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碳納米管

  • 場效應(yīng)管放大電路_場效應(yīng)管作用

    場效應(yīng)管作用

    標(biāo)簽: 場效應(yīng)管 放大電路

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:qwer0574

  • 5000種場效應(yīng)管速查

    5000種場效應(yīng)管速查

    標(biāo)簽: 5000 場效應(yīng)管 速查

    上傳時間: 2013-10-27

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  • 1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)

    1N系列穩(wěn)壓管參數(shù)

    標(biāo)簽: 穩(wěn)壓管 參數(shù)

    上傳時間: 2013-10-11

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  • 場效應(yīng)管的h參數(shù)等效模型

    主要介紹場效應(yīng)管H參數(shù)的模型

    標(biāo)簽: 場效應(yīng)管 h參數(shù) 等效模型

    上傳時間: 2014-01-09

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  • MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

    下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路。

    標(biāo)簽: MOS 驅(qū)動電路

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:文993

  • 2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全

    2SJ系列場效應(yīng)管參數(shù)大全:

    標(biāo)簽: 2SJ 場效應(yīng)管 參數(shù)大全

    上傳時間: 2013-11-24

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  • MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計(jì)算

    MOS關(guān)模型 Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是耗盡區(qū)電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結(jié)電容,也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實(shí)際應(yīng)用的時候需要修改Cgd的值。

    標(biāo)簽: MOS 驅(qū)動 功耗計(jì)算

    上傳時間: 2013-12-09

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  • 單管放大_從原理圖到PCB

    運(yùn)用PROTEL DXP 2004設(shè)計(jì)的項(xiàng)目“單管放大”視頻教學(xué),完整展現(xiàn)了從原理圖到PCB的過程

    標(biāo)簽: PCB 單管放大 原理圖

    上傳時間: 2013-11-25

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  • 創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    創(chuàng)建PCB元件管腳封裝

    標(biāo)簽: PCB 元件 管腳 封裝

    上傳時間: 2014-12-24

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  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

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