測試系統chroma8000

    PC電源測試系統chroma8000簡介

    標簽: chroma 8000 電源測試系統

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:xiehao13

  • 合泰芯片選型表

    合泰芯片選型表

    標簽: 合泰 芯片選型

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:neu_liyan

  • 合工大--單片微型計算機技術資料

    合工大--單片微型計算機技術資料

    標簽: 微型計算機 技術資料

    上傳時間: 2013-11-07

    上傳用戶:wxhwjf

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