【摘要】本文結合作者多年的印制板設計經驗,著重印制板的電氣性能,從印制板穩定性、可靠性方面,來討論多層印制板設計的基本要求。【關鍵詞】印制電路板;表面貼裝器件;高密度互連;通孔【Key words】Printed Circuit Board;Surface Mounting Device;High Density Interface;Via一.概述印制板(PCB-Printed Circuit Board)也叫印制電路板、印刷電路板。多層印制板,就是指兩層以上的印制板,它是由幾層絕緣基板上的連接導線和裝配焊接電子元件用的焊盤組成,既具有導通各層線路,又具有相互間絕緣的作用。隨著SMT(表面安裝技術)的不斷發展,以及新一代SMD(表面安裝器件)的不斷推出,如QFP、QFN、CSP、BGA(特別是MBGA),使電子產品更加智能化、小型化,因而推動了PCB工業技術的重大改革和進步。自1991年IBM公司首先成功開發出高密度多層板(SLC)以來,各國各大集團也相繼開發出各種各樣的高密度互連(HDI)微孔板。這些加工技術的迅猛發展,促使了PCB的設計已逐漸向多層、高密度布線的方向發展。多層印制板以其設計靈活、穩定可靠的電氣性能和優越的經濟性能,現已廣泛應用于電子產品的生產制造中。下面,作者以多年設計印制板的經驗,著重印制板的電氣性能,結合工藝要求,從印制板穩定性、可靠性方面,來談談多層制板設計的基本要領。
標簽: 多層 印制板
上傳時間: 2013-11-19
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PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義: PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義: SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD
標簽: PCB 華碩
上傳時間: 2014-12-24
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電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經驗及技術不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰
標簽: 電路板維修 技術資料
上傳時間: 2013-10-26
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電工技術
標簽: 1.5 600 負載 電壓
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CC1101 是集FSK/ASK/OOK/MSK調制方式于一體的高功率、性能 收發模塊。它提供擴展硬件支持實現信息包處理、數據 緩沖、群發射、空閑信道評估、鏈接質量指示和無線喚 醒,可以采用曼徹斯特編碼進行調制解調它的數據流。 性能優越并且易于應用到你的產品設計中,它可以應用在 RT-001-CC1101 315/433/868/915MHz ISM/SRD頻段的系統中,它可以應用在比如消費類電子產品、自動抄表系統、 雙向防盜器等等。 該型號最大的有點在于模塊內部采用大功率PA及LNA架構,且采用電子開關及控制線路根據客戶 的需求達到遠距離傳輸數據。發射功率可通過外部電源來設置,最大發射功率可以達到1W。超遠距 離方案應用的最佳選擇。 1.1 基本特性 ●省電模式下,低電流損耗 ●方便投入應用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍:﹣40℃~+85℃ ●工作電壓:1.8~ 3.6 Volts. ●有效頻率:300-348Mhz, 400-464Mhz,800-928Mhz ●靈敏度高、輸出功率高且可編程
標簽: FSK-CC 1101 大功率 收發模塊
上傳時間: 2013-11-11
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大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求,並且還不能占用太大的板級空間。
標簽: TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器
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在越來越多的短時間能量存貯應用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應用中,超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應用之一,在該電路中,如果主電源發生短時間故障,則接入一個後備電源,用於給負載供電
標簽: 電源故障保護 后備電池 超級電容器
上傳時間: 2014-01-08
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標簽: 微距 無線充電器
上傳時間: 2013-10-31
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間: 2014-09-08
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該程序描述了4乘4距陣對單位個數碼管顯示的控制 ,數碼管上能顯示1到f。
標簽: 矩陣 方式
上傳時間: 2014-12-25
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