在利益的驅(qū)使下，超限運(yùn)輸在世界各地已成為了普遍現(xiàn)象。這給國(guó)家?guī)?lái)了諸多經(jīng)濟(jì)和社會(huì)問(wèn)題。實(shí)踐證明動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)（WIM）能有效地抑制超限運(yùn)輸，但同時(shí)也存在部分問(wèn)題，這些問(wèn)題的解決有賴(lài)于國(guó)家相關(guān)法規(guī)的出臺(tái)，也有賴(lài)于關(guān)鍵測(cè)量設(shè)備（WIM系統(tǒng)）性能的提高。 由于應(yīng)變式稱(chēng)重傳感器容易受到各種環(huán)境干擾，對(duì)環(huán)境適應(yīng)性差，課題采用光纖Bragg光柵傳感器(FBG)作為稱(chēng)重傳感器，它具有很強(qiáng)的抗干擾性，利于提高系統(tǒng)測(cè)量精度。使用光纖傳感器的關(guān)鍵是波長(zhǎng)解調(diào)技術(shù)，本文在比較了幾種常見(jiàn)解調(diào)技術(shù)的前提下，結(jié)合課題的實(shí)際情況選用了基于F-P腔可調(diào)諧濾波解調(diào)方法，文章在分析該解調(diào)方法原理的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了解調(diào)器中的各個(gè)硬件電路模塊；此外，為了提高數(shù)據(jù)采集、傳輸?shù)男剩恼逻€對(duì)數(shù)據(jù)緩沖電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)，在電路中引入了換體存儲(chǔ)及DMA傳輸技術(shù)。 鑒于動(dòng)態(tài)稱(chēng)重信號(hào)為短歷程信號(hào)并且包含各種各樣的噪聲，稱(chēng)重算法的研究也是本課題要解決的重要內(nèi)容。本文在分析了稱(chēng)臺(tái)振動(dòng)及已有先驗(yàn)知識(shí)的基礎(chǔ)上，將小波分析、LM非線(xiàn)性擬合算法及殘差分析相結(jié)合應(yīng)用在動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)中，為了驗(yàn)證算法的有效性，利用MATLAB對(duì)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行了仿真分析，結(jié)果表明該算法能夠提高測(cè)量精度。 提高動(dòng)態(tài)稱(chēng)重系統(tǒng)性能指標(biāo)的另一方面是提高系統(tǒng)運(yùn)行的軟硬件平臺(tái)。課題采用的核心硬件為Xscale ARM平臺(tái)，處理器時(shí)鐘可高達(dá)400MHz；軟件上采用了多用戶(hù)、多任務(wù)的Linux操作系統(tǒng)平臺(tái)。文章對(duì)操作系統(tǒng)linux2.6進(jìn)行了合適的配置，成功地將它移植到了課題的ARM平臺(tái)上，并且在此操作系統(tǒng)上設(shè)計(jì)了基于MiniGUI的人機(jī)交互界面及波長(zhǎng)解調(diào)和數(shù)據(jù)緩沖電路的驅(qū)動(dòng)程序。
標(biāo)簽： ARM 光纖傳感技術(shù) 動(dòng)態(tài)稱(chēng)重 系統(tǒng)研究
上傳時(shí)間： 2013-07-26
上傳用戶(hù)：neibuzhuzu
激光測(cè)距是一種非接觸式的測(cè)量技術(shù)，已被廣泛使用于遙感、精密測(cè)量、工程建設(shè)、安全監(jiān)測(cè)以及智能控制等領(lǐng)域。早期的激光測(cè)距系統(tǒng)在激光接收機(jī)中通過(guò)分立的單元電路處理激光發(fā)、收信號(hào)以測(cè)量光脈沖往返時(shí)間，使得開(kāi)發(fā)成本高、電路復(fù)雜，調(diào)試?yán)щy，精度以及可靠性相對(duì)較差，體積和重量也較大，且沒(méi)有與其他儀器相匹配的標(biāo)準(zhǔn)接口，上述缺陷阻礙了激光測(cè)距系統(tǒng)的普及應(yīng)用。 本文針對(duì)激光測(cè)距信號(hào)處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)了一套全數(shù)字集成方案，除激光發(fā)射、接收電路以外，將信號(hào)發(fā)生、信號(hào)采集、綜合控制、數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)傳輸五個(gè)部分集成為一塊專(zhuān)用集成電路。這樣就不再需要DA轉(zhuǎn)換和AD轉(zhuǎn)換電路和濾波處理等模塊，可以直接對(duì)信號(hào)進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理。與分立的單元電路構(gòu)成的激光測(cè)距信號(hào)處琿相比，可以大大降低激光測(cè)距系統(tǒng)的成本，縮短激光測(cè)距的研制周期。并且由于專(zhuān)用集成電路帶有標(biāo)準(zhǔn)的RS232接口，可以直接與通信模塊連接，構(gòu)成激光遙測(cè)實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，通過(guò)LED實(shí)時(shí)顯示測(cè)距結(jié)果。這樣使得激光測(cè)距系統(tǒng)只需由激光器LD、接收PD和一片集成電路組成即可，提出了橋梁的位移監(jiān)測(cè)技術(shù)方法，并設(shè)計(jì)出一種針對(duì)橋梁的位移監(jiān)測(cè)的具有既便攜、有效又經(jīng)濟(jì)實(shí)用的監(jiān)測(cè)樣機(jī)。 本文基于xil inx公司提供的開(kāi)發(fā)環(huán)境(ise8.2)、和Virtex2P系列XC2VP30的開(kāi)發(fā)版來(lái)設(shè)計(jì)的，提出一種基于方波的利用DCM(數(shù)字時(shí)鐘管理器)檢相的相位式測(cè)距方法；采用三把側(cè)尺頻率分別是30MHz、3MHz、lOkHz，對(duì)應(yīng)的測(cè)尺長(zhǎng)度分別為5米、50米和15000米，對(duì)應(yīng)的精度分別為±0.02米、±0.5米和±5米。設(shè)計(jì)了一套激光測(cè)距全數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)。為了證明本系統(tǒng)的準(zhǔn)確性，另外設(shè)計(jì)了一套利用延時(shí)的方法來(lái)模擬激光光路，經(jīng)過(guò)測(cè)試，證明利用DCM檢相的相位式測(cè)距方法對(duì)于橋梁的位移監(jiān)測(cè)是可行的，測(cè)量精度和測(cè)量結(jié)果也滿(mǎn)足設(shè)計(jì)方案要求。
標(biāo)簽： FPGA 全數(shù)字 信號(hào)處理 激光測(cè)距
上傳時(shí)間： 2013-06-12
上傳用戶(hù)：fanboynet
交流功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器 特點(diǎn)： 精確度0.25%滿(mǎn)刻度 ±0.25o 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測(cè)試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測(cè)試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 精確度: 0.25% F.S. ±0.25°(23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 輸出反應(yīng)速度: < 250ms(0~90%) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~ ±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~ ±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波測(cè)試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流 功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶(hù)：thing20
交流頻率轉(zhuǎn)換器 特點(diǎn)： 精確度0.05%滿(mǎn)刻度(Accuracy 0.05%F.S.) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測(cè)試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測(cè)試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度: 0.05% F.S. (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA 最大過(guò)載能力:maximum 2 x rated continuous 輸出反應(yīng)時(shí)間: <250ms (0~90%) 輸出負(fù)載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100M ohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動(dòng)測(cè)試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測(cè)試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流 頻率轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶(hù)：xzt
交流電壓，電流轉(zhuǎn)換器 特點(diǎn)： 精確度0.25%滿(mǎn)刻度(RMS) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測(cè)試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測(cè)試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 輸入負(fù)載: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大過(guò)載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 輸出反應(yīng)時(shí)間: <250ms (0~90%) 輸出負(fù)載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調(diào)整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動(dòng)測(cè)試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測(cè)試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
標(biāo)簽： 交流電壓 電流轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶(hù)：非衣2016
近年來(lái)，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化： 一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱(chēng)為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對(duì)噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢(shì)。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號(hào)，需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號(hào)放大，很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線(xiàn)寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高，對(duì)模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線(xiàn)性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材，本書(shū)內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展，同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問(wèn)題，重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書(shū)共7章，大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對(duì)模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡(jiǎn)單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過(guò)程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)，讀者可以通過(guò)對(duì)該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來(lái)逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對(duì)數(shù)域電路，它們?cè)谔岣吖ぷ黝l率、降低電源電壓、擴(kuò)大線(xiàn)性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開(kāi)拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同，這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號(hào)載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開(kāi)關(guān)電容與開(kāi)關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類(lèi)似于數(shù)字電路，處理的是時(shí)間離散信號(hào)，又類(lèi)似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號(hào)，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù)，解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對(duì)數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類(lèi)電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線(xiàn)性特性實(shí)現(xiàn)線(xiàn)性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切，有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類(lèi)型，包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對(duì)數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào)，射頻前端電路的性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書(shū)是在為研究生開(kāi)設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫(xiě)，第6章由王志華編寫(xiě)，第5章由李永明和董在望編寫(xiě)，第2、3章由董在望編寫(xiě)，李國(guó)林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書(shū)可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書(shū)，也可作為本科教學(xué)參考書(shū)或選修課教材和供相關(guān)專(zhuān)業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書(shū)的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。 限于編者水平，難免有錯(cuò)誤和疏漏之處，歡迎批評(píng)指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開(kāi)關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線(xiàn)性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對(duì)頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開(kāi)關(guān)電容電路和開(kāi)關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開(kāi)關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開(kāi)關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開(kāi)關(guān)電容電路 3.2.1開(kāi)關(guān)電容單元電路 3.2.2開(kāi)關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開(kāi)關(guān)電流電路 3.3.1開(kāi)關(guān)電流單元電路 3.3.2開(kāi)關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類(lèi) 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類(lèi)型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線(xiàn)結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過(guò)采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對(duì)數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對(duì)數(shù)域電路基本單元 5.3.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開(kāi)關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開(kāi)關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線(xiàn)性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無(wú)源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡(jiǎn)介 7.1.1單晶生長(zhǎng)與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無(wú)源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題
標(biāo)簽： 模擬集成電路
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶(hù)：chengxin
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶(hù)：蒼山觀海
在越來(lái)越多的短時(shí)間能量存貯應(yīng)用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應(yīng)用中，超級(jí)電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護(hù)電路便是此類(lèi)應(yīng)用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時(shí)間故障，則接入一個(gè)後備電源，用於給負(fù)載供電
標(biāo)簽： 電源故障保護(hù) 后備電池 超級(jí)電容器
上傳時(shí)間： 2014-01-08
上傳用戶(hù)：lansedeyuntkn
與其他的隔離式拓?fù)湎啾龋醇な睫D(zhuǎn)換器因其相對(duì)簡(jiǎn)單和成本低而在隔離式 DC/DC 應(yīng)用中得到了廣泛的運(yùn)用。即使如此，設(shè)計(jì)傳統(tǒng)的反激式轉(zhuǎn)換器并非易事，變壓器需要謹(jǐn)慎的設(shè)計(jì)，而且眾所周知的右半平面 (RHP) 零點(diǎn)以及光耦合器的傳播延遲會(huì)使環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜化。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶(hù)：ouyang426
模塊電源的電氣性能是通過(guò)一系列測(cè)試來(lái)呈現(xiàn)的，下列為一般的功能性測(cè)試項(xiàng)目，詳細(xì)說(shuō)明如下： 電源調(diào)整率(Line Regulation) 負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation) 綜合調(diào)整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動(dòng)態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載(Dynamic or Transient Response) 起動(dòng)(Set-Up)及保持(Hold-Up)時(shí)間 常規(guī)功能(Functions)測(cè)試 1. 電源調(diào)整率 電源調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓變化時(shí)提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測(cè)試步驟如下：于待測(cè)電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機(jī)穩(wěn)定后，分別于低輸入電壓(Min)，正常輸入電壓(Normal)，及高輸入電壓(Max)下測(cè)量并記錄其輸出電壓值。 電源調(diào)整率通常以一正常之固定負(fù)載(Nominal Load)下，由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負(fù)載調(diào)整率 負(fù)載調(diào)整率的定義為開(kāi)關(guān)電源于輸出負(fù)載電流變化時(shí)，提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測(cè)試步驟如下：于待測(cè)電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機(jī)穩(wěn)定后，測(cè)量正常負(fù)載下之輸出電壓值，再分別于輕載(Min)、重載(Max)負(fù)載下，測(cè)量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min))，負(fù)載調(diào)整率通常以正常之固定輸入電壓下，由負(fù)載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 3. 綜合調(diào)整率 綜合調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化時(shí)，提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。這是電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合，此項(xiàng)測(cè)試系為上述電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合，可提供對(duì)電源供應(yīng)器于改變輸入電壓與負(fù)載狀況下更正確的性能驗(yàn)證。 綜合調(diào)整率用下列方式表示：于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化下，其輸出電壓之偏差量須于規(guī)定之上下限電壓范圍內(nèi)(即輸出電壓之上下限絕對(duì)值以?xún)?nèi))或某一百分比界限內(nèi)。 4. 輸出雜訊 輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負(fù)載電流均不變的情況下，其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機(jī)性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號(hào)、高于20 KHz之高頻切換信號(hào)及其諧波，再與其它之隨機(jī)性信號(hào)所組成))，通常以mVp-p峰對(duì)峰值電壓為單位來(lái)表示。 一般的開(kāi)關(guān)電源的規(guī)格均以輸出直流輸出電壓的1%以?xún)?nèi)為輸出雜訊之規(guī)格，其頻寬為20Hz到20MHz。電源實(shí)際工作時(shí)最?lèi)毫拥臓顩r(如輸出負(fù)載電流最大、輸入電源電壓最低等)，若電源供應(yīng)器在惡劣環(huán)境狀況下，其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時(shí)電壓，仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不超過(guò)輸出高低電壓界限情形，否則將可能會(huì)導(dǎo)致電源電壓超過(guò)或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動(dòng)作，進(jìn)一步造成死機(jī)現(xiàn)象。 同時(shí)測(cè)量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配，為避免導(dǎo)線(xiàn)上產(chǎn)生不必要的干擾、振鈴和駐波，一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點(diǎn)上，并使用差動(dòng)式量測(cè)方法(可避免地回路之雜訊電流)，來(lái)獲得正確的測(cè)量結(jié)果。 5. 輸入功率與效率 電源供應(yīng)器的輸入功率之定義為以下之公式： True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對(duì)一周期內(nèi)其輸入電壓與電流乘積之積分值，需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.，其中P.F.為功率因素(Power Factor)，通常無(wú)功率因素校正電路電源供應(yīng)器的功率因素在0.6～0.7左右，其功率因素為1～0之間。 電源供應(yīng)器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對(duì)電源供應(yīng)器正確工作的驗(yàn)證，若效率超過(guò)規(guī)定范圍，即表示設(shè)計(jì)或零件材料上有問(wèn)題，效率太低時(shí)會(huì)導(dǎo)致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動(dòng)態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載 一個(gè)定電壓輸出的電源，于設(shè)計(jì)中具備反饋控制回路，能夠?qū)⑵漭敵鲭妷哼B續(xù)不斷地維持穩(wěn)定的輸出電壓。由于實(shí)際上反饋控制回路有一定的頻寬，因此限制了電源供應(yīng)器對(duì)負(fù)載電流變化時(shí)的反應(yīng)。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時(shí)，超過(guò)180度，則電源供應(yīng)器之輸出便會(huì)呈現(xiàn)不穩(wěn)定、失控或振蕩之現(xiàn)象。實(shí)際上，電源供應(yīng)器工作時(shí)的負(fù)載電流也是動(dòng)態(tài)變化的，而不是始終維持不變(例如硬盤(pán)、軟驅(qū)、CPU或RAM動(dòng)作等)，因此動(dòng)態(tài)負(fù)載測(cè)試對(duì)電源供應(yīng)器而言是極為重要的。可編程序電子負(fù)載可用來(lái)模擬電源供應(yīng)器實(shí)際工作時(shí)最?lèi)毫拥呢?fù)載情況，如負(fù)載電流迅速上升、下降之斜率、周期等，若電源供應(yīng)器在惡劣負(fù)載狀況下，仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不產(chǎn)生過(guò)高激(Overshoot)或過(guò)低(Undershoot)情形，否則會(huì)導(dǎo)致電源之輸出電壓超過(guò)負(fù)載組件(如TTL電路其輸出瞬時(shí)電壓應(yīng)介于4.75V至5.25V之間，才不致引起TTL邏輯電路之誤動(dòng)作)之承受電源電壓而誤動(dòng)作，進(jìn)一步造成死機(jī)現(xiàn)象。 7. 啟動(dòng)時(shí)間與保持時(shí)間 啟動(dòng)時(shí)間為電源供應(yīng)器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩(wěn)壓范圍內(nèi)為止的時(shí)間，以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例，啟動(dòng)時(shí)間為從電源開(kāi)機(jī)起到輸出電壓達(dá)到4.75V為止的時(shí)間。 保持時(shí)間為電源供應(yīng)器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩(wěn)壓范圍外為止的時(shí)間，以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例，保持時(shí)間為從關(guān)機(jī)起到輸出電壓低于4.75V為止的時(shí)間，一般值為17ms或20ms以上，以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。 8. 其它 在電源具備一些特定保護(hù)功能的前提下，還需要進(jìn)行保護(hù)功能測(cè)試，如過(guò)電壓保護(hù)(OVP)測(cè)試、短路保護(hù)測(cè)試、過(guò)功保護(hù)等
標(biāo)簽： 模塊電源 參數(shù) 指標(biāo) 測(cè)試方法
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶(hù)：zouxinwang
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
